OVishay SI4946BEY-T1-GE3é um MOSFET duplo de canal N classificado em 60 V (DS) com temperatura máxima de junção de 175°C, permitindo operação confiável em ambientes de alta temperatura. É 100% testado em Rg, garantindo qualidade e desempenho consistentes. O dispositivo atende aos padrões livres de halogênio IEC 61249-2-21 e às diretivas RoHS 2002/95/EC, tornando-o ecologicamente correto. Seu pacote SO-8 oferece excelentes propriedades elétricas e mecânicas, permitindo fácil instalação de montagem em superfície em placas de circuito densas. Este MOSFET encontra amplas aplicações. Na eletrônica automotiva, ele alimenta conversores DC-DC e controla a iluminação LED. Em ambientes industriais, aciona motores e gerencia energia em sistemas de automação. Para produtos eletrônicos de consumo, reduz as perdas de energia em carregadores de dispositivos móveis e aumenta a eficiência da bateria, provando ser uma solução de semicondutores versátil e confiável.
Características do Vishay SI4946BEY-T1-GE3
OVishay SI4946BEY-T1-GE3é um MOSFET duplo de canal N 60V (DS) 175°C com os seguintes recursos notáveis:
Características de proteção ambiental:Está em conformidade com o padrão livre de halogênio definido pela IEC 61249-2-21 e, ao mesmo tempo, atende aos requisitos da Diretiva RoHS 2002/95/EC. É isento de chumbo e de halogênio, demonstrando excelente desempenho na proteção ambiental. É adequado para cenários de aplicação com restrições rigorosas a substâncias perigosas, o que ajuda a reduzir a poluição ambiental causada por resíduos eletrónicos.
Alta temperatura operacional:A temperatura máxima da junção pode chegar a 175°C, possuindo excelente desempenho de resistência a altas temperaturas. Isto permite que o dispositivo opere de forma estável em ambientes de alta temperatura e é adequado para campos com requisitos rigorosos de temperatura, como controle automotivo e industrial, expandindo seu escopo de aplicação.
Teste abrangente:Ele passa por testes 100% Rg para garantir a consistência e confiabilidade da qualidade e desempenho do produto. Os produtos que foram submetidos a testes rigorosos podem atender melhor aos requisitos de projeto no uso prático, reduzir o risco de falha e melhorar a estabilidade do sistema.
Formulário de embalagem:Adota a forma de embalagem SO-8. Esta forma de embalagem possui boas propriedades elétricas e mecânicas, com um layout de pinos razoável, tornando-a conveniente para instalação e soldagem. É adequado para montagem superficial em placas de circuito de alta densidade, o que ajuda a reduzir o volume do produto e melhorar o nível de integração.
Características de proteção ambiental:Está em conformidade com o padrão livre de halogênio definido pela IEC 61249-2-21 e, ao mesmo tempo, atende aos requisitos da Diretiva RoHS 2002/95/EC. É isento de chumbo e de halogênio, demonstrando excelente desempenho na proteção ambiental. É adequado para cenários de aplicação com restrições rigorosas a substâncias perigosas, o que ajuda a reduzir a poluição ambiental causada por resíduos eletrónicos.
Alta temperatura operacional:A temperatura máxima da junção pode chegar a 175°C, possuindo excelente desempenho de resistência a altas temperaturas. Isto permite que o dispositivo opere de forma estável em ambientes de alta temperatura e é adequado para campos com requisitos rigorosos de temperatura, como controle automotivo e industrial, expandindo seu escopo de aplicação.
Teste abrangente:Ele passa por testes 100% Rg para garantir a consistência e confiabilidade da qualidade e desempenho do produto. Os produtos que foram submetidos a testes rigorosos podem atender melhor aos requisitos de projeto no uso prático, reduzir o risco de falha e melhorar a estabilidade do sistema.
Formulário de embalagem:Adota a forma de embalagem SO-8. Esta forma de embalagem possui boas propriedades elétricas e mecânicas, com um layout de pinos razoável, tornando-a conveniente para instalação e soldagem. É adequado para montagem superficial em placas de circuito de alta densidade, o que ajuda a reduzir o volume do produto e melhorar o nível de integração.
