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Produtos Semicondutores discretos (1252)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF341 | 1.5600 |  | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | ALCANCE AFETADO | 2156-IRF341-600047 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH7440TRPBF | 0,6800 | | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, STROTLIRFET ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | IRFH7440 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 442 | N-canal | 40 v | 85a (TC) | 6V, 10V | 2.4mohm @ 50a, 10V | 3.9V @ 100µA | 138 NC @ 10 V | ± 20V | 4574 pf @ 25 V | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||
 | IRF7306pbf | - | | 2287 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF73 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA) | 8-so | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 3.6a (ta) | 100mohm @ 1.8a, 10V | 1V a 250µA | 25NC @ 10V | 440pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||
 | IRFR18N15DTRPBF | - | | 4229 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 0000.00.0000 | 2.000 | N-canal | 150 v | 18a (TC) | 125mohm @ 11a, 10V | 5,5V A 250µA | 43 nc @ 10 V | ± 30V | 900 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||
| IRF1405ZSPBF | - | | 8083 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 v | 75a (TC) | 4.9mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 180 nc @ 10 V | ± 20V | 4780 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||
 | AUIRFS8403TRL | 1.2800 | | 800 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 2156-aauirfs8403trl-600047 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 123A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 70a, 10V | 3.9V @ 100µA | 93 NC @ 10 V | ± 20V | 3183 pf @ 25 V | - | 99W (TC) | |||||||||||||||
 | IRF6795MTRPBF | 1.1300 | | 36 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFET ™ isométrico MX | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ MX | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 267 | N-canal | 25 v | 32a (TA), 160A (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 32a, 10V | 2.35V @ 100µA | 53 NC a 4,5 V | ± 20V | 4280 PF @ 13 V | - | 2.8W (TA), 75W (TC) | ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004 | - | | 9432 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK-3 (TO-263) | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.75mohm @ 195a, 10V | 4V A 250µA | 240 nc @ 10 V | ± 20V | 9200 pf @ 25 V | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRFH7914TRPBF | 0,2500 | | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 30 v | 15a (ta), 35a (tc) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 14a, 10v | 2.35V @ 25µA | 12 NC a 4,5 V | ± 20V | 1160 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||||||
 | IRFIRL60B216 | - | | 1503 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-904 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 60 v | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 100a, 10V | 2.4V a 250µA | 258 nc @ 4,5 V | ± 20V | 15570 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||
 | IRFHM8342TRPBF | 1.0000 | | 7246 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33 | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-IRFHM8342TRPBF-600047 | 1 | N-canal | 30 v | 10a (ta), 28a (tc) | 16mohm @ 17a, 10V | 2.35V @ 25µA | 10 nc @ 10 V | ± 20V | 560 pf @ 25 V | - | 2.6W (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||
 | AUIRF1404ZL | - | | 5521 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-262 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 160A (TC) | 10V | 3.7mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 150 nc @ 10 V | ± 20V | 4340 PF @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRL6283MTRPBF | 1.0000 | | 4 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, STROTLIRFET ™ | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ MD ISOMÉTRICO | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFet ™ MD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 20 v | 38a (ta), 211a (tc) | 2.5V, 4.5V | 0,75mohm @ 50a, 10V | 1.1V @ 100µA | 158 nc @ 4,5 V | ± 12V | 8292 pf @ 10 V | - | 2.1W (TA), 63W (TC) | |||||||||||||||
| Auillr3105 | 1.0000 | | 6933 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 v | 25a (TC) | 37mohm @ 15a, 10V | 3V A 250µA | 20 NC @ 5 V | ± 16V | 710 pf @ 25 V | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||
 | AUIRFSA8409-7P | - | | 8417 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-7 | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-AAUIRFSA8409-7P-600047 | 1 | N-canal | 40 v | 523A (TC) | 10V | 0,69mohm @ 100a, 10V | 3,9V a 250µA | 460 nc @ 10 V | ± 20V | 13975 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||
| IRF6892STRPBF | 0,7700 | | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFET ™ isométrico S3C | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ S3C | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 25 v | 28a (ta), 125a (tc) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 28a, 10V | 2.1V @ 50µA | 25 NC a 4,5 V | ± 16V | 2510 pf @ 13 V | - | 2.1W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||
| IRF7665S2TRPBF | 1.0000 | | 6187 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ ISOMÉTRICO SB | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFet ™ ISOMÉTRICO SB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 775 | N-canal | 100 v | 4.1a (ta), 14.4a (tc) | 62mohm @ 8.9a, 10V | 5V @ 25µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 515 pf @ 25 V | - | 2.4W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||
| IRLR3636TRPBF | - | | 7317 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 50a, 10V | 2.5V @ 100µA | 49 NC @ 4,5 V | ± 16V | 3779 pf @ 50 V | - | 143W (TC) | ||||||||||||||||||
| AUIRFU540Z | - | | 9290 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 96 | N-canal | 100 v | 35a (TC) | 10V | 28.5mohm @ 21a, 10V | 4V @ 50µA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 1690 pf @ 25 V | - | 91W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRF2804SPBF-IR | 1.0000 | | 5053 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 40 v | 75a (TC) | 10V | 2mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 240 nc @ 10 V | ± 20V | 6450 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||
| IRF448 | - | | 1479 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-204AE | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AE | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 114 | N-canal | 500 v | 7.9a | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
| IRLS4030pbf | 1.0000 | | 3152 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 110a, 10V | 2,5V a 250µA | 130 NC a 4,5 V | ± 16V | 11360 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | |||||||||||||||
| IRF9233 | 2.1600 | | 301 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-204AE | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AE | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal P. | 150 v | 5.5a | - | - | - | Padrão | 75W | ||||||||||||||||||
| Auillr2908trl | - | | 5012 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak (TO-252AA) | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 80 v | 30a (TC) | 28mohm @ 23a, 10V | 2,5V a 250µA | 33 NC a 4,5 V | 1890 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||||||||
 | IRG7PH28UD1PBF | 2.0300 | | 7 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 115 w | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 15A, 22OHM, 15V | Trincheira | 1200 v | 30 a | 100 a | 2.3V @ 15V, 15A | 543µJ (Off) | 90 NC | -/229ns | ||||||||||||||||
| Auillr024ntrl | 0,6000 | | 75 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | N-canal | 55 v | 17a (TC) | 4V, 10V | 65mohm @ 10a, 10V | 2V A 250µA | 15 nc @ 5 V | ± 16V | 480 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||
 | IRF323 | 0,6400 | | 901 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AA (TO-3) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 350 v | 2.8a | - | - | - | - | - | 50W | |||||||||||||||||
| IRG4BC40UPBF | 1.8600 | | 950 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Padrão | 160 w | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 20A, 10OHM, 15V | - | 600 v | 40 a | 160 a | 2.1V @ 15V, 20A | 320µJ (ON), 350µJ (Off) | 150 NC | 34ns/110ns | ||||||||||||||||
| IRG4BC30W-STRLP | 1.4400 | | 3912 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRG4BC30 | Padrão | 100 w | D2PAK | download | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 156 | 480V, 12A, 23OHM, 15V | - | 600 v | 23 a | 92 a | 2.7V @ 15V, 12a | 130µJ (ON), 130µJ (Off) | 51 NC | 25ns/99ns | |||||||||||||||
| IRG4PH40UPBF | - | | 5322 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 160 w | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 960V, 21a, 10ohm, 15V | - | 1200 v | 41 a | 82 a | 3.1V @ 15V, 21a | 1,04MJ (ON), 3,4MJ (Desligado) | 130 NC | 24ns/220ns |
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