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Produtos semicondutores discretos (1252)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Tipo FET | Condição de teste | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tempo de recuperação reversa (trr) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRG4PSC71UDPBF | - |  | 1583 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-274AA | padrão | 350 W | SUPER-247™ (TO-274AA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 60A, 5Ohm, 15V | 82 ns | - | 600 V | 85A | 200A | 2V a 15V, 60A | 3,26mJ (ligado), 2,27mJ (desligado) | 340nC | 90ns/245ns | |||||||||||||||
 | IRFBA90N20DPBF | - | | 5308 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-273AA | MOSFET (óxido metálico) | SUPER-220™ (TO-273AA) | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 200 V | 98A (Tc) | 10V | 23mOhm @ 59A, 10V | 5 V a 250 µA | 240 nC @ 10 V | ±30V | 6080 pF a 25 V | - | 650W (Tc) | |||||||||||||||
| IRLU3915PBF | - | | 5458 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | IPAK (TO-251) | - | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55V | 30A (Tc) | 5V, 10V | 14mOhm a 30A, 10V | 3 V a 250 µA | 92 nC @ 10 V | ±16V | 1870 pF a 25 V | - | 120W (Tc) | |||||||||||||||
 | AUILR024NTRL | 0,6000 | | 75 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | Canal N | 55V | 17A (Tc) | 4V, 10V | 65mOhm @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 15 nC @ 5 V | ±16V | 480 pF a 25 V | - | 45W (Tc) | |||||||||||||||
| AUIRFS8403TRR | 1.4500 | | 800 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 800 | Canal N | 40 V | 123A (Tc) | 3,3mOhm a 70A, 10V | 3,9 V a 100 µA | 93 nC @ 10 V | ±20V | 3183 pF a 25 V | - | 99W (Tc) | ||||||||||||||||
 | AUIRFB8407 | 1.0000 | | 8848 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 2mOhm @ 100A, 10V | 4 V a 150 µA | 225 nC @ 10 V | ±20V | 7330 pF a 25 V | - | 230W (Tc) | ||||||||||||||||||
| AUIRFB8405 | 3.2300 | | 1 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 93 | Canal N | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 2,5mOhm a 100A, 10V | 3,9 V a 100 µA | 161 nC @ 10 V | ±20V | 5193 pF a 25 V | - | 163W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | IRGP4063D-EPBF | - | | 9796 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IRGP4063D | padrão | 330 W | TO-247AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 48A, 10Ohm, 15V | 115 ns | Trincheira | 600 V | 96A | 200A | 2,14V a 15V, 48A | 625 µJ (ligado), 1,28 mJ (desligado) | 140nC | 60ns/145ns | ||||||||||||||
| IRFF9233 | 1.6200 | | 289 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | - | Através do furo | Lata de metal TO-205AF | MOSFET (óxido metálico) | TO-205AF (TO-39) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 0000.00.0000 | 185 | Canal N | 150 V | 3,5A | - | - | - | - | - | 25W | |||||||||||||||||
 | IRFH7194TRPBF | - | | 5509 | 0,00000000 | Retificador Internacional | FASTIRFET™, HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-PQFN (5x6) | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 11A (Ta), 35A (Tc) | 10V | 16,4mOhm a 21A, 10V | 3,6 V a 50 µA | 19 nC @ 10 V | ±20V | 733 pF a 50 V | - | 3,6 W (Ta), 39 W (Tc) | |||||||||||||||
| AUIRFSL8409 | - | | 5126 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-262-3 Cabos Curtos, I²Pak | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 1,2mOhm a 100A, 10V | 3,9 V a 250 µA | 450 nC @ 10 V | ±20V | 14240 pF a 25 V | - | 375W (Tc) | ||||||||||||||||||
| IRFP048NPBF | 0,7100 | | 38 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55V | 64A (Tc) | 10V | 16mOhm a 37A, 10V | 4 V a 250 µA | 89 nC @ 10 V | ±20V | 1900 pF a 25 V | - | 140W (Tc) | |||||||||||||||
| AUIRFP1405-IR | - | | 8161 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-AUIRFP1405-IR | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR3114ZPBF | 1.0000 | | 2739 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 42A (Tc) | 4,5V, 10V | 4,9mOhm a 42A, 10V | 2,5 V a 100 µA | 56 nC @ 4,5 V | ±16V | 3810 pF a 25 V | - | 140W (Tc) | |||||||||||||||
