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Produtos semicondutores discretos (1252)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caixa	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Condição de teste	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tempo de recuperação reversa (trr)	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C
IRG4BC40W-SPBF	-	Solicitação de cotação	6338	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		padrão		160 W	D2PAK	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 20A, 10Ohm, 15V												-	600V	40A	160A	2,5V a 15V, 20A	110 µJ (ligado), 230 µJ (desligado)	98nC	27ns/100ns
IRG4PH50UPBF	-	Solicitação de cotação	9259	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		200 W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			960V, 24A, 5Ohm, 15V												-	1200 V	45A	180A	3,7 V a 15 V, 24 A	530 µJ (ligado), 1,41 mJ (desligado)	160nC	35ns/200ns
IRG4BC20KDPBF-IR	-	Solicitação de cotação	3640	Retificador Internacional	*	Volume	Ativo									-	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1
IRFBA1405PPBF	-	Solicitação de cotação	3070	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-273AA			MOSFET (óxido metálico)		SUPER-220™ (TO-273AA)	download					EAR99	8542.39.0001	1		Canal N		55 V	174A (Tc)	10V	5mOhm @ 101A, 10V	4 V a 250 µA	260 nC @ 10 V	±20V	5480 pF a 25 V	-	330W (Tc)
IRG4PF50WPBF	1.0000	Solicitação de cotação	6368	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		200 W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			720V, 28A, 5Ohm, 15V												-	900 V	51A	204A	2,7V a 15V, 28A	190 µJ (ligado), 1,06 mJ (desligado)	160nC	29ns/110ns
IRF431	1.2400	Solicitação de cotação	1	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-204AA, TO-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-3	download	RoHS não compatível	1 (ilimitado)	Fornecedor indefinido		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		450 V	4,5A		1,5 Ohm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	30 nC @ 10 V	±20V	800 pF a 25 V	-	75W (Tc)
IRGP6650D-EPBF	3.0000	Solicitação de cotação	750	Retificador Internacional	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		306W	TO-247AD	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25			400V, 35A, 10Ohm, 15V											50 ns	-	600V	80A	105A	1,95V a 15V, 35A	300 µJ (ligado), 630 µJ (desligado)	75nC	40ns/105ns
AUIRFP2907Z	-	Solicitação de cotação	6415	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3			MOSFET (óxido metálico)		TO-247AC	-					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		75 V	170A (Tc)	10V	4,5mOhm a 90A, 10V	4 V a 250 µA	270 nC @ 10 V	±20V	7.500 pF a 25 V	-	310W (Tc)
IRL60SL216	4.6500	Solicitação de cotação	1	Retificador Internacional	HEXFET®, StrongIRFET™	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (óxido metálico)		PARA-262-3	download					EAR99	8542.39.0001	65		Canal N		60 V	195A (Tc)	4,5V, 10V	1,95mOhm a 100A, 10V	2,4 V a 250 µA	255 nC @ 4,5 V	±20V	15330 pF a 25 V	-	375W (Tc)
IRG4RC10KDTRPBF	1.0000	Solicitação de cotação	6391	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63		padrão		38 W	D-Pak	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	2.000			480V, 5A, 100Ohm, 15V											28 ns	-	600V	9A	18A	2,62V a 15V, 5A	250 µJ (ligado), 140 µJ (desligado)	29 nC	49ns/97ns
IRFHM8330TRPBF	-	Solicitação de cotação	8838	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerVDFN			MOSFET (óxido metálico)		8-PQFN (3,3x3,3)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	4.000		Canal N		30 V	16A (Ta), 55A (Tc)		6,6mOhm a 20A, 10V	2,35 V a 25 µA	20 nC @ 10 V	±20V	1450 pF a 25 V	-	2,7 W (Ta), 33 W (Tc)
IRF7473PBF	-	Solicitação de cotação	4124	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)		8-SO	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		100V	6,9A (Ta)	10V	26mOhm @ 4,1A, 10V	5,5 V a 250 µA	61 nC @ 10 V	±20V	3180 pF a 25 V	-	2,5W (Ta)
IRF8304MTRPBF	0,8400	Solicitação de cotação	1	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	MX isométrico DirectFET™			MOSFET (óxido metálico)		MX isométrico DirectFET™	download					EAR99	8541.29.0095	356		Canal N		30 V	28A (Ta), 170A (Tc)	4,5V, 10V	2,2mOhm a 28A, 10V	2,35 V a 100 µA	42 nC @ 4,5 V	±20V	4700 pF a 15 V	-	2,8 W (Ta), 100 W (Tc)
IRG7PH46UPBF	1.0000	Solicitação de cotação	1933	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		469 W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			600V, 40A, 10Ohm, 15V												Trincheira	1200 V	130A	160A	2V a 15V, 40A	2,56mJ (ligado), 1,78mJ (desligado)	220nC	45ns/410ns
IRF7665S2TRPBF	1.0000	Solicitação de cotação	6187	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	SB Isométrico DirectFET™			MOSFET (óxido metálico)		SB Isométrico DirectFET™	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	775		Canal N		100V	4,1A (Ta), 14,4A (Tc)		62mOhm @ 8,9A, 10V	5 V a 25 µA	13 nC @ 10 V	±20V	515 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 30 W (Tc)
