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Produtos semicondutores discretos (1252)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Condição de teste | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tempo de recuperação reversa (trr) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR120NTRRPBF | - |  | 9869 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 145 | Canal N | 100V | 9,4A (Tc) | 10V | 210mOhm @ 5,6A, 10V | 4 V a 250 µA | 25 nC @ 10 V | ±20V | 330 pF a 25 V | - | 48W (Tc) | ||||||||||||||||||||
 | IRGP4069DPBF | - | | 7252 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | download | Não aplicável | REACH não afetado | 2156-IRGP4069DPBF-600047 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFPS3815PBF | - | | 6082 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-274AA | MOSFET (óxido metálico) | SUPER-247™ (TO-274AA) | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 150 V | 105A (Tc) | 10V | 15mOhm @ 63A, 10V | 5 V a 250 µA | 390 nC @ 10 V | ±30V | 6810 pF a 25 V | - | 441W (Tc) | ||||||||||||||||
 | IRG8P75N65UD1-EPBF | 3.8000 | | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | - | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFU7440PBF | 0,7300 | | 108 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | IPAK (TO-251AA) | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 409 | Canal N | 40 V | 90A (Tc) | 6V, 10V | 2,4mOhm a 90A, 10V | 3,9 V a 100 µA | 134 nC @ 10 V | ±20V | 4610 pF a 25 V | - | 140W (Tc) | |||||||||||||||||||
| AUIRF1404S | 3.3600 | | 25 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 75A (Tc) | 10V | 4mOhm @ 95A, 10V | 4 V a 250 µA | 200 nC @ 10 V | ±20V | 7360 pF a 25 V | - | 3,8 W (Ta), 200 W (Tc) | |||||||||||||||||||
 | IRF3709STRLPBF | 1.0000 | | 8735 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 30 V | 90A (Tc) | 4,5V, 10V | 9mOhm @ 15A, 10V | 3 V a 250 µA | 41 nC @ 5 V | ±20V | 2672 pF a 16 V | - | 3,1 W (Ta), 120 W (Tc) | ||||||||||||||||
| IRGP4063D1PBF | - | | 9658 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 330 W | TO-247AC | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 48A, 10Ohm, 15V | 80 ns | - | 600 V | 100A | 200A | 2,14V a 15V, 48A | 1,4 µJ (ligado), 1,1 µJ (desligado) | 150nC | 60ns/160ns | ||||||||||||||||
 | IRGB10B60KDPBF | - | | 3410 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | padrão | 156W | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 10A, 47Ohm, 15V | 90 ns | TNP | 600 V | 22A | 44A | 2,2V a 15V, 10A | 140 µJ (ligado), 250 µJ (desligado) | 38nC | 30ns/230ns | ||||||||||||||||
| IRGB4059DPBF | 1.0800 | | 600 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | padrão | 56 W | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 4A, 100Ohm, 15V | 55 ns | Trincheira | 600 V | 8A | 16A | 2,05V a 15V, 4A | 35 µJ (ligado), 75 µJ (desligado) | 13nC | 25ns/65ns | ||||||||||||||||
| IRG7PK35UD1PBF | - | | 3045 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 167W | TO-247AC | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 20A, 10Ohm, 15V | - | 1400 V | 40A | 200A | 2,35V a 15V, 20A | 650 µJ (desligado) | 98nC | -/150ns | |||||||||||||||||
 | AUIFR2405TRL | 1.0600 | | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-PAK (TO-252AA) | download | Fornecedor indefinido | REACH não afetado | 2156-AUIRFR2405TRL-600047 | 1 | Canal N | 55V | 30A (Tc) | 16mOhm @ 34A, 10V | 4 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | 2.430 pF a 25 V | - | 110W (Tc) | ||||||||||||||||||||
 | IRL8113PBF-IR | - | | 8581 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 30 V | 105A (Tc) | 4,5V, 10V | 6mOhm @ 21A, 10V | 2,25 V a 250 µA | 35 nC @ 4,5 V | ±20V | 2.840 pF a 15 V | - | 110W (Tc) | ||||||||||||||||
 | AUIFR4105 | 0,6600 | | 5 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55V | 20A (Tc) | 10V | 45mOhm @ 16A, 10V | 4 V a 250 µA | 34 nC @ 10 V | ±20V | 700 pF a 25 V | - | 68W (Tc) | ||||||||||||||||
| AUIRF1010ZL | 1.2400 | | 8 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55V | 75A (Tc) | 7,5mOhm a 75A, 10V | 4 V a 250 µA | 95 nC @ 10 V | 2840 pF a 25 V | - | 140W (Tc) | |||||||||||||||||||||
| IRL3713PBF | - | | 4040 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 30 V | 260A (Tc) | 4,5V, 10V | 3mOhm @ 38A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 110 nC a 4,5 V | ±20V | 5890 pF a 15 V | - | 330W (Tc) | |||||||||||||||||||
