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Produtos semicondutores discretos (1252)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Condição de teste | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tempo de recuperação reversa (trr) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRGP50B60PDPBF | - |  | 8520 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 370W | TO-247AC | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 390 V, 33 A, 3,3 Ohm, 15 V | 50 ns | TNP | 600 V | 75A | 150A | 2,6 V a 15 V, 50 A | 360 µJ (ligado), 380 µJ (desligado) | 360nC | 34ns/130ns | ||||||||||||||||
 | IRFU5410PBF | 0,5100 | | 282 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | IPAK (TO-251AA) | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 585 | Canal P | 100V | 13A (Tc) | 10V | 205mOhm @ 7,8A, 10V | 4 V a 250 µA | 58 nC @ 10 V | ±20V | 760 pF a 25 V | - | 66W (Tc) | |||||||||||||||||||
 | IRFB4620PBF | 1.0000 | | 2310 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 200 V | 25A (Tc) | 10V | 72,5mOhm a 15A, 10V | 5 V a 100 µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 1710 pF a 50 V | - | 144W (Tc) | |||||||||||||||||||
 | AUILR3110ZTRL | - | | 3497 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 42A (Tc) | 14mOhm a 38A, 10V | 2,5 V a 100 µA | 48 nC @ 4,5 V | ±16V | 3980 pF a 25 V | - | 140W (Tc) | |||||||||||||||||
 | IRFB4410ZGPBF | 1.0600 | | 300 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 300 | Canal N | 100V | 97A (Tc) | 10V | 9mOhm @ 58A, 10V | 4 V a 150 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 4820 pF a 50 V | - | 230W (Tc) | |||||||||||||||||||
 | IRGP6630DPBF | - | | 4635 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 192W | TO-247AC | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 18A, 22Ohm, 15V | 70 ns | - | 600 V | 47A | 54A | 1,95V a 15V, 18A | 75 µJ (ligado), 350 µJ (desligado) | 30 nC | 40ns/95ns | |||||||||||||||||||
 | IRF6641TRPBF | 2.0100 | | 22 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | MZ isométrico DirectFET™ | IRF6641 | MOSFET (óxido metálico) | DIRECTFETTM MZ | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 200 V | 4,6A (Ta), 26A (Tc) | 10V | 59,9mOhm @ 5,5A, 10V | 4,9 V a 150 µA | 48 nC @ 10 V | ±20V | 2290 pF a 25 V | - | 2,8 W (Ta), 89 W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | IRLIZ44NPBF-IR | - | | 3871 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | Pacote completo TO-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 55 V | 30A (Tc) | 4V, 10V | 22mOhm @ 17A, 10V | 2V @ 250µA | 48 nC @ 5 V | ±16V | 1700 pF a 25 V | - | 45W (Tc) | ||||||||||||||||
 | IRF7314PBF | - | | 9305 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IRF731 | MOSFET (óxido metálico) | 2W | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.800 | 2 canais P (duplo) | 20V | 5.3A | 58mOhm @ 2,9A, 4,5V | 700mV @ 250µA | 29nC a 4,5V | 780pF a 15V | Portão de nível lógico | |||||||||||||||||||
 | IRF7420PBF | 1.0000 | | 7766 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal P | 12V | 11,5A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 14mOhm @ 11,5A, 4,5V | 900mV a 250µA | 38 nC @ 4,5 V | ±8V | 3529 pF a 10 V | - | 2,5W (Ta) | |||||||||||||||||||
| AUIRF4110 | - | | 1343 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 100V | 120A (Tc) | 10V | 4,5mOhm a 75A, 10V | 4 V a 250 µA | 210 nC @ 10 V | ±20V | 9620 pF a 50 V | - | 370W (Tc) | |||||||||||||||||||
| IRG4BC30W-SPBF | - | | 6645 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | padrão | 100 W | D2PAK | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 12A, 23Ohm, 15V | - | 600 V | 23A | 92A | 2,7V a 15V, 12A | 130 µJ (ligado), 130 µJ (desligado) | 76nC | 25ns/99ns | |||||||||||||||||
| AUIFR5305 | - | | 6880 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 55 V | 31A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 16A, 10V | 4 V a 250 µA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF a 25 V | - | 110W (Tc) | |||||||||||||||||||
| IRFS7437-7PPBF | - | | 7487 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia) | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK (7 derivações) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 40 V | 195A (Tc) | 1,4mOhm a 100A, 10V | 3,9 V a 150 µA | 225 nC @ 10 V | ±20V | 7437 pF a 25 V | - | 231W (Tc) | |||||||||||||||||
 | IRF7601PBF | 0,2500 | | 4069 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | Micro8™ | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 870 | Canal N | 20 V | 5,7A (Ta) | 35mOhm @ 3,8A, 4,5V | 700mV a 250µA (mín.) | 22 nC @ 4,5 V | ±12V | 650 pF a 15 V | - | 1,8W (Ta) | |||||||||||||||||