Aplicações de Vishay SI4946BEY-T1-GE3
O Vishay SI4946BEY-T1-GE3 é um MOSFET duplo de canal N 60V (DS) 175°C. Graças às suas características próprias, possui uma ampla gama de aplicações em numerosos campos:
Campo de Eletrônica Automotiva:Devido à sua alta temperatura máxima de junção de 175°C, ele pode se adaptar a ambientes de alta temperatura, como o compartimento do motor automotivo. Pode ser utilizado no sistema de gerenciamento de energia de veículos. Por exemplo, pode converter a tensão da bateria em uma tensão estável exigida por diferentes dispositivos eletrônicos. Como elemento de comutação no conversor DC-DC, ele pode controlar com eficiência o liga-desliga da corrente para garantir a operação estável de dispositivos eletrônicos automotivos. No sistema de iluminação automotiva, especialmente no circuito de acionamento dos faróis de LED, ao utilizar suas características de comutação rápida, pode-se obter controle preciso da corrente do LED, ajustar o brilho e reduzir o consumo de energia.
Campo de Controle Industrial:No aspecto de acionamento de motor industrial, pode servir como tubo de alimentação. Com uma tensão de fonte de drenagem de 60 V e uma corrente de drenagem contínua relativamente alta (com valores nominais correspondentes em diferentes temperaturas), ele pode fornecer uma corrente de acionamento estável para motores de pequena e média potência e controlar a partida, parada e velocidade de rotação dos motores. No circuito de potência dos equipamentos de automação de fábrica, pode realizar conversão de tensão e regulação de potência para garantir o funcionamento estável do equipamento. Suas características livres de halogênio e em conformidade com RoHS também atendem aos requisitos de proteção ambiental da indústria.
Campo de eletrônicos de consumo:Nos módulos de gerenciamento de energia de dispositivos móveis, como laptops e tablets, aproveitando sua baixa resistência (com valores de resistência específicos em diferentes tensões de porta-fonte), pode reduzir a perda de energia durante o processo de conversão de energia e melhorar a vida útil da bateria. Em alguns carregadores pequenos, como dispositivo de comutação, pode obter conversão de tensão eficiente, convertendo corrente alternada em corrente contínua adequada para carregar o dispositivo. Seu formato de embalagem SO-8 também facilita o layout em uma placa de circuito compacta.
Campo de Eletrônica Automotiva:Devido à sua alta temperatura máxima de junção de 175°C, ele pode se adaptar a ambientes de alta temperatura, como o compartimento do motor automotivo. Pode ser utilizado no sistema de gerenciamento de energia de veículos. Por exemplo, pode converter a tensão da bateria em uma tensão estável exigida por diferentes dispositivos eletrônicos. Como elemento de comutação no conversor DC-DC, ele pode controlar com eficiência o liga-desliga da corrente para garantir a operação estável de dispositivos eletrônicos automotivos. No sistema de iluminação automotiva, especialmente no circuito de acionamento dos faróis de LED, ao utilizar suas características de comutação rápida, pode-se obter controle preciso da corrente do LED, ajustar o brilho e reduzir o consumo de energia.
Campo de Controle Industrial:No aspecto de acionamento de motor industrial, pode servir como tubo de alimentação. Com uma tensão de fonte de drenagem de 60 V e uma corrente de drenagem contínua relativamente alta (com valores nominais correspondentes em diferentes temperaturas), ele pode fornecer uma corrente de acionamento estável para motores de pequena e média potência e controlar a partida, parada e velocidade de rotação dos motores. No circuito de potência dos equipamentos de automação de fábrica, pode realizar conversão de tensão e regulação de potência para garantir o funcionamento estável do equipamento. Suas características livres de halogênio e em conformidade com RoHS também atendem aos requisitos de proteção ambiental da indústria.
Campo de eletrônicos de consumo:Nos módulos de gerenciamento de energia de dispositivos móveis, como laptops e tablets, aproveitando sua baixa resistência (com valores de resistência específicos em diferentes tensões de porta-fonte), pode reduzir a perda de energia durante o processo de conversão de energia e melhorar a vida útil da bateria. Em alguns carregadores pequenos, como dispositivo de comutação, pode obter conversão de tensão eficiente, convertendo corrente alternada em corrente contínua adequada para carregar o dispositivo. Seu formato de embalagem SO-8 também facilita o layout em uma placa de circuito compacta.
