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Produtos semicondutores discretos (1252)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Atual – Máx.	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tempo de recuperação reversa (trr)	Capacitância @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Máx.)	Resistência @ Se, F
IRGP50B60PD1PBF	1.0000	Solicitação de cotação	4039	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		390 W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1				390 V, 33 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns		TNP	600V	75A	150A	2,85 V a 15 V, 50 A	255 µJ (ligado), 375 µJ (desligado)	308nC	30ns/130ns
AUIRF3805L-7P	-	Solicitação de cotação	4859	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-262-7			MOSFET (óxido metálico)		PARA-262	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N			55 V	160A (Tc)	10V	2,6mOhm a 140A, 10V	4 V a 250 µA	200 nC @ 10 V	±20V	7820 pF a 25 V	-	300W (Tc)
IRGP4630D-EPBF	-	Solicitação de cotação	6933	Retificador Internacional	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		206W	TO-247AD	-	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25				400V, 18A, 22Ohm, 15V											100 ns		-	600V	47A	54A	1,95V a 15V, 18A	95 µJ (ligado), 350 µJ (desligado)	35nC	40ns/105ns
IRGP35B60PD-EP	-	Solicitação de cotação	2350	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		308 W	TO-247AD	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	1				390 V, 22 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns		TNP	600V	60A	120A	2,55V a 15V, 35A	220 µJ (ligado), 215 µJ (desligado)	160nC	26ns/110ns
IRGP4066PBF	1.0000	Solicitação de cotação	2016	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		454W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1				400V, 75A, 10Ohm, 15V													Trincheira	600V	140A	225A	2,1V a 15V, 75A	2.465mJ (ligado), 2.155mJ (desligado)	225nC	50ns/200ns
IRGB4064DPBF	1.0000	Solicitação de cotação	2151	Retificador Internacional	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		101W	PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50				400V, 10A, 22Ohm, 15V											62 ns		Trincheira	600V	20 A	40A	1,91V a 15V, 10A	29 µJ (ligado), 200 µJ (desligado)	32nC	27ns/79ns
IRLL014NPBF	-	Solicitação de cotação	6401	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (óxido metálico)		SOT-223	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH afetado		EAR99	0000.00.0000	234		Canal N			55 V	2A (Ta)		140mOhm @ 2A, 10V	2V @ 250µA	14 nC @ 10 V	±16V	230 pF a 25 V	-	1W (Ta)
IRAMS10UP60B	1.0000	Solicitação de cotação	9783	Retificador Internacional	*	Volume	Ativo									download		Fornecedor indefinido	Fornecedor indefinido	2156-IRAMS10UP60B-600047			1
AUIRF2804STRL7P	-	Solicitação de cotação	3280	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK (7 derivações)	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N			40 V	240A (Tc)	10V	1,6mOhm a 160A, 10V	4 V a 250 µA	260 nC @ 10 V	±20V	6.930 pF a 25 V	-	330W (Tc)
AUIRL3705ZSTRL	1.7800	Solicitação de cotação	13	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N			55 V	75A (Tc)		8mOhm @ 52A, 10V	3 V a 250 µA	60 nC @ 5 V		2880 pF a 25 V	-	130W (Tc)
IRF9231	1.0000	Solicitação de cotação	3706	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-	Através do furo	TO-204AA, TO-3			MOSFET (óxido metálico)		TO-204AA (TO-3)	download					EAR99	8542.39.0001	1		Canal P			150 V	6,5A	-	-	-		-		-	75W
IRF8736PBF	-	Solicitação de cotação	6310	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)		8-SO	-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N			30 V	18A (Ta)	4,5V, 10V	4,8mOhm a 18A, 10V	2,35 V a 50 µA	26 nC @ 4,5 V	±20V	2315 pF a 15 V	-	2,5W (Ta)
AUIFR2905Z	0,7900	Solicitação de cotação	4	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download					EAR99	8541.29.0095	380		Canal N			55 V	42A (Tc)	10V	14,5mOhm a 36A, 10V	4 V a 250 µA	44 nC @ 10 V	±20V	1380 pF a 25 V	-	110W (Tc)
IRG4PC40UD-EPBF	-	Solicitação de cotação	9897	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		160 W	TO-247AC	-	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1				480V, 20A, 10Ohm, 15V											42 ns		-	600V	40A	160A	2,1V a 15V, 20A	710 µJ (ligado), 350 µJ (desligado)	100nC	54ns/110ns
