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Produtos Semicondutores discretos (1252)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tipo de Entrada	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	TIPO DE FET	Condição de teste	Escorra para um tensão de origem (VDSS)	Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C	Tensão de conduça (max rds on, min rds on)	Rds em (max) @ id, vgs	VGS (th) (max) @ id	Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS	VGs (Máximoo)	CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Recurso FET	DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	TIPO IGBT	Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max)	Corrente - Coletor (IC) (Max)	Corrente - Coletor Pulsa (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Troca de Energia	Carga do Portão	TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C
IRFF313	-	RFQ	4080	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-	Através do buraco	TO-205AF METAL CAN			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-205AF (TO-39)	download					Ear99	8542.39.0001	44	N-canal		350 v	1.15a	-	-	-		-		-	15w
IRG4PH50S-EPBF	-	RFQ	5439	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-247-3		Padrão		200 w	TO-247AD	download					Ear99	8542.39.0001	1		960V, 33A, 5OHM, 15V												-	1200 v	57 a	114 a	1.7V @ 15V, 33a	1,8MJ (ON), 19,6MJ (Desligado)	167 NC	32ns/845ns
IRGB14C40LPBF	1.2600	RFQ	262	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3		Lógica		125 w	TO-220AB	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	262		-												-	430 v	20 a		1.75V @ 5V, 14A	-	27 NC	900Ns/6µs
IRGP6630DPBF	-	RFQ	4635	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	To-247-3		Padrão		192 w	TO-247AC	download					Ear99	8542.39.0001	1		400V, 18A, 22OHM, 15V											70 ns	-	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V, 18a	75µJ (ON), 350µJ (Desligado)	30 NC	40ns/95ns
Auillr3705ztrl	-	RFQ	1184	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		D-Pak	download					Ear99	8541.29.0095	98	N-canal		55 v	42a (TC)		8mohm @ 42a, 10V	3V A 250µA	66 nc @ 5 V		2900 pf @ 25 V	-	130W (TC)
IRFAUIRF3805S	-	RFQ	6345	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo									download					Ear99	8541.29.0095	1
IRF3704ZSPBF	-	RFQ	9563	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		D2PAK	-						0000.00.0000	1	N-canal		20 v	67a (TC)	4.5V, 10V	7.9mohm @ 21a, 10V	2,55V a 250µA	13 NC @ 4,5 V	± 20V	1220 pf @ 10 V	-	57W (TC)
AUIRFS4310	-	RFQ	3245	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		D2PAK	download					Ear99	8541.29.0095	1	N-canal		100 v	75a (TC)	10V	7mohm @ 75a, 10V	4V A 250µA	250 nc @ 10 V	± 20V	7670 pf @ 50 V	-	300W (TC)
IRFS4610TRLPBF	1.0000	RFQ	3998	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		D2PAK	download					Ear99	8542.39.0001	1	N-canal		100 v	73a (TC)	10V	14mohm @ 44a, 10V	4V @ 100µA	140 nc @ 10 V	± 20V	3550 pf @ 50 V	-	190W (TC)
IRG7PSH73K10PBF	-	RFQ	1583	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-274AA		Padrão		1.15 w	Super-247 ™ (TO-274AA)	download					Ear99	8542.39.0001	1		600V, 75A, 4.7OHM, 15V												Trincheira	1200 v	220 a	225 a	2.3V @ 15V, 75A	7,7mj (ON), 4,6MJ (Desligado)	360 nc	63ns/267ns
IRLR2703PBF	-	RFQ	8058	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		D-Pak	download					Ear99	8542.39.0001	315	N-canal		30 v	23a (TC)	4V, 10V	45mohm @ 14a, 10v	1V a 250µA	15 NC a 4,5 V	± 16V	450 pf @ 25 V	-	45W (TC)
IRG8P15N120KD-EPBF	3.3700	RFQ	8	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-247-3		Padrão		125 w	TO-247AD	download					Ear99	8542.39.0001	90		600V, 10A, 10OHM, 15V											60 ns	-	1200 v	30 a	30 a	2V @ 15V, 10A	600µJ (ON), 600µJ (OFF)	98 NC	15ns/170ns
IRG7PH35U-EP	2.8000	RFQ	8	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	To-247-3		Padrão		210 w	TO-247AD	download					Ear99	8542.39.0001	1		600V, 20A, 10OHM, 15V												Trincheira	1200 v	55 a	60 a	2.2V @ 15V, 20A	1,06MJ (ON), 620µJ (Desligado)	130 NC	30ns/160ns
IRFR3711ZTRPBF	-	RFQ	2252	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		D-Pak	download					Ear99	8542.39.0001	1	N-canal		20 v	93A (TC)	4.5V, 10V	5.7mohm @ 15a, 10V	2,45V a 250µA	27 NC a 4,5 V	± 20V	2160 pf @ 10 V	-	79W (TC)
