- Solicitação de cotação
- BOM
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- amárico
- Armênio
- Azerbaijano
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- filipino
- finlandês
- Frísio
- Galego
- Georgiano
- Guzerate
- haitiano
- Hauçá
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Ibo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Quirguistão
- Latim
- letão
- lituano
- Luxemburgo..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- nepalês
- norueguês
- pashto
- persa
- punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Cingalês
- Eslovaco
- esloveno
- somali
- samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindi
- Sudanês
- suaíli
- tadjique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Usbeque
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- iídiche
- Iorubá
- zulu
- Kinyarwanda
- tártaro
- Oriá
- turcomano
- Uigur
Produtos semicondutores discretos (1252)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Velocidade | Tipo FET | Condição de teste | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRFS8408-7P | - |  | 4693 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 195A (Tc) | 1,6mOhm a 100A, 10V | 3,9 V a 250 µA | 324 nC @ 10 V | ±20V | 10820 pF a 25 V | - | 294W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRFS59N10DPBF | - | | 9071 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 59A (Tc) | 10V | 25mOhm a 35,4A, 10V | 5,5 V a 250 µA | 114 nC @ 10 V | ±30V | 2.450 pF a 25 V | - | 3,8 W (Ta), 200 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
 | IRLML2402GTPPBF | - | | 7259 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | Micro3™/SOT-23 | download | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 20 V | 1,2A (Ta) | 2,7 V, 4,5 V | 250mOhm a 930mA, 4,5V | 700mV a 250µA (mín.) | 3,9 nC @ 4,5 V | ±12V | 110 pF a 15 V | - | 540 mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRG7PH46U-EP | 5.6600 | | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 469 W | TO-247AD | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 600V, 40A, 10Ohm, 15V | Trincheira | 1200 V | 130A | 160A | 2V a 15V, 40A | 2,56mJ (ligado), 1,78mJ (desligado) | 220nC | 45ns/410ns | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRFB59N10DPBF | - | | 3065 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 59A (Tc) | 10V | 25mOhm a 35,4A, 10V | 5,5 V a 250 µA | 114 nC @ 10 V | ±30V | 2.450 pF a 25 V | - | 3,8 W (Ta), 200 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
 | IRGP4062DPBF | 1.0000 | | 5593 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | REACH não afetado | 2156-IRGP4062DPBF-600047 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH5255TRPBF | 0,4900 | | 4 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-PQFN (5x6) | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 4.000 | Canal N | 25 V | 15A (Ta), 51A (Tc) | 6mOhm @ 15A, 10V | 2,35 V a 25 µA | 14,5 nC @ 10 V | ±20V | 988 pF a 13 V | - | 3,6 W (Ta), 26 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRF7307PBF | - | | 1986 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IRF73 | MOSFET (óxido metálico) | 2W | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N e P | 20V | 5,2A, 4,3A | 50mOhm @ 2,6A, 4,5V | 700mV @ 250µA | 20nC a 4,5V | 660pF a 15V | Portão de nível lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | IRFS7430-7PPBF | - | | 5335 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, StrongIRFET™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia) | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK (7 derivações) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 240A (Tc) | 6V, 10V | 0,75mOhm a 100A, 10V | 3,9 V a 250 µA | 460 nC @ 10 V | ±20V | 13975 pF a 25 V | - | 375W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
| HFA15TB60PBF | - | | 7013 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFRED® | Volume | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | padrão | TO-220AC | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,7 V a 15 A | 60 ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 15A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7188TRPBF | 1.0000 | | 6046 | 0,00000000 | Retificador Internacional | FASTIRFET™, HEXFET® | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | MOSFET (óxido metálico) | PQFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal N | 100V | 18A (Ta), 105A (Tc) | 10V | 6mOhm a 50A, 10V | 3,9 V a 150 µA | 50 nC @ 10 V | ±20V | 2116 pF a 50 V | - | 3,8 W (Ta), 132 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRF6665TRPBF | 0,5600 | | 49 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SH Isométrico DirectFET™ | MOSFET (óxido metálico) | DIRECTFET™ SH | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 100V | 4,2A (Ta), 19A (Tc) | 10V | 62mOhm @ 5A, 10V | 5 V a 250 µA | 13 nC @ 10 V | ±20V | 530 pF a 25 V | - | 2,2 W (Ta), 42 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRFSL7437PBF | 1.0000 | | 4848 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, StrongIRFET™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 40 V | 195A (Tc) | 6V, 10V | 1,8mOhm a 100A, 10V | 3,9 V a 150 µA | 225 nC @ 10 V | ±20V | 7330 pF a 25 V | - | 230W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRGS4615DPBF | 1.2700 | | 711 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | padrão | 99 W | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 236 | 400V, 8A, 47Ohm, 15V | 60 ns | - | 600 V | 23A | 24A | 1,85V a 15V, 8A | 70 µJ (ligado), 145 µJ (desligado) | 19 nC | 30ns/95ns | |||||||||||||||||||||||||
