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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGP4640PBF | 1.9000 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 250 w | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 24A, 10OHM, 15V | - | 600 v | 65 a | 72 a | 1.9V @ 15V, 24A | 100µJ (ON), 600µJ (Off) | 75 NC | 40ns/105ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3808SPBF | 1.0000 | ![]() | 5209 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 75 v | 106a (TC) | 10V | 7mohm @ 82a, 10V | 4V A 250µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 5310 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF7734M2TR | 0,9400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFET ™ isométrico M2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ isométrico M2 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 17a (TA) | 10V | 4.9mohm @ 43a, 10V | 4V @ 100µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2545 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 46W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB4615PBF | - | ![]() | 8373 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 150 v | 35a (TC) | 10V | 39mohm @ 21a, 10V | 5V @ 100µA | 26 NC A 10 V | ± 20V | 1750 PF @ 50 V | - | 144W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFAE42 | - | ![]() | 1351 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AA (TO-3) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 800 v | 4.4a | - | - | - | - | - | 125W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4062D-EPBF | - | ![]() | 6386 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 250 w | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 24A, 10OHM, 15V | 89 ns | Trincheira | 600 v | 48 a | 72 a | 1.95V @ 15V, 24A | 115µJ (ON), 600µJ (Off) | 75 NC | 41ns/104ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB4115GPBF | - | ![]() | 3297 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 150 v | 104a (TC) | 10V | 11mohm @ 62a, 10V | 5V A 250µA | 120 nc @ 10 V | ± 20V | 5270 pf @ 50 V | - | 380W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Auirlr024z | 0,5800 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 v | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 9.6a, 10V | 3V A 250µA | 9,9 nc @ 5 V | ± 16V | 380 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF1324S | 2.0900 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 24 v | 195a (TC) | 10V | 1.65mohm @ 195a, 10V | 4V A 250µA | 240 nc @ 10 V | ± 20V | 7590 pf @ 24 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG7PH35UPBF | 2.4500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 210 w | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 20A, 10OHM, 15V | Trincheira | 1200 v | 55 a | 60 a | 2.2V @ 15V, 20A | 1,06MJ (ON), 620µJ (Desligado) | 130 NC | 30ns/160ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS4127TRL | 1.0000 | ![]() | 4627 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 72a (TC) | 10V | 22mohm @ 44a, 10V | 5V A 250µA | 150 nc @ 10 V | ± 20V | 5380 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFHM8342TRPBF-IR | - | ![]() | 9853 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 30 v | 10a (ta), 28a (tc) | 16mohm @ 17a, 10V | 2.35V @ 25µA | 10 nc @ 10 V | ± 20V | 560 pf @ 25 V | - | 2.6W (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFR1010Z | - | ![]() | 8387 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak (TO-252AA) | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 v | 42a (TC) | 7.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 100µA | 95 NC @ 10 V | 2840 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8915pbf | 0,2000 | ![]() | 3472 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF89 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 355 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 8.9a | 18.3mohm @ 8.9a, 10V | 2,5V a 250µA | 7.4NC @ 4.5V | 540pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7905TRPBF | - | ![]() | 7911 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF7905 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 407 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 7.8a, 8.9a | 21.8mohm @ 7.8a, 10V | 2.25V @ 25µA | 6.9NC @ 4.5V | 600pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFR3607 | - | ![]() | 7019 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AUIRFR3607 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 75 v | 56a (TC) | 10V | 9mohm @ 46a, 10V | 4V @ 100µA | 84 nc @ 10 V | ± 20V | 3070 pf @ 50 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR8743PBF | - | ![]() | 9970 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 30 v | 160A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 25a, 10V | 2.35V @ 100µA | 59 NC a 4,5 V | ± 20V | 4880 PF @ 15 V | - | 135W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRF343 | 1.4200 | ![]() | 5900 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 165 | N-canal | 350 v | 8a (TC) | 800MOHM @ 5A, 10V | 4V A 250µA | 60 nc @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFSL7430PBF | 1.9800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, STROTLIRFET ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 40 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.2mohm @ 100a, 10V | 3,9V a 250µA | 460 nc @ 10 V | ± 20V | 14240 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4RC20FTRLPBF | 1.1100 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Padrão | 66 w | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 480V, 12A, 50OHM, 15V | - | 600 v | 22 a | 44 a | 2.1V @ 15V, 12a | 190µJ (ON), 920µJ (OFF) | 40 NC | 26ns/194ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS4010-7TRL | 3.9200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK-7 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 83 | N-canal | 100 v | 180A (TC) | 4.7mohm @ 106a, 10V | 4V A 250µA | 215 NC @ 10 V | ± 20V | 9575 PF @ 50 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFAF42 | 6.5000 | ![]() | 60 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-204AE | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AE | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 500 v | 7a | - | - | - | - | 125W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDW30C65D1XKSA1 | - | ![]() | 5607 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | PG-A247-3 | - | 2156-IDW30C65D1XKSA1 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 650 v | 15a | 1,7 V @ 15 A | 114 ns | 40 µA A 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRLU024Z | 0,4800 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 v | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 9.6a, 10V | 3V A 250µA | 9,9 nc @ 5 V | ± 16V | 380 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC20WPBF | - | ![]() | 6248 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Padrão | 60 w | TO-220AB | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-IRG4BC20WPBF-600047 | 1 | 480V, 6.5A, 50OHM, 15V | - | 600 v | 13 a | 52 a | 2.6V @ 15V, 6.5a | 60µJ (ON), 80µJ (Off) | 26 NC | 22ns/110ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4PH40UDPBF | - | ![]() | 4910 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 160 w | TO-247AC | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 800V, 21A, 10OHM, 15V | 63 ns | - | 1200 v | 41 a | 82 a | 3.1V @ 15V, 21a | 1,8MJ (ON), 1,93MJ (Desligado) | 86 NC | 46ns/97ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | Auill3705zs | 1.4700 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 v | 75a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 52a, 10V | 3V A 250µA | 60 nc @ 5 V | ± 16V | 2880 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR7746TRPBF | - | ![]() | 8932 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 176-lqfp | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 176-LQFP (24x24) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 75 v | 56a (TC) | 6V, 10V | 11.2mohm @ 35a, 10V | 3.7V @ 100µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 3107 PF @ 25 V | - | 99W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3802TRPBF | 1.0000 | ![]() | 9668 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 12 v | 84a (TC) | 2.8V, 4.5V | 8.5mohm @ 15a, 4.5V | 1.9V a 250µA | 41 nc @ 5 V | ± 12V | 2490 pf @ 6 V | - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS4410PBF | - | ![]() | 4835 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 v | 88a (TC) | 10mohm @ 58a, 10V | 4V A 150µA | 180 nc @ 10 V | ± 20V | 5150 PF @ 50 V | - | 200W (TC) |
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