 | IRFAF50 | 7.0500 | | 644 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-204AA (TO-3) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 900 V | 6,2A (Tc) | 10V | 1,85Ohm a 6,2A, 10V | 4 V a 250 µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 2700 pF a 25 V | - | 150W (Tc) | ||||||||||||||||
| IRGP30B60KD-EP | 1.0000 | | 2311 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 304 W | TO-247AD | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | 125 ns | TNP | 600 V | 60A | 120A | 2,35V a 15V, 30A | 350 µJ (ligado), 825 µJ (desligado) | 102nC | 46ns/185ns | ||||||||||||||||
 | IRF9952QPBF | - | | 7036 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IRF995 | MOSFET (óxido metálico) | 2W | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 190 | Canal N e P | 30V | 3,5A, 2,3A | 100mOhm @ 2,2A, 10V | 1V @ 250µA | 14nC @ 10V | 190pF a 15V | Portão de nível lógico | ||||||||||||||||||||
| IRFS4615PBF | 0,7100 | | 2582 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 59 | Canal N | 150 V | 33A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 21A, 10V | 5 V a 100 µA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1750 pF a 50 V | - | 144W (Tc) | ||||||||||||||||||
| AUILR3110Z | - | | 5139 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 42A (Tc) | 14mOhm a 38A, 10V | 2,5 V a 100 µA | 48 nC @ 4,5 V | ±16V | 3980 pF a 25 V | - | 140W (Tc) | |||||||||||||||||
 | IRF6713STRPBF | 1.0000 | | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | DirectFET™ | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SQ isométrico DirectFET™ | MOSFET (óxido metálico) | SQ isométrico DirectFET™ | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 25 V | 22A (Ta), 95A (Tc) | 3mOhm @ 22A, 10V | 2,4 V a 50 µA | 32 nC @ 4,5 V | ±20V | 2.880 pF a 13 V | - | 2,2 W (Ta), 42 W (Tc) | |||||||||||||||||
 | AUIRFU4292 | 0,7900 | | 26 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | I-PAK | download | Fornecedor indefinido | REACH não afetado | 2156-AUIRFU4292-600047 | 1 | Canal N | 250 V | 9,3A(Tc) | 10V | 345mOhm @ 5,6A, 10V | 5V @ 50µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 705 pF a 25 V | - | 100W (Tc) | ||||||||||||||||||
| IRFR7440TRPBF | - | | 2155 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 176-LQFP | MOSFET (óxido metálico) | 176-LQFP (24x24) | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 40 V | 90A (Tc) | 6V, 10V | 2,4mOhm a 90A, 10V | 3,9 V a 100 µA | 134 nC @ 10 V | ±20V | 4610 pF a 25 V | - | 140W (Tc) | |||||||||||||||||||
| AUIRGF66524D0-IR | 4.3700 | | 7 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | AUIRGF66524 | padrão | 214W | TO-247AC | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 24A, 10Ohm, 15V | 176 ns | - | 600 V | 60A | 72A | 1,9V a 15V, 24A | 915 µJ (ligado), 280 µJ (desligado) | 80nC | 30ns/75ns | |||||||||||||||
 | IRFL4310PBF | - | | 3702 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (óxido metálico) | SOT-223 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 1,6A (Ta) | 200mOhm @ 1,6A, 10V | 4 V a 250 µA | 25 nC @ 10 V | ±20V | 330 pF a 25 V | - | 1W (Ta) | |||||||||||||||||
 | IRGP4063PBF | - | | 7714 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 330 W | TO-247AC | - | RoHS não compatível | Fornecedor indefinido | 2156-IRGP4063PBF-600047 | 1 | 400V, 48A, 10Ohm, 15V | Trincheira | 600 V | 96A | 144A | 2,14V a 15V, 48A | 625 µJ (ligado), 1,28 mJ (desligado) | 95nC | 60ns/145ns | |||||||||||||||||||
| AUIRF1405ZL-308 | 1.6000 | | 22 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55V | 150A (Tc) | 10V | 4,9mOhm a 75A, 10V | 4 V a 250 µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 4780 pF a 25 V | - | 230W (Tc) | ||||||||||||||||
| AUIRL7736M2TR | 1.0000 | | 6393 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DirectFET™ Isométrico M4 | MOSFET (óxido metálico) | DirectFET™ Isométrico M4 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 179A (Tc) | 4,5V, 10V | 3mOhm @ 67A, 10V | 2,5 V a 150 µA | 78 nC @ 4,5 V | ±16V | 5055 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta), 63W (Tc) | |||||||||||||||||||
| IRG4PH40UDPBF | - | | 4910 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 160W | TO-247AC | - | Não aplicável | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 800V, 21A, 10Ohm, 15V | 63 ns | - | 1200 V | 41A | 82A | 3,1V a 15V, 21A | 1,8mJ (ligado), 1,93mJ (desligado) | 86nC | 46ns/97ns |
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