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Produtos semicondutores discretos (1252)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Tipo FET | Condição de teste | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tempo de recuperação reversa (trr) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRGIB10B60KD1P | - |  | 3736 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | padrão | 44W | Pacote completo TO-220AB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 10A, 50Ohm, 15V | 79 ns | TNP | 600V | 16A | 32A | 2,1V a 15V, 10A | 156 µJ (ligado), 165 µJ (desligado) | 41nC | 25ns/180ns | |||||||||||||||
 | IRFS31N20DPBF | - | | 2471 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | - | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 200 V | 31A (Tc) | 10V | 82mOhm @ 18A, 10V | 5,5 V a 250 µA | 107 nC @ 10 V | ±30V | 2370 pF a 25 V | - | 3,1 W (Ta), 200 W (Tc) | |||||||||||||||
 | IRG4PC50SPBF | - | | 2177 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 200 W | TO-247AC | download | Não aplicável | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 41A, 5Ohm, 15V | - | 600V | 70A | 140A | 1,36V a 15V, 41A | 720 µJ (ligado), 8,27 mJ (desligado) | 180nC | 33ns/650ns | ||||||||||||||||
 | AUIRF7669L2TR | - | | 1716 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DirectFET™ Isométrico L8 | AUIRF7669 | MOSFET (óxido metálico) | DIRECTFET L8 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 100V | 19A (Ta), 114A (Tc) | 10V | 4,4mOhm a 68A, 10V | 5 V a 250 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 5660 pF a 25 V | - | 3,3 W (Ta), 100 W (Tc) | |||||||||||||||||
| IRG4BC10SD-SPBF | 1.0400 | | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | padrão | 38 W | D2PAK | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 480V, 8A, 100Ohm, 15V | 28 ns | - | 600V | 14A | 18A | 1,8V a 15V, 8A | 310 µJ (ligado), 3,28 mJ (desligado) | 15 nC | 76ns/815ns | ||||||||||||||||||
 | AUIRFSL4010 | - | | 2958 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 180A (Tc) | 4,7mOhm @ 106A, 10V | 4 V a 250 µA | 215 nC @ 10 V | 9575 pF a 50 V | - | 375W (Tc) | |||||||||||||||||
 | IRG4BC30KDSTRLP-IR | - | | 4621 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | padrão | 100 W | D2PAK | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 480V, 16A, 23Ohm, 15V | 42 ns | - | 600V | 28A | 56A | 2,7V a 15V, 16A | 600 µJ (ligado), 580 µJ (desligado) | 67nC | 60ns/160ns | |||||||||||||||
| IRFSL7534PBF | - | | 6583 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, StrongIRFET™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 60 V | 195A (Tc) | 6V, 10V | 2,4mOhm a 100A, 10V | 3,7 V a 250 µA | 279 nC @ 10 V | ±20V | 10034 pF a 25 V | - | 294W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | IRFH4210DTRPBF | 1.2000 | | 937 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | IRFH4210 | MOSFET (óxido metálico) | PQFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 25 V | 44A (Ta) | 4,5V, 10V | 1,1mOhm a 50A, 10V | 2,1 V a 100 µA | 77 nC @ 10 V | ±20V | 4812 pF a 13 V | - | 3,5 W (Ta), 125 W (Tc) | ||||||||||||||
 | IRG4BC20FDPBF | - | | 9159 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | padrão | 60 W | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 9A, 50Ohm, 15V | 37 ns | - | 600V | 16A | 64A | 2V a 15V, 9A | 250 µJ (ligado), 640 µJ (desligado) | 27 nC | 43ns/240ns | |||||||||||||||
 | IRFB3256PBF | 1.5900 | | 444 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Fornecedor indefinido | REACH não afetado | 2156-IRFB3256PBF-600047 | 205 | Canal N | 60 V | 75A (Tc) | 10V | 3,4mOhm a 75A, 10V | 4 V a 150 µA | 195 nC @ 10 V | ±20V | 6600 pF a 48 V | - | 300W (Tc) | |||||||||||||||||
| IRG4RC10UTRPBF | 0,4500 | | 4 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IRG4RC10 | padrão | 38 W | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 2.000 | 480V, 5A, 100Ohm, 15V | - | 600V | 8,5A | 34A | 2,6V a 15V, 5A | 80 µJ (ligado), 160 µJ (desligado) | 15 nC | 19ns/116ns | |||||||||||||||
 | IRGIB4630DPBF | 1.9200 | | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | padrão | 206 W | Pacote completo PG-TO220 | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 18A, 22Ohm, 15V | 100 ns | TNP | 600V | 47A | 54A | 1,95V a 15V, 18A | 95 µJ (ligado), 350 µJ (desligado) | 35nC | 40ns/105ns | |||||||||||||||||
 | IRGS6B60KDTRRP | 1.2400 | | 7372 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | padrão | 90W | D2PAK | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 64 | 400V, 5A, 100Ohm, 15V | 70 ns | TNP | 600V | 13A | 26A | 2,2V a 15V, 5A | 110 µJ (ligado), 135 µJ (desligado) | 18,2nC | 25ns/215ns | ||||||||||||||||||
