- Solicitação de cotação
- BOM
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- amárico
- Armênio
- Azerbaijano
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- filipino
- finlandês
- Frísio
- Galego
- Georgiano
- Guzerate
- haitiano
- Hauçá
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Ibo
- javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Quirguistão
- Latim
- letão
- lituano
- Luxemburgo..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- nepalês
- norueguês
- pashto
- persa
- punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Cingalês
- Eslovaco
- esloveno
- somali
- samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindi
- Sudanês
- suaíli
- tadjique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Usbeque
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- iídiche
- Iorubá
- zulu
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriá
- turcomano
- Uigur
Produtos semicondutores discretos (1252)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tipo FET | Condição de teste | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRG4PC40UPBF | - |  | 3744 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 160 W | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 20A, 10Ohm, 15V | - | 600 V | 40A | 160A | 2,1V a 15V, 20A | 320 µJ (ligado), 350 µJ (desligado) | 150nC | 34ns/110ns | |||||||||||||||||||||||
 | IRF3205STRLPBF | - | | 3175 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55 V | 110A (Tc) | 10V | 8mOhm @ 62A, 10V | 4 V a 250 µA | 146 nC @ 10 V | ±20V | 3247 pF a 25 V | - | 200W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRGP66524D0-IR | 4.2600 | | 1 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | AUIRGP66524 | padrão | 214 W | TO-247AC | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 77 | 400V, 24A, 10Ohm, 15V | 176 ns | Trincheira | 600 V | 60A | 72A | 1,9V a 15V, 24A | 915 µJ (ligado), 280 µJ (desligado) | 50nC | 30ns/75ns | |||||||||||||||||||||
 | IRGP4078DPBF | 2.7900 | | 800 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 278 W | TO-247AC | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 50A, 10Ohm, 15V | Trincheira | 600 V | 74A | 150A | 2,2 V a 15 V, 50 A | 1,1mJ (desligado) | 92nC | -/116ns | ||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRGP4066D1-IR | 8.2000 | | 445 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | AUIRGP4066 | padrão | 454W | TO-247AC | - | Não aplicável | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 75A, 10Ohm, 15V | 240ns | Trincheira | 600 V | 140A | 225A | 2,1V a 15V, 75A | 4,24mJ (ligado), 2,17mJ (desligado) | 225nC | 50ns/200ns | |||||||||||||||||||||
| IRF60B217 | 0,7000 | | 4 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO220-3-1 | download | RoHS não compatível | Fornecedor indefinido | 2156-IRF60B217 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 60 V | 60A (Tc) | 6V, 10V | 9mOhm @ 36A, 10V | 3,7 V a 50 µA | 66 nC @ 10 V | ±20V | 2230 pF a 25 V | - | 83W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
 | IRGS4640DPBF | 2.4300 | | 244 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | padrão | 250W | D2PAK | - | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 24A, 10Ohm, 15V | 89 ns | - | 600 V | 65A | 72A | 1,9V a 15V, 24A | 115 µJ (ligado), 600 µJ (desligado) | 75nC | 41ns/104ns | ||||||||||||||||||||||
| IRG4PC50F-EPBF | 1.0000 | | 5655 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 200 W | TO-247AD | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 39A, 5Ohm, 15V | - | 600 V | 70A | 280A | 1,6V a 15V, 39A | 370 µJ (ligado), 2,1 mJ (desligado) | 190nC | 31ns/240ns | |||||||||||||||||||||||
| AUIRLS4030TRL | - | | 9910 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 100V | 180A (Tc) | 4,5V, 10V | 4,3mOhm a 110A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 130 nC @ 4,5 V | ±16V | 11360 pF a 50 V | - | 370W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| IRG4PC30UDPBF-IR | - | | 8288 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 100W | TO-247AC | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 12A, 23Ohm, 15V | 42 ns | - | 600 V | 23A | 92A | 2,1V a 15V, 12A | 380 µJ (ligado), 160 µJ (desligado) | 75nC | 40ns/91ns | ||||||||||||||||||||||
 | IRF3007PBF | - | | 2011 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRF3007 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 75 V | 75A (Tc) | 10V | 12,6mOhm a 48A, 10V | 4 V a 250 µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 3270 pF a 25 V | - | 200W (Tc) | |||||||||||||||||||||
 | IRF40H210 | - | | 9970 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, StrongIRFET™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | 8-PQFN (5x6) | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 40 V | 100A (Tc) | 6V, 10V | 1,7mOhm a 100A, 10V | 3,7 V a 150 µA | 152 nC @ 10 V | ±20V | 5406 pF a 25 V | - | 125W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| IRGS4B60KD1PBF | - | | 2030 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | padrão | 63 W | D2PAK | - | RoHS não compatível | Fornecedor indefinido | 2156-IRGS4B60KD1PBF-600047 | 1 | 400V, 4A, 100Ohm, 15V | 93 ns | TNP | 600 V | 11A | 22A | 2,5V a 15V, 4A | 73 µJ (ligado), 47 µJ (desligado) | 12nC | 22ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||