 | IRF3205PBF | - | | 4291 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Não aplicável | REACH não afetado | 2156-IRF3205PBF-600047 | 1 | Canal N | 55V | 110A (Tc) | 10V | 8mOhm @ 62A, 10V | 4 V a 250 µA | 146 nC @ 10 V | ±20V | 3247 pF a 25 V | - | 200W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRLL024ZPBF | - | | 3174 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (óxido metálico) | SOT-223 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55V | 5A (Tc) | 4,5V, 10V | 60mOhm @ 3A, 10V | 3 V a 250 µA | 11 nC @ 5 V | ±16V | 380 pF a 25 V | - | 1W (Ta) | |||||||||||||||||||||||
 | IRFAE20 | - | | 4779 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | - | Através do furo | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-204AA (TO-3) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 12 | Canal N | 800V | 1,8A | - | - | - | - | - | 50W | |||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC30KD-SPBF | - | | 1669 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IRG4BC30KD-SPBF | padrão | 100W | D2PAK | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 16A, 23Ohm, 15V | 42 ns | - | 600 V | 28A | 56A | 2,7V a 15V, 16A | 600 µJ (ligado), 580 µJ (desligado) | 67nC | 60ns/160ns | ||||||||||||||||||||||
| AUIRFZ44VZSTRL | 1.0400 | | 8302 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 60 V | 57A (Tc) | 10V | 12mOhm @ 34A, 10V | 4 V a 250 µA | 65 nC @ 10 V | ±20V | 1690 pF a 25 V | - | 92W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | - | | 8476 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | PQFN (5x6) Matriz Única | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 30 V | 35A (Ta), 100A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,85mOhm a 50A, 10V | 2,35 V a 100 µA | 77 nC @ 10 V | ±20V | 5114 pF a 15 V | - | 3,6 W (Ta), 110 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7470PBF | 0,3600 | | 3088 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.800 | Canal N | 40 V | 10A (Ta) | 2,8V, 10V | 13mOhm @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 44 nC @ 4,5 V | ±12V | 3430 pF a 20 V | - | 2,5W (Ta) | |||||||||||||||||||||||||
| IRLR2908PBF | - | | 3616 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 80 V | 30A (Tc) | 4,5V, 10V | 28mOhm @ 23A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 33 nC @ 4,5 V | ±16V | 1890 pF a 25 V | - | 120W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
 | IRLU3636PBF | 1.0800 | | 1 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | I-PAK | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 277 | Canal N | 60 V | 50A (Tc) | 4,5V, 10V | 6,8mOhm a 50A, 10V | 2,5 V a 100 µA | 49 nC @ 4,5 V | ±16V | 3779 pF a 50 V | - | 143W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
| AUIRFZ44Z | 0,8300 | | 1 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55V | 51A (Tc) | 10V | 13,9mOhm a 31A, 10V | 4 V a 250 µA | 43 nC @ 10 V | ±20V | 1420 pF a 25 V | - | 80W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
| IKFW60N60DH3EXKSA1 | - | | 2200 | 0,00000000 | Retificador Internacional | TRENCHSTOP® | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 141W | PG-TO247-3-AI | - | RoHS não compatível | Fornecedor indefinido | 2156-IKFW60N60DH3EXKSA1-600047 | 1 | 400V, 50A, 7Ohm, 15V | 68 ns | Parada de campo de trincheira | 600 V | 53A | 150A | 2,7 V a 15 V, 50 A | 1,57mJ (ligado), 720µJ (desligado) | 210nC | 23ns/170ns | |||||||||||||||||||||||||
| IRLS4030-7PPBF | - | | 9664 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK (7 derivações) | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 190A (Tc) | 4,5V, 10V | 3,9mOhm a 110A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 140 nC @ 4,5 V | ±16V | 11490 pF a 50 V | - | 370W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
 | IRFR7740PBF | - | | 5820 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 75V | 87A (Tc) | 7,2mOhm a 52A, 10V | 3,7 V a 100 µA | 126 nC @ 10 V | ±20V | 4430 pF a 25 V | - | 140W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
| AUIRGP4066D1-E | - | | 6886 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 454 W | TO-247AD | - | RoHS não compatível | Fornecedor indefinido | 2156-AUIRGP4066D1-E-600047 | 1 | 400V, 75A, 10Ohm, 15V | 240ns | Trincheira | 600 V | 140A | 225A | 2,1V a 15V, 75A | 4,24mJ (ligado), 2,17mJ (desligado) | 225nC | 50ns/200ns | |||||||||||||||||||||||||
| IRGR2B60KDTRLPBF | - | | 5148 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IRGR2B60 | padrão | 35 W | D-Pak | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 2A, 100Ohm, 15V | 68 ns | TNP | 600 V | 6.3A | 8A | 2,25V a 15V, 2A | 74 µJ (ligado), 39 µJ (desligado) | 12nC | 11ns/150ns | ||||||||||||||||||||||
 | IRF7307QTRPBF | - | | 1961 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IRF73 | MOSFET (óxido metálico) | 2W | 8-SO | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N e P | 20V | 5,2A, 4,3A | 50mOhm @ 2,6A, 4,5V | 700mV @ 250µA | 20nC a 4,5V | 660pF a 15V | Portão de nível lógico |
Mais de 2.000
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
Fabricantes mundiais
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)