| IRLR8721TRPBF-IR | - | | 2961 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 2.000 | Canal N | 30 V | 65A (Tj) | 4,5V, 10V | 8,4mOhm a 25A, 10V | 2,35 V a 25 µA | 13 nC @ 4,5 V | ±20V | 1030 pF a 15 V | - | 65W (Tc) | |||||||||||||||
 | IRG4BC30S-STRLP | 1.2300 | | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | padrão | 100W | D2PAK | download | Não aplicável | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 480V, 18A, 23Ohm, 15V | - | 600 V | 34A | 68A | 1,6V a 15V, 18A | 260 µJ (ligado), 3,45 mJ (desligado) | 50nC | 22ns/540ns | ||||||||||||||||||
 | IRGP4740D-EPBF | 2.5700 | | 5 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 250W | TO-247AD | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 24A, 10Ohm, 15V | 170ns | - | 650 V | 60A | 72A | 2V a 15V, 24A | 520 µJ (ligado), 240 µJ (desligado) | 70nC | 24ns/73ns | |||||||||||||||
| IRG4BC30UPBF | 1.3900 | | 441 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | padrão | 100W | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 12A, 23Ohm, 15V | - | 600 V | 23A | 92A | 2,1V a 15V, 12A | 160 µJ (ligado), 200 µJ (desligado) | 50nC | 17ns/78ns | ||||||||||||||||
| IRFS31N20DTRLP | - | | 8207 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 200 V | 31A (Tc) | 10V | 82mOhm @ 18A, 10V | 5,5 V a 250 µA | 107 nC @ 10 V | ±30V | 2370 pF a 25 V | - | 3,1 W (Ta), 200 W (Tc) | |||||||||||||||
| IRGB6B60KPBF | 1.0000 | | 3558 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | padrão | 90W | PARA-220AB | - | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 5A, 100Ohm, 15V | TNP | 600 V | 13A | 26A | 2,2V a 15V, 5A | 110 µJ (ligado), 135 µJ (desligado) | 18,2nC | 25ns/215ns | ||||||||||||||||
 | IRFL014NPBF | - | | 5455 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (óxido metálico) | SOT-223 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55V | 1,9A (Ta) | 160mOhm @ 1,9A, 10V | 4 V a 250 µA | 11 nC @ 10 V | ±20V | 190 pF a 25 V | - | 1W (Ta) | ||||||||||||||||
| IRG7PH28UD1PBF | 2.0300 | | 7 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 115W | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 15A, 22Ohm, 15V | Trincheira | 1200 V | 30 A | 100A | 2,3V a 15V, 15A | 543 µJ (desligado) | 90nC | -/229ns | ||||||||||||||||
| IRFB3006GPBF | - | | 5939 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 60 V | 195A (Tc) | 10V | 2,5mOhm a 170A, 10V | 4 V a 250 µA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 8.970 pF a 50 V | - | 375W (Tc) | ||||||||||||||||||
| IRL3103STRLPBF | 1.0000 | | 9926 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 30 V | 64A (Tc) | 4,5V, 10V | 12mOhm @ 34A, 10V | 1V @ 250µA | 33 nC @ 4,5 V | ±16V | 1650 pF a 25 V | - | 94W (Tc) | |||||||||||||||
| AUIRLS3034TRL | 2.6100 | | 23 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 800 | Canal N | 40 V | 195A (Tc) | 1,7mOhm a 195A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 162 nC @ 4,5 V | 10315 pF a 25 V | - | 375W (Tc) | |||||||||||||||||
 | IRF322 | 1.0000 | | 6118 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | - | Através do furo | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-204AA (TO-3) | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 400 V | 2,8A | - | - | - | - | - | 50W | ||||||||||||||||||||
 | IRFR1205PBF | - | | 7675 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55V | 44A (Tc) | 10V | 27mOhm @ 26A, 10V | 4 V a 250 µA | 65 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF a 25 V | - | 107W (Tc) | |||||||||||||||
 | IRFR120NPBF | - | | 8749 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 100V | 9,4A (Tc) | 10V | 210mOhm @ 5,6A, 10V | 4 V a 250 µA | 25 nC @ 10 V | ±20V | 330 pF a 25 V | - | 48W (Tc) | |||||||||||||||||
| IRF3710ZSPBF | 1.0000 | | 7340 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 59A (Tc) | 10V | 18mOhm a 35A, 10V | 4 V a 250 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 2.900 pF a 25 V | - | 160W (Tc) | |||||||||||||||
| IRAMS10UP60B | 1.0000 | | 9783 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 2156-IRAMS10UP60B-600047 | 1 |
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