| HFA15PB60PBF | - | | 1807 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFRED® | Volume | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | padrão | TO-247AC modificado | download | 0000.00.0000 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,7 V a 15 A | 60 ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 15A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRF1405ZL | 1.6300 | | 1 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55 V | 150A (Tc) | 10V | 4,9mOhm a 75A, 10V | 4 V a 250 µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 4780 pF a 25 V | - | 230W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| IRG7PH30K10DPBF | 1.0000 | | 4174 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 180W | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 9A, 22Ohm, 15V | 140ns | Trincheira | 1200 V | 30 A | 27A | 2,35V a 15V, 9A | 530 µJ (ligado), 380 µJ (desligado) | 45nC | 14ns/110ns | ||||||||||||||||||||||
| IRG7PH42U-EP | 3.4600 | | 12 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IRG7PH42 | padrão | 385W | TO-247AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 30A, 10Ohm, 15V | 153 ns | Trincheira | 1200 V | 90A | 90A | 2V a 15V, 30A | 2,11mJ (ligado), 1,18mJ (desligado) | 157nC | 25ns/229ns | |||||||||||||||||||||
| AUILR120N | 1.0000 | | 5093 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-PAK (TO-252AA) | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 10A (Tc) | 4V, 10V | 185mOhm @ 6A, 10V | 2V @ 250µA | 20 nC @ 5 V | ±16V | 440 pF a 25 V | - | 48W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
 | IRF2907ZSPBF | 1.0000 | | 7565 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 75 V | 160A (Tc) | 4,5mOhm a 75A, 10V | 4 V a 250 µA | 270 nC @ 10 V | ±20V | 7.500 pF a 25 V | - | 300W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
| IRFS3006PBF | - | | 1153 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 60 V | 195A (Tc) | 10V | 2,5mOhm a 170A, 10V | 4 V a 250 µA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 8.970 pF a 50 V | - | 375W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
| IRG4PC40SPBF | 1.0000 | | 1975 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 160 W | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 31A, 10Ohm, 15V | - | 600 V | 60A | 120A | 1,5V a 15V, 31A | 450 µJ (ligado), 6,5 mJ (desligado) | 100nC | 22ns/650ns | |||||||||||||||||||||||
| IRGP4630DPBF | 1.0000 | | 8266 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 206 W | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 18A, 22Ohm, 15V | 100 ns | - | 600 V | 47A | 54A | 1,95V a 15V, 18A | 95 µJ (ligado), 350 µJ (desligado) | 35nC | 40ns/105ns | ||||||||||||||||||||||||
| IRLR7807ZPBF | - | | 4293 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 30 V | 43A (Tc) | 4,5V, 10V | 13,8mOhm a 15A, 10V | 2,25 V a 250 µA | 11 nC @ 4,5 V | ±20V | 780 pF a 15 V | - | 40W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
| AUIRFSL6535 | 1.5600 | | 13 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO262-3-901 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 300V | 19A (Tc) | 10V | 185mOhm @ 11A, 10V | 5 V a 150 µA | 57 nC @ 10 V | ±20V | 2340 pF a 25 V | - | 210W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC20UDSTRRP | 1.5900 | | 5 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | padrão | 60W | D2PAK | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 480V, 6,5A, 50Ohm, 15V | 37 ns | - | 600 V | 13A | 52A | 2,1 V a 15 V, 6,5 A | 160 µJ (ligado), 130 µJ (desligado) | 27 nC | 39ns/93ns | ||||||||||||||||||||||
| IRLU2905ZPBF | - | | 3101 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | IPAK (TO-251) | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55 V | 42A (Tc) | 4,5V, 10V | 13,5mOhm a 36A, 10V | 3 V a 250 µA | 35 nC @ 5 V | ±16V | 1570 pF a 25 V | - | 110W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
| IRG8P40N120KDEPB | 4.6400 | | 100 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRFS8409TRL | - | | 3374 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 1,2mOhm a 100A, 10V | 3,9 V a 250 µA | 450 nC @ 10 V | ±20V | 14240 pF a 25 V | - | 375W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| AUIRL3705Z | 0,9600 | | 750 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55 V | 75A (Tc) | 4,5V, 10V | 8mOhm @ 52A, 10V | 3 V a 250 µA | 60 nC @ 5 V | ±16V | 2880 pF a 25 V | - | 130W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| AUIRFP1405-203 | 2.0200 | | 150 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 160A (Tc) |
Mais de 2.000
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
Fabricantes mundiais
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)