IRGP4262D-EPBF	1.0000	Solicitação de cotação	6163	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		250W	TO-247AD	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			400V, 24A, 10Ohm, 15V											170ns	-	650 V	60A	96A	2,1V a 15V, 24A	520 µJ (ligado), 240 µJ (desligado)	70nC	24ns/73ns
IRF3575DTRPBF	1.8300	Solicitação de cotação	3	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-	Montagem em superfície	32-PowerWFQFN	IRF3575		MOSFET (óxido metálico)	-	32-PQFN (6x6)	download	Não aplicável	2 (1 ano)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1	2 canais N (duplo)			25V	303A (Tc)		-	-	-		-	-
AUIRF1405ZS-7TRL	1.0000	Solicitação de cotação	5434	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK (7 derivações)	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		55 V	120A (Tc)	10V	4,9mOhm a 88A, 10V	4 V a 150 µA	230 nC @ 10 V	±20V	5360 pF a 25 V	-	230W (Tc)
IRL1404SPBF	-	Solicitação de cotação	2560	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		40 V	160A (Tc)	4,3V, 10V	4mOhm @ 95A, 10V	3 V a 250 µA	140 nC @ 5 V	±20V	6600 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
AUIRF7313QTR	1.0000	Solicitação de cotação	8983	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	AUIRF7313		MOSFET (óxido metálico)	2,4 W	8-SOIC	download					EAR99	8541.29.0095	1	2 canais N (duplo)			30V	6.9A		29mOhm @ 6,9A, 10V	3 V a 250 µA	33nC @ 10V		755pF a 25V	Portão de nível lógico
IRGS14C40LTRLP	-	Solicitação de cotação	1076	Retificador Internacional	-	Volume	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		Lógica		125W	TO-263AB	download					EAR99	8542.39.0001	1			-												-	430V	20 A		1,75V a 5V, 14A	-	27 nC	900ns/6µs
IRFZ44ESPBF	-	Solicitação de cotação	6663	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		D2PAK	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		60 V	48A (Tc)	10V	23mOhm @ 29A, 10V	4 V a 250 µA	60 nC @ 10 V	±20V	1360 pF a 25 V	-	110W (Tc)
IRG4BC30SPBF	1.4000	Solicitação de cotação	6	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		padrão		100 W	PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 18A, 23Ohm, 15V												-	600V	34A	68A	1,6V a 15V, 18A	260 µJ (ligado), 3,45 mJ (desligado)	75nC	22ns/540ns
AUIRL1404Z	1.7400	Solicitação de cotação	22	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220	download					EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		40 V	160A (Tc)	4,5V, 10V	3,1mOhm a 75A, 10V	2,7 V a 250 µA	110 nC @ 5 V	±16V	5080 pF a 25 V	-	200W (Tc)
IRFU7540PBF	-	Solicitação de cotação	4150	Retificador Internacional	HEXFET®, StrongIRFET™	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA			MOSFET (óxido metálico)		IPAK (TO-251AA)	download					EAR99	8542.39.0001	1		Canal N		60 V	90A (Tc)	6V, 10V	4,8mOhm a 66A, 10V	3,7 V a 100 µA	130 nC @ 10 V	±20V	4360 pF a 25 V	-	140W (Tc)
IRF6892STRPBF	0,7700	Solicitação de cotação	3	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	DirectFET™ Isométrico S3C			MOSFET (óxido metálico)		DIRECTFET® S3C	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		25 V	28A (Ta), 125A (Tc)	4,5V, 10V	1,7mOhm a 28A, 10V	2,1 V a 50 µA	25 nC @ 4,5 V	±16V	2510 pF a 13 V	-	2,1 W (Ta), 42 W (Tc)
AUIRFN7107TR-IR	-	Solicitação de cotação	7590	Retificador Internacional	Automotivo, AEC-Q101, HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície, flanco molhável	8-PowerVDFN			MOSFET (óxido metálico)		PG-TDSON-8-10	-	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado	2156-AUIRFN7107TR-IR	EAR99	0000.00.0000	4.000		Canal N		75 V	14A (Ta), 75A (Tc)		8,5mOhm a 45A, 10V	4 V a 100 µA	77 nC @ 10 V	±20V	3001 pF para 25 V	-	4,4 W (Ta), 125 W (Tc)
AUIRL2203N	1.0000	Solicitação de cotação	3	Retificador Internacional	HEXFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3			MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download	Não aplicável	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal N		30 V	75A (Tc)	4,5V, 10V	7mOhm @ 60A, 10V	1V @ 250µA	60 nC @ 4,5 V	±16V	3290 pF a 25 V	-	180W (Tc)
IRGP4069PBF	2.1600	Solicitação de cotação	7	Retificador Internacional	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		268W	TO-247AC	download	Compatível com ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25			400V, 35A, 10Ohm, 15V												Trincheira	600V	76A	105A	1,85V a 15V, 35A	390 µJ (ligado), 632 µJ (desligado)	104nC	46ns/105ns
IRGP4790-EPBF	4.0600	Solicitação de cotação	1	Retificador Internacional	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		455 W	TO-247AD	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	0000.00.0000	1			400V, 75A, 10Ohm, 15V												-	650 V	140A	225A	2V a 15V, 75A	2,5mJ (ligado), 2,2mJ (desligado)	210nC	50ns/200ns