IRF7311PBF	0,2900	Solicitação de cotação	6902	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	IRF731		MOSFET (óxido metálico)	2W	8-SO	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	40	2 canais N (duplo)				20V	6,6A		29mOhm @ 6A, 4,5V	700mV @ 250µA	27nC a 4,5V		900pF a 15V	Portão de nível lógico
IRGS14C40LPBF	1.0000	Solicitação de cotação	3821	Retificador Internacional	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		Lógica		125W	D2PAK	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	1.000				-													-	430V	20 A		1,75V a 5V, 14A	-	27 nC	900ns/6µs
BA89202VH6327XTSA1	-	Solicitação de cotação	4995	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	150°C (TJ)		SC-79, SOD-523	BA892				PG-SC79-2	-	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0060	3.000			100 mA													1,1pF a 3V, 1MHz									Padrão - Único	35V	500mOhm @ 10mA, 100MHz
AUIRFZ44V	0,8900	Solicitação de cotação	10	Retificador Internacional	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50		Canal N			60 V	55A (Tc)		16,5mOhm a 31A, 10V	4 V a 250 µA	67 nC @ 10 V		1812 pF a 25 V	-	115W (Tc)
IRLR7833PBF	0,5600	Solicitação de cotação	4068	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download					EAR99	8542.39.0001	152		Canal N			30 V	140A (Tc)	4,5V, 10V	4,5mOhm a 15A, 10V	2,3 V a 250 µA	50 nC @ 4,5 V	±20V	4010 pF a 15 V	-	140W (Tc)
IRF234	1.0100	Solicitação de cotação	789	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-	Através do furo	TO-204AA, TO-3			MOSFET (óxido metálico)		TO-204AA (TO-3)	download	RoHS não compatível	3 (168 horas)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N			250 V	8.4A	-	-	-		-		-	74W
AUIRF4104	0,8400	Solicitação de cotação	21	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO-251-3-21	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N			40 V	42A (Tc)		5,5mOhm a 42A, 10V	4 V a 250 µA	89 nC @ 10 V	±20V	2.950 pF a 25 V	-	140W (Tc)
IRG4PC30KPBF	1.6700	Solicitação de cotação	6	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		100 W	TO-247AC	download					EAR99	8542.39.0001	1				480V, 16A, 23Ohm, 15V													-	600V	28A	58A	2,7V a 15V, 16A	360 µJ (ligado), 510 µJ (desligado)	67nC	26ns/130ns
AUIRF3205ZS	1.1700	Solicitação de cotação	1	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download					EAR99	8541.29.0095	257		Canal N			55 V	75A (Tc)	10V	6,5mOhm a 66A, 10V	4 V a 250 µA	110 nC @ 10 V	±20V	3450 pF a 25 V	-	170W (Tc)
AUIRF3504	0,9400	Solicitação de cotação	12	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N			40 V	87A (Tc)	10V	9,2mOhm a 52A, 10V	4 V a 100 µA	54 nC @ 10 V	±20V	2150 pF a 25 V	-	143W (Tc)
IRF7204PBF	-	Solicitação de cotação	7798	Retificador Internacional	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)		8-SO	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	3.800		Canal P			20 V	5,3A (Ta)		60mOhm @ 5,3A, 10V	2,5 V a 250 µA	25 nC @ 10 V	±12V	860 pF a 10 V	-	2,5W (Tc)
IRG4RC10SDTRPBF-IR	-	Solicitação de cotação	6719	Retificador Internacional	*	Volume	Ativo									-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1
AUIRFS3607TRL	2.0700	Solicitação de cotação	15	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		PG-TO263-3	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N			75 V	80A (Tc)	10V	9mOhm @ 46A, 10V	4 V a 100 µA	84 nC @ 10 V	±20V	3070 pF a 50 V	-	140W (Tc)
64-2084PBF	-	Solicitação de cotação	8.500	Retificador Internacional	*	Volume	Ativo									-						0000.00.0000	1
IRFS3006TRL7PP	1.0000	Solicitação de cotação	4778	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK (7 derivações)	download					EAR99	8542.39.0001	1		Canal N			60 V	240A (Tc)	10V	2,1mOhm a 168A, 10V	4 V a 250 µA	300 nC @ 10 V	±20V	8.850 pF a 50 V	-	375W (Tc)
AUIRL1404STRL	1.7900	Solicitação de cotação	820	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		D-PAK (TO-252AA)	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N			40 V	160A (Tc)	4,3V, 10V	4mOhm @ 95A, 10V	3 V a 250 µA	140 nC @ 5 V	±20V	6600 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)