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Produtos Semicondutores discretos (1252)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRFP4409 | 3.1200 |  | 8 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 300 v | 38a (TC) | 10V | 69mohm @ 24a, 10V | 5V A 250µA | 125 nc @ 10 V | ± 20V | 5168 pf @ 50 V | - | 341W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRLR3636pbf | - | | 4351 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 50a, 10V | 2.5V @ 100µA | 49 NC @ 4,5 V | ± 16V | 3779 pf @ 50 V | - | 143W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Auillr3410tr | 1.1100 | | 14 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Auillr3410 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 17a (TC) | 4V, 10V | 105mohm @ 10a, 10V | 2V A 250µA | 34 NC @ 5 V | ± 16V | 800 pf @ 25 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||
| Irgr2b60kdtrrpbf | - | | 7153 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Padrão | 35 w | D-Pak | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 2A, 100OHM, 15V | 68 ns | NPT | 600 v | 6.3 a | 8 a | 2.25V @ 15V, 2a | 74µJ (ON), 39µJ (Desligado) | 12 NC | 11ns/150ns | ||||||||||||||||||
 | IRFU7440pbf | 0,7300 | | 108 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | IPAK (TO-251AA) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 409 | N-canal | 40 v | 90A (TC) | 6V, 10V | 2.4mohm @ 90a, 10V | 3.9V @ 100µA | 134 NC @ 10 V | ± 20V | 4610 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||
 | AUIRFS3107-7P | 1.0000 | | 6024 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (7 derivados) | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 75 v | 240a (TC) | 10V | 2.6mohm @ 160a, 10V | 4V A 250µA | 240 nc @ 10 V | ± 20V | 9200 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRF6775MTRPBF | 1.2100 | | 597 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFET ™ isométrico MZ | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ MZ | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 249 | N-canal | 150 v | 4.9a (ta), 28a (tc) | 10V | 56mohm @ 5.6a, 10V | 5V @ 100µA | 36 nc @ 10 V | ± 20V | 1411 pf @ 25 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||
| AUIRFBA1405 | - | | 2709 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-273AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Super-220 ™ (TO-273AA) | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 163 | N-canal | 55 v | 95a (TC) | 10V | 5mohm @ 101a, 10V | 4V A 250µA | 260 nc @ 10 V | ± 20V | 5480 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | ||||||||||||||||||
| IRGSL4B60KD1PBF | 0,9500 | | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | Padrão | 63 w | To-262 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 4A, 100OHM, 15V | 93 ns | NPT | 600 v | 11 a | 22 a | 2.5V @ 15V, 4A | 73µJ (ON), 47µJ (Off) | 12 NC | 22ns/100ns | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8401TRL | - | | 6221 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 4.25mohm @ 60a, 10V | 3.9V @ 50µA | 63 nc @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRFB3207ZPBF | - | | 1010 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 75 v | 120A (TC) | 10V | 4.1mohm @ 75a, 10V | 4V A 150µA | 170 nc @ 10 V | ± 20V | 6920 PF @ 50 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||
| IRG4PH30KDPBF | - | | 7345 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 100 w | TO-247AC | download | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 800V, 10A, 23OHM, 15V | 50 ns | - | 1200 v | 20 a | 40 a | 4.2V @ 15V, 10A | 950µJ (ON), 1,15MJ (OFF) | 53 NC | 39NS/220NS | |||||||||||||||
 | IRF123 | 0,6300 | | 738 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3 | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 60 v | 7a (TC) | 10V | 400mohm @ 4a, 10V | 4V A 250µA | 15 nc @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||
| IRG4BH20K-SPBF | - | | 9850 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Padrão | 60 w | D2PAK | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 960V, 5A, 50OHM, 15V | - | 1200 v | 11 a | 22 a | 4.3V @ 15V, 5A | 450µJ (ON), 440µJ (Off) | 28 NC | 23ns/93ns | ||||||||||||||||