Atributos de Vishay SI4946BEY-T1-GE3
| Categoria de produto | MOSFET | RoHS | Detalhes |
| ALCANÇAR | Detalhes | Tecnologia | Si |
| Estilo de montagem | SMD/SMT | Pacote/Caso | SOIC-8 |
| Polaridade do transistor | Canal N | Número de canais | 2 canais |
| Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem | 60 V | Id - Corrente de Drenagem Contínua | 6,5 A |
| Rds On - Resistência Fonte de Dreno | 41 mOhms | Vgs - Tensão Gate-Fonte | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensão limite da porta-fonte | 1 V | Qg - Carga do Portão | 17nC |
| Temperatura Mínima de Operação | - 55ºC | Temperatura máxima de operação | + 175ºC |
| Pd - Dissipação de Energia | 3,7 W | Modo de canal | Aprimoramento |
| Nome comercial | TrenchFET | Série | SI4 |
| Marca | Vishay Semicondutores | Configuração | Dual |
| Tempo de outono | 10 ns | Transcondutância direta - Mín. | 24 S |
| Tipo de produto | MOSFET | Tempo de subida | 12 ns |
| Quantidade do pacote de fábrica | 2500 | Subcategoria | MOSFETs |
| Tipo de transistor | 2 canais N | Tempo típico de atraso de desligamento | 25 ns |
| Tempo típico de atraso de ativação | 10 ns | Parte # Aliases | SI4946BEY-GE3 |
| Peso unitário | 0,026455 onças |
Ficha técnica do Vishay SI4946BEY-T1-GE3
Categoria Vishay SI4946BEY-T1-GE3 - MOSFETs
Transistores de efeito de campo semicondutores de óxido metálico (MOSFETs) são componentes cruciais na eletrônica moderna, conhecidos por sua alta impedância de entrada, velocidades de comutação rápidas e baixo consumo de energia. Essas características os tornam ideais para uma ampla gama de aplicações, desde sistemas de gerenciamento de energia até circuitos de comutação de alta frequência. Os MOSFETs operam controlando o fluxo de corrente entre os terminais fonte e dreno através de um campo elétrico aplicado ao terminal gate. Esta operação controlada por tensão permite a regulação precisa da potência, permitindo conversão e gerenciamento eficientes de energia. A sua capacidade de ligar e desligar rapidamente reduz as perdas de energia, melhorando a eficiência global dos dispositivos eletrónicos. Em vários setores, os MOSFETs desempenham papéis indispensáveis. No setor automotivo, são utilizados em unidades de controle de motores e sistemas de iluminação; na eletrônica de consumo, otimizam a vida útil da bateria em smartphones e laptops; e em aplicações industriais, acionam motores e gerenciam a distribuição de energia.
Entre os muitos MOSFETs disponíveis,o Vishay SI4946BEY-T1-GE3se destaca. Como um MOSFET duplo de canal N 60V (DS) 175°C, ele combina tolerância a altas temperaturas, respeito ao meio ambiente e confiabilidade. Seu teste 100% Rg garante desempenho consistente, enquanto o pacote SO-8 facilita a integração. Seja na indústria automotiva, industrial ou eletrônica de consumo, este MOSFET oferece uma solução robusta e eficiente para necessidades de gerenciamento de energia.
Entre os muitos MOSFETs disponíveis,o Vishay SI4946BEY-T1-GE3se destaca. Como um MOSFET duplo de canal N 60V (DS) 175°C, ele combina tolerância a altas temperaturas, respeito ao meio ambiente e confiabilidade. Seu teste 100% Rg garante desempenho consistente, enquanto o pacote SO-8 facilita a integração. Seja na indústria automotiva, industrial ou eletrônica de consumo, este MOSFET oferece uma solução robusta e eficiente para necessidades de gerenciamento de energia.