IRGB4B60KD1PBF	0,9200	RFQ	57	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3		Padrão		63 w	TO-220AB	-					Ear99	8542.39.0001	1		400V, 4A, 100OHM, 15V											93 ns	NPT	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V, 4A	73µJ (ON), 47µJ (Off)	12 NC	22ns/100ns
IRF142	-	RFQ	3289	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-	Através do buraco	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-204AA (TO-3)	download					Ear99	8542.39.0001	41	N-canal		100 v	25a	-	-	-		-		-	150W
IRF9230	4.5800	RFQ	10	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-204AA (TO-3)	download					Ear99	8542.39.0001	1	Canal P.		200 v	6.5a (TC)	10V	940mohm @ 6.5a, 10V	4V A 250µA	31 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	75W (TC)
AUIRF1010Z	1.0700	RFQ	12	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-220AB	download					Ear99	8541.29.0095	281	N-canal		55 v	75a (TC)		7.5mohm @ 75a, 10V	4V A 250µA	95 NC @ 10 V		2840 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IRF7424TRPBF	-	RFQ	1556	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura)			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		8-so	download					Ear99	8542.39.0001	1	Canal P.		30 v	11a (ta)	4.5V, 10V	13.5mohm @ 11a, 10v	2,5V a 250µA	110 nc @ 10 V	± 20V	4030 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IRG4BC30KPBF	1.1700	RFQ	9	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3		Padrão		100 w	TO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	0000.00.0000	1		480V, 16A, 23OHM, 15V												-	600 v	28 a	56 a	2.7V @ 15V, 16A	360µJ (ON), 510µJ (Off)	100 nc	26ns/130ns
IRGP6640D-EPBF	1.0000	RFQ	1887	Retificador Internacional	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	To-247-3		Padrão		200 w	TO-247AD	download	ROHS3 Compatível				Ear99	8541.29.0095	25		400V, 24A, 10OHM, 15V											70 ns	-	600 v	53 a	72 a	1.95V @ 15V, 24A	90µJ (ON), 600µJ (Off)	50 nc	40ns/100ns
IRG4RC10SDPBF	-	RFQ	8471	Retificador Internacional	S	Volume	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63		Padrão		38 w	D-Pak (TO-252AA)	-	Rohs Não Compatível		Fornecedor indefinido	2156-IRG4RC10SDPBF-600047			1		480V, 8A, 100OHM, 15V											28 ns	-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V, 8a	310µJ (ON), 3,28MJ (Desligado)	15 NC	76ns/815ns
IRFR5505PBF	-	RFQ	9788	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		D-Pak	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	0000.00.0000	1	Canal P.		55 v	18a (TC)	10V	110mohm @ 9.6a, 10V	4V A 250µA	32 NC @ 10 V	± 20V	650 pf @ 25 V	-	57W (TC)
IRL1404pbf	1.0600	RFQ	5834	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	0000.00.0000	1	N-canal		40 v	160A (TC)	4.3V, 10V	4mohm @ 95a, 10V	3V A 250µA	140 nc @ 5 V	± 20V	6590 pf @ 25 V	-	200W (TC)
Auillr3114ztrl	1.1600	RFQ	2	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		D-Pak (TO-252AA)	download	Não Aplicável	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	0000.00.0000	3.000	N-canal		40 v	42a (TC)		4.9mohm @ 42a, 10V	2.5V @ 100µA	56 nc @ 4,5 V		3810 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IRFS7537pbf	-	RFQ	1776	Retificador Internacional	HEXFET®, STROTLIRFET ™	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		D2PAK	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	0000.00.0000	1	N-canal		60 v	173a (TC)	6V, 10V	3.3mohm @ 100a, 10V	3.7V @ 150µA	210 nc @ 10 V	± 20V	7020 pf @ 25 V	-	230W (TC)
IRLR8729TRLPBF	-	RFQ	8847	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	IRLR8729		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		D-Pak	download	Não Aplicável	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	0000.00.0000	1	N-canal		30 v	58a (TC)	4.5V, 10V	8.9mohm @ 25a, 10V	2.35V @ 25µA	16 nc @ 4,5 V	± 20V	1350 pf @ 15 V	-	55W (TC)
IRFF1210	1.0000	RFQ	9966	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo									download						0000.00.0000	1
IRF3315pbf	-	RFQ	9658	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	1	N-canal		150 v	23a (TC)		70mohm @ 12a, 10V	4V A 250µA	95 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	94W (TC)
IRFR3411TRPBF	-	RFQ	4330	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63			MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		D-Pak	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	60	N-canal		100 v	32a (TC)	10V	44mohm @ 16a, 10v	4V A 250µA	71 nc @ 10 V	± 20V	1960 pf @ 25 V	-	130W (TC)