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Produtos Semicondutores discretos (1252)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF1324S-7PPBF | - |  | 1518 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia), TO-263CB | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (7 derivados) | download | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 24 v | 240a (TC) | 10V | 1MOHM @ 160A, 10V | 4V A 250µA | 252 NC @ 10 V | ± 20V | 7700 pf @ 19 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||
 | AUIRFU8403 | 0,9600 | | 17 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 3.1mohm @ 76a, 10V | 3.9V @ 100µA | 99 NC @ 10 V | ± 20V | 3171 pf @ 25 V | - | 99W (TC) | |||||||||||||||||
 | IRFF233 | - | | 8812 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-205AF METAL CAN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-205AF (TO-39) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 150 v | 4.5a | - | - | - | - | - | 25W | |||||||||||||||||||
 | IRFS7762TRLPBF | 1.0000 | | 400 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, STROTLIRFET ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 300 | N-canal | 75 v | 85a (TC) | 6V, 10V | 6.7mohm @ 51a, 10V | 3.7V @ 100µA | 130 nc @ 10 V | ± 20V | 4440 PF @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||
 | AUIRF3007 | 1.2000 | | 9 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 75 v | 75a (TC) | 10V | 12.6mohm @ 48a, 10V | 4V A 250µA | 130 nc @ 10 V | ± 20V | 3270 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||
| IRF343 | 1.4200 | | 5900 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 165 | N-canal | 350 v | 8a (TC) | 800MOHM @ 5A, 10V | 4V A 250µA | 60 nc @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||
| AUIRF1010EZSTRL | 1.0000 | | 3305 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 v | 75a (TC) | 10V | 8.5mohm @ 51a, 10V | 4V A 250µA | 86 nc @ 10 V | ± 20V | 2810 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||
 | IRF243 | - | | 9864 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AA (TO-3) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 150 v | 16a | - | - | - | - | - | 125W | |||||||||||||||||||
| IRFB3207ZPBF | - | | 1010 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 75 v | 120A (TC) | 10V | 4.1mohm @ 75a, 10V | 4V A 150µA | 170 nc @ 10 V | ± 20V | 6920 PF @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||
| IRFB4115GPBF | - | | 3297 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 150 v | 104a (TC) | 10V | 11mohm @ 62a, 10V | 5V A 250µA | 120 nc @ 10 V | ± 20V | 5270 pf @ 50 V | - | 380W (TC) | ||||||||||||||
| AUIRF6215 | 1.0000 | | 5014 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 150 v | 13a (TC) | 10V | 290mohm @ 6.6a, 10V | 4V A 250µA | 66 nc @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||
| IRF530NSPBF | - | | 8799 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 v | 17a (TC) | 10V | 90mohm @ 9a, 10V | 4V A 250µA | 37 nc @ 10 V | ± 20V | 920 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 70W (TC) | ||||||||||||||
| IRG4BC40W-LPBF | 2.0300 | | 15 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | Padrão | 160 w | To-262 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 480V, 20A, 10OHM, 15V | - | 600 v | 40 a | 160 a | 2.5V @ 15V, 20A | 110µJ (ON), 230µJ (Off) | 98 NC | 27ns/100ns | |||||||||||||||
| AUIRF3805STRL | - | | 3942 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 v | 160A (TC) | 3.3mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 290 nc @ 10 V | 7960 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRF7452pbf | - | | 4111 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 v | 4.5a (ta) | 10V | 60mohm @ 2.7a, 10V | 5,5V A 250µA | 50 nc @ 10 V | ± 30V | 930 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||
 | IRFS4115trl7pp | 2.0900 | | 25 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia), TO-263CB | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (7 derivados) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 150 v | 105a (TC) | 10V | 11.8mohm @ 63a, 10V | 5V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 5320 pf @ 50 V | - | 380W (TC) | |||||||||||||||||
| IRG4RC20FTRPBF | 0,5700 | | 6 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRG4RC20 | Padrão | 66 w | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 2.000 | 480V, 12A, 50OHM, 15V | - | 600 v | 22 a | 44 a | 2.1V @ 15V, 12a | 190µJ (ON), 920µJ (OFF) | 27 NC | 26ns/194ns | ||||||||||||||
| IRL3713pbf | - | | 4040 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 30 v | 260a (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 38a, 10V | 2,5V a 250µA | 110 nc @ 4,5 V | ± 20V | 5890 PF @ 15 V | - | 330W (TC) | |||||||||||||||||
| IRF7759L2TRPBF | - | | 4791 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ ISOMÉTRICO L8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFet ™ ISOMÉTRICO L8 | - | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 75 v | 26a (ta), 375a (tc) | 10V | 2.3mohm @ 96a, 10V | 4V A 250µA | 300 nc @ 10 V | ± 20V | 12222 PF @ 25 V | - | 3.3W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRFAF50 | 7.0500 | | 644 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AA (TO-3) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 900 v | 6.2a (TC) | 10V | 1.85OHM @ 6.2a, 10V | 4V A 250µA | 180 nc @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||
| IRFS7730-7PPBF | - | | 9846 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 75 v | 240a (TC) | 2mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 250µA | 428 nc @ 10 V | ± 20V | 13970 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||
 | IRF7404TRPBF | 0,4000 | | 9942 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 104 | Canal P. | 20 v | 6.7a (ta) | 2.7V, 4.5V | 40mohm @ 3.2a, 4.5V | 700mv @ 250µA (min) | 50 NC a 4,5 V | ± 12V | 1500 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||
| IRF3709ZPBF | 0,4600 | | 5 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 30 v | 87a (TC) | 6.3mohm @ 21a, 10V | 2,25V a 250µA | 26 NC a 4,5 V | ± 20V | 2130 PF @ 15 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||
| IRF7805TRPBF | 0,4600 | | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 4.000 | N-canal | 30 v | 13A (TA) | 4.5V | 11mohm @ 7a, 4.5V | 3V A 250µA | 31 NC @ 5 V | ± 12V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
| AUIRF1324S | 2.0900 | | 9 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 24 v | 195a (TC) | 10V | 1.65mohm @ 195a, 10V | 4V A 250µA | 240 nc @ 10 V | ± 20V | 7590 pf @ 24 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||
 | IRFI4228PBF-IR | 1.0800 | | 280 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220ab pak cheio | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 280 | N-canal | 150 v | 34a (TC) | 10V | 16mohm @ 20a, 10V | 5V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 30V | 4560 pf @ 25 V | - | 46W (TC) | ||||||||||||||
| IRLZ34NSPBF | - | | 9217 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 v | 30a (TC) | 4V, 10V | 35mohm @ 16a, 10V | 2V A 250µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 880 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRG4RC10KDTRPBF | 1.0000 | | 6391 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Padrão | 38 w | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 2.000 | 480V, 5A, 100OHM, 15V | 28 ns | - | 600 v | 9 a | 18 a | 2.62V @ 15V, 5A | 250µJ (ON), 140µJ (Off) | 29 NC | 49NS/97NS | ||||||||||||||
| AUIRFS8409-7P | 1.0000 | | 7556 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (7 derivados) | - | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 40 v | 240a (TC) | 10V | 0,75mohm @ 100a, 10V | 3,9V a 250µA | 460 nc @ 10 V | ± 20V | 13975 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||
| IRF430 | 1.4000 | | 7 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AA (TO-3) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 500 v | 4.5a (TC) | 10V | 1.8OHM @ 4.5A, 10V | 4V A 250µA | 40 nc @ 10 V | ± 20V | 610 pf @ 25 V | - | 75W (TC) |
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