Fabricante-Vishay de SI4946BEY-T1-GE3
Vishay alcançou um sucesso notável na área de MOSFETs. Como fabricante de componentes eletrônicos de renome mundial, desenvolveu uma gama diversificada de produtos através de seu profundo acúmulo tecnológico e investimento contínuo em inovação. Seus produtos MOSFET cobrem um amplo espectro, variando de baixa tensão a alta tensão, e de tipos padrão até aqueles para aplicações especiais, atendendo às necessidades de diversos setores. A Vishay se destaca com destaque em inovação tecnológica. Por exemplo, introduziu MOSFETs com tecnologia avançada de inversão de fonte, que reduz significativamente a resistência de ligação e melhora a densidade de potência e o desempenho térmico. Os MOSFETs de potência da série E de quarta geração desenvolvidos diminuíram bastante o produto da resistência ligada e da carga do portão, melhorando a eficiência da conversão de energia. Em termos de tecnologia de embalagem, a Vishay desenvolveu uma variedade de formas de embalagem avançadas. A série PowerPAK, por exemplo, pode efetivamente melhorar a dissipação de calor, reduzir o tamanho do produto e aumentar a integração. Em termos de desempenho de mercado, os MOSFETs da Vishay detêm a melhor participação no mercado global no segmento abaixo de 200V. Seus produtos são amplamente utilizados em eletrônica automotiva, controle industrial, eletrônicos de consumo, equipamentos de comunicação e outros campos. Na eletrônica automotiva, eles são aplicados ao acionamento de motores e ao gerenciamento de baterias; no controle industrial, são utilizados para acionar motores e regular a potência; em produtos eletrônicos de consumo, eles otimizam o gerenciamento de energia e prolongam a vida útil da bateria. Além disso, a Vishay segue rigorosamente os padrões de proteção ambiental. Seus produtos são isentos de chumbo, halogênio e estão em conformidade com a diretiva RoHS. Com essas vantagens, os MOSFETs da Vishay são altamente confiáveis pelos engenheiros eletrônicos em todo o mundo e ocupam uma posição significativa no campo dos MOSFETs.
Peças alternativas SI4946BEY-T1-GE3: IRF7478TRPBF
<td da| Ocultar atributos compartilhados |  |  |
| Número da peça | SI4946BEY-T1-GE3+BOM | IRF7478TRPBF+BOM |
| Fabricante: | Vishay Siliconix | Tecnologias Infineon |
| Descrição: | MOSFET 2N-CH 60V 6,5A 8-SOIC | MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC |
| Prazo de entrega da fábrica: | 14 semanas | 12 semanas |
| Montar: | Montagem em superfície | Montagem em superfície |
| Tipo de montagem: | Montagem em superfície | Montagem em superfície |
| Pacote/Caso: | 8-SOIC (0,154, 3,90 mm de largura) | 8-SOIC (0,154, 3,90 mm de largura) |
| Número de pinos: | 8 | 8 |
| Peso: | 506,605978mg | - |
| Material do elemento transistor: | SILÍCIO | - |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25℃: | 6,5A | 7A Ta |
| Número de elementos: | 2 | - |
| Desligue o tempo de atraso: | 25 ns | 44 ns |
| Temperatura operacional: | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
| Embalagem: | Fita e Carretel (TR) | Fita e Carretel (TR) |
| Série: | TrincheiraFET® | HEXFET® |
| Publicado: | 2013 | 2004 |
| Código JESD-609: | e3 | - |
| Estado da peça: | Ativo | Não para novos designs |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (ilimitado) | 1 (ilimitado) |
| Número de rescisões: | 8 | - |
| Código ECCN: | EAR99 | EAR99 |
| Resistência: | 41MOhm | 26MOhm |
| Acabamento dos Terminais: | ESTANHO FOSCO | - |
| Dissipação máxima de energia: | 3,7W | - |
| Formulário Terminal: | ASA DE GAIVOTA | - |
| Temperatura de pico de refluxo (Cel): | 260 | - |
| Tempo@Pico Temperatura de refluxo-Máx.: | 30 | - |
| Número básico da peça: | SI4946 | - |
| Contagem de pinos: | 8 | - |
| Configuração do Elemento: | Dual | Solteiro |
| Modo de operação: | MODO DE MELHORIA | - |
| Dissipação de energia: | 2,4W | 2,5W |
| Ativar o tempo de atraso: | 10 ns | 7,7ns |
| Tipo FET: | 2 canais N (duplo) | Canal N |
| Rds ativado (máx.) @ ID, Vgs: | 41mΩ @ 5,3A, 10V | 26mΩ @ 4,2A, 10V |
| Vgs(th) (Máx.) @ ID: | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds: | 840pF a 30V | 1740pF a 25V |
| Carga do portão (Qg) (Máx.) @ Vgs: | 25nC @ 10V | 31nC a 4,5V |
| Tempo de subida: | 12s | 2,6ns |
| Tempo de outono (tipo): | 10 ns | 13 ns |
| Corrente de drenagem contínua (ID): | 5.3A | 4.2A |
| Tensão limite: | 2,4V | 3V |
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