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Produtos semicondutores discretos (1252)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tempo de recuperação reversa (trr)	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C
AUIRF3504-IR	-	Solicitação de cotação	4759	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	-	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado	2156-AUIRF3504-IR	EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		40 V	87A (Tc)		9,2mOhm a 52A, 10V	4 V a 100 µA	54 nC @ 10 V	±20V	2150 pF a 25 V	-	143W (Tc)
IRFSL4620PBF	1.0000	Solicitação de cotação	4772	Retificador Internacional	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (óxido metálico)		PARA-262	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50		Canal N		200 V	24A (Tc)	10V	77,5mOhm a 15A, 10V	5 V a 100 µA	38 nC @ 10 V	±20V	1710 pF a 50 V	-	144W (Tc)
AUIRF7799L2TR	-	Solicitação de cotação	5314	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	DirectFET™ Isométrico L8			MOSFET (óxido metálico)		DirectFET™ Isométrico L8	download						0000.00.0000	1		Canal N		250 V	375A (Tc)	10V	38mOhm @ 21A, 10V	5 V a 250 µA	165 nC @ 10 V	±30V	6714 pF a 25 V	-	4,3 W (Ta), 125 W (Tc)
IRGP4660DPBF	5.5600	Solicitação de cotação	4	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		330 W	TO-247AC	download					EAR99	8541.29.0095	54			400V, 48A, 10Ohm, 15V											115 ns	-	600 V	100A	144A	1,9V a 15V, 48A	625 µJ (ligado), 1,28 mJ (desligado)	140nC	60ns/145ns
IRG4IBC30WPBF	1.0000	Solicitação de cotação	5737	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3		padrão		45 W	Pacote completo TO-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 12A, 23Ohm, 15V												-	600 V	17A	92A	2,7V a 15V, 12A	130 µJ (ligado), 130 µJ (desligado)	51nC	25ns/99ns
IRFU4105ZPBF-IR	0,4200	Solicitação de cotação	10	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA			MOSFET (óxido metálico)		IPAK (TO-251AA)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		55V	30A (Tc)	10V	24,5mOhm a 18A, 10V	4 V a 250 µA	27 nC @ 10 V	±20V	740 pF a 25 V	-	48W (Tc)
IRGS4620DPBF	1.4300	Solicitação de cotação	30	Retificador Internacional	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		padrão		140 W	D2PAK	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50			400V, 12A, 22Ohm, 15V											68 ns	-	600 V	32A	36A	1,85V a 15V, 12A	75 µJ (ligado), 225 µJ (desligado)	25 nC	31ns/83ns
AUIRFS6535	-	Solicitação de cotação	9088	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO263-3	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		300V	19A (Tc)	10V	185mOhm @ 11A, 10V	5 V a 150 µA	57 nC @ 10 V	±20V	2340 pF a 25 V	-	210W (Tc)
IRLR8259PBF	-	Solicitação de cotação	7570	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	425		Canal N		25 V	57A (Tc)	4,5V, 10V	8,7mOhm a 21A, 10V	2,35 V a 25 µA	10 nC @ 4,5 V	±20V	900 pF a 13 V	-	48W (Tc)
IRLR7807ZTRPBF	-	Solicitação de cotação	8634	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	-	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		30 V	43A (Tc)	4,5V, 10V	13,8mOhm a 15A, 10V	2,25 V a 250 µA	11 nC @ 4,5 V	±20V	780 pF a 15 V	-	40W (Tc)
IRG4PC50FPBF	-	Solicitação de cotação	8716	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		200 W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 39A, 5Ohm, 15V												-	600 V	70A	280A	1,6V a 15V, 39A	370 µJ (ligado), 2,1 mJ (desligado)	190nC	31ns/240ns
IRGR2B60KDPBF	0,6800	Solicitação de cotação	4889	Retificador Internacional	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63		padrão		35 W	D-Pak	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	3.000			400V, 2A, 100Ohm, 15V											68 ns	TNP	600 V	6.3A	8A	2,25V a 15V, 2A	74 µJ (ligado), 39 µJ (desligado)	12nC	11ns/150ns
AUIRF9952QTR	0,5700	Solicitação de cotação	42	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	AUIRF9952		MOSFET (óxido metálico)	2W	8-SO	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	4.000	Canal N e P			30V	3,5A, 2,3A		100mOhm @ 2,2A, 10V	3 V a 250 µA	14nC @ 10V		190pF a 15V	Portão de nível lógico
AUIRGP50B60PD1	-	Solicitação de cotação	4598	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	AUIRG50	padrão		390 W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			390 V, 33 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns	TNP	600 V	75A	150A	2,85 V a 15 V, 50 A	255 µJ (ligado), 375 µJ (desligado)	308nC	30ns/130ns