| IRG7PH46UPBF | 1.0000 | | 1933 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 469 W | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 40A, 10Ohm, 15V | Trincheira | 1200 V | 130A | 160A | 2V a 15V, 40A | 2,56mJ (ligado), 1,78mJ (desligado) | 220nC | 45ns/410ns | |||||||||||||||||
| IRF7665S2TRPBF | 1.0000 | | 6187 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | SB Isométrico DirectFET™ | MOSFET (óxido metálico) | SB Isométrico DirectFET™ | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 775 | Canal N | 100V | 4,1A (Ta), 14,4A (Tc) | 62mOhm @ 8,9A, 10V | 5 V a 25 µA | 13 nC @ 10 V | ±20V | 515 pF a 25 V | - | 2,4 W (Ta), 30 W (Tc) | |||||||||||||||||
| IRGP4262D-EPBF | 1.0000 | | 6163 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 250W | TO-247AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 24A, 10Ohm, 15V | 170ns | - | 650 V | 60A | 96A | 2,1V a 15V, 24A | 520 µJ (ligado), 240 µJ (desligado) | 70nC | 24ns/73ns | ||||||||||||||||
 | IRF3575DTRPBF | 1.8300 | | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | - | Montagem em superfície | 32-PowerWFQFN | IRF3575 | MOSFET (óxido metálico) | - | 32-PQFN (6x6) | download | Não aplicável | 2 (1 ano) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 2 canais N (duplo) | 25V | 303A (Tc) | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
 | AUIRF1405ZS-7TRL | 1.0000 | | 5434 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK (7 derivações) | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55 V | 120A (Tc) | 10V | 4,9mOhm a 88A, 10V | 4 V a 150 µA | 230 nC @ 10 V | ±20V | 5360 pF a 25 V | - | 230W (Tc) | |||||||||||||||||||
 | IRL1404SPBF | - | | 2560 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 40 V | 160A (Tc) | 4,3V, 10V | 4mOhm @ 95A, 10V | 3 V a 250 µA | 140 nC @ 5 V | ±20V | 6600 pF a 25 V | - | 3,8 W (Ta), 200 W (Tc) | ||||||||||||||||
 | AUIRF7313QTR | 1.0000 | | 8983 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | AUIRF7313 | MOSFET (óxido metálico) | 2,4 W | 8-SOIC | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canais N (duplo) | 30V | 6.9A | 29mOhm @ 6,9A, 10V | 3 V a 250 µA | 33nC @ 10V | 755pF a 25V | Portão de nível lógico | ||||||||||||||||||||
| IRGS14C40LTRLP | - | | 1076 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | Lógica | 125W | TO-263AB | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 430V | 20 A | 1,75V a 5V, 14A | - | 27 nC | 900ns/6µs | |||||||||||||||||||||
| IRFZ44ESPBF | - | | 6663 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 60 V | 48A (Tc) | 10V | 23mOhm @ 29A, 10V | 4 V a 250 µA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 1360 pF a 25 V | - | 110W (Tc) | ||||||||||||||||
| IRG4BC30SPBF | 1.4000 | | 6 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | padrão | 100 W | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 18A, 23Ohm, 15V | - | 600 V | 34A | 68A | 1,6V a 15V, 18A | 260 µJ (ligado), 3,45 mJ (desligado) | 75nC | 22ns/540ns | |||||||||||||||||
| IRFU7540PBF | - | | 4150 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, StrongIRFET™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | IPAK (TO-251AA) | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 60 V | 90A (Tc) | 6V, 10V | 4,8mOhm a 66A, 10V | 3,7 V a 100 µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 4360 pF a 25 V | - | 140W (Tc) | |||||||||||||||||||
| IRF6892STRPBF | 0,7700 | | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | DirectFET™ Isométrico S3C | MOSFET (óxido metálico) | DIRECTFET® S3C | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 25 V | 28A (Ta), 125A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,7mOhm a 28A, 10V | 2,1 V a 50 µA | 25 nC @ 4,5 V | ±16V | 2510 pF a 13 V | - | 2,1 W (Ta), 42 W (Tc) | ||||||||||||||||
| AUIRFN7107TR-IR | - | | 7590 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície, flanco molhável | 8-PowerVDFN | MOSFET (óxido metálico) | PG-TDSON-8-10 | - | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-AUIRFN7107TR-IR | EAR99 | 0000.00.0000 | 4.000 | Canal N | 75 V | 14A (Ta), 75A (Tc) | 8,5mOhm a 45A, 10V | 4 V a 100 µA | 77 nC @ 10 V | ±20V | 3001 pF para 25 V | - | 4,4 W (Ta), 125 W (Tc) | ||||||||||||||||
 | AUIRL2203N | 1.0000 | | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 30 V | 75A (Tc) | 4,5V, 10V | 7mOhm @ 60A, 10V | 1V @ 250µA | 60 nC @ 4,5 V | ±16V | 3290 pF a 25 V | - | 180W (Tc) | ||||||||||||||||
| IRGP4069PBF | 2.1600 | | 7 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 268W | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 35A, 10Ohm, 15V | Trincheira | 600 V | 76A | 105A | 1,85V a 15V, 35A | 390 µJ (ligado), 632 µJ (desligado) | 104nC | 46ns/105ns |
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