 | IRGR3B60KD2TRLP | - | | 6439 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRGR3B60 | Padrão | 52 w | D-Pak | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 400V, 3A, 100OHM, 15V | 77 ns | NPT | 600 v | 7.8 a | 15.6 a | 2.4V @ 15V, 3A | 62µJ (ON), 39µJ (Desligado) | 13 NC | 18ns/110ns | ||||||||||||||
 | IRF7739L2TRPBF | 1.0000 | | 7657 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ ISOMÉTRICO L8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFet L8 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 246 | N-canal | 40 v | 46a (ta), 375a (tc) | 10V | 1MOHM @ 160A, 10V | 4V A 250µA | 330 NC @ 10 V | ± 20V | 11880 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||
| IRGS4045DTRLPBF | 1.0400 | | 5 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Padrão | 77 w | D²pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 6A, 47OHM, 15V | 74 ns | - | 600 v | 12 a | 18 a | 2V @ 15V, 6a | 56µJ (ON), 122µJ (Desligado) | 19.5 NC | 27ns/75ns | |||||||||||||||
| IRFS59N10Dtrlp | - | | 4464 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 v | 59a (TC) | 25mohm @ 35.4a, 10V | 5,5V A 250µA | 114 NC @ 10 V | ± 30V | 2450 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRF7805TRPBF | 0,4600 | | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 4.000 | N-canal | 30 v | 13A (TA) | 4.5V | 11mohm @ 7a, 4.5V | 3V A 250µA | 31 NC @ 5 V | ± 12V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||
| AUIRFR3504 | 1.0600 | | 10 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak (TO-252AA) | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 40 v | 56a (TC) | 10V | 9.2mohm @ 30a, 10V | 4V A 250µA | 71 nc @ 10 V | ± 20V | 2150 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||
| IRGR3B60KD2TRRP | - | | 8242 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRGR3B60 | Padrão | 52 w | D-Pak | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 400V, 3A, 100OHM, 15V | 77 ns | NPT | 600 v | 7.8 a | 15.6 a | 2.4V @ 15V, 3A | 62µJ (ON), 39µJ (Desligado) | 13 NC | 18ns/110ns | ||||||||||||||
 | IRLR3410PBF | - | | 8585 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 v | 17a (TC) | 4V, 10V | 105mohm @ 10a, 10V | 2V A 250µA | 34 NC @ 5 V | ± 16V | 800 pf @ 25 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||
| IRG7PK35UD1PBF | - | | 3045 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 167 w | TO-247AC | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 20A, 10OHM, 15V | - | 1400 v | 40 a | 200 a | 2.35V @ 15V, 20A | 650µJ (Desligado) | 98 NC | -/150ns | ||||||||||||||||
| IRF6802SDTRPBF | 0,8100 | | 5 | 0,00000000 | Retificador Internacional | DirectFET ™ | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ ISOMÉTRICO SA | IRF6802 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.7W (TA), 21W (TC) | DirectFet ™ ISOMÉTRICO SA | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1.117 | 2 canal n (Duplo) | 25V | 16a (ta), 57a (tc) | 4.2mohm @ 16a, 10V | 2.1V @ 35µA | 13NC @ 4.5V | 1350pf @ 13V | - | ||||||||||||||||
| IRG4RC20FPBF | 0,7700 | | 6 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRG4RC20FPBF | Padrão | 66 w | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 12A, 50OHM, 15V | - | 600 v | 22 a | 44 a | 2.1V @ 15V, 12a | 190µJ (ON), 920µJ (OFF) | 27 NC | 26ns/194ns | |||||||||||||||
| IRFR4105ZPBF | - | | 5409 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 v | 30a (TC) | 24.5mohm @ 18a, 10V | 4V A 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRG4PC40KDPBF-IR | 1.0000 | | 6710 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFR13N20DPBF-IR | - | | 3841 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 200 v | 13a (TC) | 235mohm @ 8a, 10V | 5,5V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 30V | 830 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||
| 64-9174pbf | 1.0000 | | 3748 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | 336 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGB4059DPBF | 1.0800 | | 600 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Padrão | 56 w | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 4A, 100OHM, 15V | 55 ns | Trincheira | 600 v | 8 a | 16 a | 2.05V @ 15V, 4A | 35µJ (ON), 75µJ (Desligado) | 13 NC | 25ns/65ns |
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