IRG4PC40WPBF	-	Solicitação de cotação	9780	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		160W	TO-247AC	-	Não aplicável	3 (168 horas)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 20A, 10Ohm, 15V												-	600 V	40A	160A	2,5V a 15V, 20A	110 µJ (ligado), 230 µJ (desligado)	98nC	27ns/100ns
IRG8P15N120KDPBF	2.8000	Solicitação de cotação	6	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		125W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	0000.00.0000	1			600V, 10A, 10Ohm, 15V											60 ns	-	1200 V	30 A	30 A	2V a 15V, 10A	600 µJ (ligado), 600 µJ (desligado)	98nC	15ns/170ns
IRGP4760DPBF	3.8500	Solicitação de cotação	2	Retificador Internacional	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		325 W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25			400V, 48A, 10Ohm, 15V											170ns	-	650 V	90A	144A	2V a 15V, 48A	1,7mJ (ligado), 1mJ (desligado)	145nC	70ns/140ns
AUIRG4BC30S-S	1.6500	Solicitação de cotação	700	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	AUIRG4	padrão		100W	D2PAK	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-AUIRG4BC30S-S	EAR99	8541.29.0095	1			480V, 18A, 23Ohm, 15V												-	600 V	34A	68A	1,6V a 15V, 18A	260 µJ (ligado), 3,45 mJ (desligado)	50nC	22ns/540ns
AUIFR3607TRL	-	Solicitação de cotação	9129	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	AUIFR3607		MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		75V	56A (Tc)		9mOhm @ 46A, 10V	4 V a 100 µA	84 nC @ 10 V		3070 pF a 50 V	-	140W (Tc)
AUIRFS3207ZTRL	-	Solicitação de cotação	7809	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	86		Canal N		75V	120A (Tc)		4,1mOhm a 75A, 10V	4 V a 150 µA	170 nC @ 10 V		6.920 pF a 50 V	-	300W (Tc)
IRG4BC30W-STRLP	1.4400	Solicitação de cotação	3912	Retificador Internacional	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	IRG4BC30	padrão		100W	D2PAK	download	Não aplicável	3 (168 horas)	Fornecedor indefinido		EAR99	8542.39.0001	156			480V, 12A, 23Ohm, 15V												-	600 V	23A	92A	2,7V a 15V, 12A	130 µJ (ligado), 130 µJ (desligado)	51nC	25ns/99ns
IRGP20B120U-EP	1.0000	Solicitação de cotação	2518	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		300W	TO-247AD	-					EAR99	8542.39.0001	1			600V, 20A, 5Ohm, 15V												TNP	1200 V	40A	120A	4,85V a 15V, 40A	850 µJ (ligado), 425 µJ (desligado)	169nC	-
IRF7468TRPBF	1.0000	Solicitação de cotação	4547	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)		8-SO	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		40 V	9,4A (Ta)	4,5V, 10V	15,5mOhm @ 9,4A, 10V	2V @ 250µA	34 nC @ 4,5 V	±12V	2.460 pF a 20 V	-	2,5W (Ta)
TT190N16SOFHPSA2	-	Solicitação de cotação	5584	Retificador Internacional	*	Volume	Ativo									-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-TT190N16SOFHPSA2-600047			1
IRF1607PBF	-	Solicitação de cotação	1978	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		75V	142A (Tc)		7,5mOhm a 85A, 10V	4 V a 250 µA	320 nC @ 10 V	±20V	7750 pF a 25 V	-	380W (Tc)
IRFP4321PBF	-	Solicitação de cotação	6990	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3			MOSFET (óxido metálico)		TO-247AC	-						0000.00.0000	1		Canal N		150 V	78A (Tc)	10V	15,5mOhm a 33A, 10V	5 V a 250 µA	110 nC @ 10 V	±30V	4460 pF a 25 V	-	310W (Tc)
IRG4PC40UD-EPBF	-	Solicitação de cotação	9897	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		160W	TO-247AC	-	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 20A, 10Ohm, 15V											42 ns	-	600 V	40A	160A	2,1V a 15V, 20A	710 µJ (ligado), 350 µJ (desligado)	100nC	54ns/110ns
IRL3715ZPBF	-	Solicitação de cotação	2997	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	46		Canal N		20 V	50A (Tc)	4,5V, 10V	11mOhm @ 15A, 10V	2,55 V a 250 µA	11 nC @ 4,5 V	±20V	870 pF a 10 V	-	45W (Tc)
IRLH7134TRPBF	-	Solicitação de cotação	4707	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície, flanco molhável	8-PowerVDFN			MOSFET (óxido metálico)		PG-TDSON-8-10	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	4.000		Canal N		40 V	26A (Ta), 50A (Tc)		3,3mOhm a 50A, 10V	2,5 V a 100 µA	58 nC @ 4,5 V	±16V	3720 pF a 25 V	-	3,6 W (Ta), 104 W (Tc)
IRF7807VTPPBF	-	Solicitação de cotação	4494	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)		8-SO	download					EAR99	8542.39.0001	1		Canal N		30 V	8,3A (Ta)	4,5V	25mOhm @ 7A, 4,5V	3 V a 250 µA	14 nC @ 5 V	±20V		-	2,5W (Ta)