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Produtos Semicondutores discretos (1252)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF3315SPBF | - |  | 1127 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 150 v | 21a (TC) | 10V | 82mohm @ 12a, 10V | 4V A 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | |||||||||||||||
| IRLR8259TRPBF | - | | 7852 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 25 v | 57a (TC) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 21a, 10V | 2.35V @ 25µA | 10 nc @ 4,5 V | ± 20V | 900 pf @ 13 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRFB7746PBF | - | | 8932 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Strongirfet ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 75 v | 59a (TC) | 6V, 10V | 10.6mohm @ 35a, 10V | 3.7V @ 100µA | 83 nc @ 10 V | ± 20V | 3049 pf @ 25 V | - | 99W (TC) | ||||||||||||||||||
| Auirfz48zs | - | | 4676 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 v | 61a (TC) | 10V | 11mohm @ 37a, 10V | 4V A 250µA | 64 nc @ 10 V | ± 20V | 1720 pf @ 25 V | - | 91W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRLU3705ZPBF | 0,9000 | | 1 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | IPAK (TO-251AA) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 55 v | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 42a, 10V | 3V A 250µA | 66 nc @ 5 V | ± 16V | 2900 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||
| Auill1404z | 1.7400 | | 22 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 160A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 75a, 10V | 2.7V @ 250µA | 110 nc @ 5 V | ± 16V | 5080 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||
 | 2N6763 | 2.5900 | | 7858 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | N-canal | 60 v | 31a (TC) | 10V | 80mohm @ 20a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 150W | |||||||||||||||||||
| IRF2807ZSPBF | 1.0000 | | 1190 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 75 v | 75a (TC) | 9.4mohm @ 53a, 10V | 4V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 3270 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||||||||||||||
| IRFB4620PBF | 1.0000 | | 2310 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 200 v | 25a (TC) | 10V | 72.5mohm @ 15a, 10v | 5V @ 100µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 50 V | - | 144W (TC) | ||||||||||||||||||
| Auillr2703 | 0,6500 | | 6 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 30 v | 20a (TC) | 45mohm @ 14a, 10v | 1V a 250µA | 15 NC a 4,5 V | ± 16V | 450 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||
| Auillr3110ztrl | - | | 3497 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 v | 42a (TC) | 14mohm @ 38a, 10V | 2.5V @ 100µA | 48 NC a 4,5 V | ± 16V | 3980 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRFU1018EPBF | 0,5500 | | 763 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | IPAK (TO-251AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 547 | N-canal | 60 v | 56a (TC) | 8.4mohm @ 47a, 10V | 4V @ 100µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 2290 pf @ 50 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRF7476TRPBF | 1.0000 | | 5279 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 4.000 | N-canal | 12 v | 15a (ta) | 2.8V, 4.5V | 8mohm @ 15a, 4.5V | 1.9V a 250µA | 40 NC a 4,5 V | ± 12V | 2550 pf @ 6 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
| IRF2804LPBF | - | | 9475 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IRF2804 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-262 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 40 v | 75a (TC) | 2.3mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 240 nc @ 10 V | 6450 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
| IRLR7833TRLPBF | - | | 9945 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 172 | N-canal | 30 v | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10V | 2.3V A 250µA | 50 NC a 4,5 V | ± 20V | 4010 pf @ 15 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRFS31N20DPBF | - | | 2471 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 200 v | 31a (TC) | 10V | 82mohm @ 18a, 10V | 5,5V A 250µA | 107 NC @ 10 V | ± 30V | 2370 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||
 | AUIRF7738L2TR | - | | 2891 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ ISOMÉTRICO L6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFet L6 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 35a (ta), 130a (tc) | 10V | 1.6mohm @ 109a, 10V | 4V A 250µA | 194 NC @ 10 V | ± 20V | 7471 pf @ 25 V | - | 3.3W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||||
 | AUIRFP2907Z | - | | 6415 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | - | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 75 v | 170A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 90a, 10V | 4V A 250µA | 270 nc @ 10 V | ± 20V | 7500 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPU60R600C6BKMA1 | - | | 2754 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A251-3 | - | 2156-IPU60R600C6BKMA1 | 1 | N-canal | 600 v | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200µA | 20,5 nc @ 10 V | ± 20V | 440 PF @ 100 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||
| AUIRFR5305 | - | | 6880 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 55 v | 31a (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 4V A 250µA | 63 nc @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRGP4266-EPBF | 4.0100 | | 9 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 455 w | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 75A, 10OHM, 15V | - | 650 v | 140 a | 300 a | 2.1V @ 15V, 75A | 3,2MJ (ON), 1,7MJ (Desligado) | 210 NC | 80ns/200ns | ||||||||||||||||
 | IRGIB4620DPBF | - | | 8410 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | Padrão | 140 w | PACOTE CONCLUTO PG-220 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 12A, 22OHM, 15V | 68 ns | NPT | 600 v | 32 a | 36 a | 1.85V @ 15V, 12a | 185µJ (ON), 355µJ (Off) | 25 NC | 31ns/83ns | |||||||||||||||||
 | IRGP6660D-EPBF | 3.7200 | | 1 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 330 w | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 48A, 10OHM, 15V | 70 ns | - | 600 v | 95 a | 144 a | 1.95V @ 15V, 48a | 600µJ (ON), 1,3MJ (Desligado) | 95 NC | 60ns/155ns | |||||||||||||||||
 | IPD60R380E6BTMA1 | - | | 7944 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Coolmos ™ E6 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD60R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 2.500 | N-canal | 600 v | 10.6a (TC) | 10V | 380mohm @ 3.8a, 10V | 3,5V A 300µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||
| IRLS3813pbf | - | | 1135 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 31 | N-canal | 30 v | 160A (TC) | 10V | 1,95mohm @ 148a, 10V | 2,35V a 150µA | 83 nc @ 4,5 V | ± 20V | 8020 pf @ 25 V | - | 195W (TC) | |||||||||||||||
 | IRLI540NPBF | 1.0000 | | 3385 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220ab pak cheio | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 100 v | 23a (TC) | 4V, 10V | 44mohm @ 12a, 10V | 2V A 250µA | 74 NC @ 5 V | ± 16V | 1800 pf @ 25 V | - | 54W (TC) | ||||||||||||||||||
| IRGIB15B60KD1P-IR | 1.0000 | | 2085 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | Padrão | 52 w | TO220 PACOTE CONCLUTO | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 15A, 22OHM, 15V | 67 ns | - | 600 v | 19 a | 38 a | 2.2V @ 15V, 15A | 127µJ (ON), 334µJ (Off) | 84 NC | 30ns/173ns | |||||||||||||||
 | AUIRFR4105Ztrl | - | | 5466 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AUIRFR4105 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 v | 20a (TC) | 10V | 24.5mohm @ 18a, 10V | 4V A 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||
 | IRF9383MTRPBF | 1.4100 | | 12 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFET ™ isométrico MX | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ MX | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 214 | Canal P. | 30 v | 22a (TA), 160A (TC) | 4.5V, 10V | 2.9mohm @ 22a, 10V | 2.4V A 150µA | 130 nc @ 10 V | ± 20V | 7305 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA), 113W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRF6216PBF-IR | - | | 6489 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal P. | 150 v | 2.2a (ta) | 240mohm @ 1.3a, 10V | 5V A 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 1280 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) |
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