| IRFSL7537PBF | 1.4900 | | 800 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, StrongIRFET™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 60 V | 173A (Tc) | 6V, 10V | 3,3mOhm a 100A, 10V | 3,7 V a 150 µA | 210 nC @ 10 V | ±20V | 7020 pF a 25 V | - | 230W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | IRF3709PBF | 0,6200 | | 913 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal N | 30 V | 90A (Tc) | 4,5V, 10V | 9mOhm @ 15A, 10V | 3 V a 250 µA | 41 nC @ 5 V | ±20V | 2672 pF a 16 V | - | 3,1 W (Ta), 120 W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | IRGP6640D-EPBF | 1.0000 | | 1887 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 200 W | TO-247AD | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 24A, 10Ohm, 15V | 70 ns | - | 600V | 53A | 72A | 1,95V a 15V, 24A | 90 µJ (ligado), 600 µJ (desligado) | 50nC | 40ns/100ns | |||||||||||||||||
| IRG7PH46UD-EP | - | | 5766 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 390 W | TO-247AD | - | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 40A, 10Ohm, 15V | 140ns | Trincheira | 1200 V | 40A | 160A | 2V a 15V, 40A | 2,61mJ (ligado), 1,85mJ (desligado) | 220nC | 45ns/410ns | |||||||||||||||
| AUIRFS8405TRL | 1.2500 | | 134 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 2,3mOhm a 100A, 10V | 3,9 V a 100 µA | 161 nC @ 10 V | ±20V | 5193 pF a 25 V | - | 163W (Tc) | ||||||||||||||||||
| AUIRFS4310 | - | | 3245 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 100V | 75A (Tc) | 10V | 7mOhm @ 75A, 10V | 4 V a 250 µA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 7670 pF a 50 V | - | 300W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | IRF7842PBF | 1.0000 | | 3265 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 18A (Ta) | 4,5V, 10V | 5mOhm @ 17A, 10V | 2,25 V a 250 µA | 50 nC @ 4,5 V | ±20V | 4500 pF a 20 V | - | 2,5W (Ta) | |||||||||||||||||
 | IRGB4610DPBF | 1.0000 | | 7090 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | padrão | 77W | PARA-220AB | - | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 6A, 47Ohm, 15V | 74 ns | - | 600V | 16A | 18A | 2V a 15V, 6A | 56 µJ (ligado), 122 µJ (desligado) | 13nC | 27ns/75ns | |||||||||||||||||
| IRGIB15B60KD1P-IR | 1.0000 | | 2085 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | padrão | 52W | Pacote completo TO220 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 15A, 22Ohm, 15V | 67 ns | - | 600V | 19A | 38A | 2,2V a 15V, 15A | 127 µJ (ligado), 334 µJ (desligado) | 84nC | 30ns/173ns | |||||||||||||||
 | AUIRF3710Z | - | | 2231 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 59A (Tc) | 18mOhm a 35A, 10V | 4 V a 250 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 2.900 pF a 25 V | - | 160W (Tc) | ||||||||||||||||
| IRLS3036-7PPBF | - | | 2232 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia), TO-263CB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK (7 derivações) | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 60 V | 240A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,9mOhm a 180A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 160 nC @ 4,5 V | ±16V | 11270 pF a 50 V | - | 380W (Tc) | |||||||||||||||
| IRF3708PBF | - | | 6193 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 30 V | 62A (Tc) | 2,8V, 10V | 12mOhm @ 15A, 10V | 2V @ 250µA | 24 nC @ 4,5 V | ±12V | 2417 pF a 15 V | - | 87W (Tc) | |||||||||||||||
| IRFS4310TRRPBF | - | | 4204 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3-2 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 130A (Tc) | 7mOhm @ 75A, 10V | 4 V a 250 µA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 7670 pF a 50 V | - | 300W (Tc) | ||||||||||||||||
| IRGR4607DPBF | - | | 4548 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | padrão | 58 W | D-Pak | download | Não aplicável | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | 400V, 4A, 100Ohm, 15V | 48 ns | - | 600V | 11A | 12A | 2,05V a 15V, 4A | 140 µJ (ligado), 62 µJ (desligado) | 9nC | 27ns/120ns | |||||||||||||||||
| AUILR3705ZTRL | - | | 1184 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 98 | Canal N | 55V | 42A (Tc) | 8mOhm @ 42A, 10V | 3 V a 250 µA | 66 nC @ 5 V | 2.900 pF a 25 V | - | 130W (Tc) | ||||||||||||||||||||
 | IRG4PC50KDPBF-IR | - | | 7456 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 |
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