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Produtos Semicondutores discretos (1252)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Auirfz44nstrl | 1.1600 |  | 12 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²pak | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 800 | N-canal | 55 v | 49a (TC) | 17.5mohm @ 25a, 10V | 4V A 250µA | 63 nc @ 10 V | 1470 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRF6713STRPBF | 1.0000 | | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | DirectFET ™ | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ SQ Isométrico | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFet ™ SQ Isométrico | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 25 v | 22a (TA), 95A (TC) | 3mohm @ 22a, 10V | 2.4V @ 50µA | 32 NC a 4,5 V | ± 20V | 2880 pf @ 13 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||
 | IRLS3036trl7pp | - | | 6925 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia), TO-263CB | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (7 derivados) | - | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 60 v | 240a (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 180a, 10V | 2,5V a 250µA | 160 nc @ 4,5 V | ± 16V | 11270 pf @ 50 V | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||
| IRL3803VPBF | 1.0000 | | 5678 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 71a, 10V | 1V a 250µA | 76 nc @ 4,5 V | ± 16V | 3720 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||
 | IRFS7787pbf | - | | 9853 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 75 v | 76a (TC) | 8.4mohm @ 46a, 10V | 3.7V @ 100µA | 109 NC @ 10 V | ± 20V | 4020 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||
| IRFR1010ZTRLPBF | - | | 1966 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 55 v | 42a (TC) | 10V | 7.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 100µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2840 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||
| AUIRFS6535TRL | - | | 7651 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 300 v | 19a (TC) | 10V | 185mohm @ 11a, 10V | 5V A 150µA | 57 nc @ 10 V | ± 20V | 2340 pf @ 25 V | - | 210W (TC) | |||||||||||||||||
| IRF6721STRPBF | 0,4400 | | 14 | 0,00000000 | Retificador Internacional | DirectFET ™ | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ SQ Isométrico | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFet ™ SQ Isométrico | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 2.183 | N-canal | 30 v | 14a (ta), 60a (tc) | 7.3mohm @ 14a, 10v | 2.4V @ 25µA | 17 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1430 PF @ 15 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||
| AUIRF3805S-7TRL | - | | 5963 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia), TO-263CB | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (7 derivados) | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 v | 160A (TC) | 10V | 2.6mohm @ 140a, 10V | 4V A 250µA | 200 nc @ 10 V | ± 20V | 7820 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||
| IRL7472L1TRPBF | 1.0000 | | 8378 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Strongirfet ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ ISOMÉTRICO L8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFet ™ ISOMÉTRICO L8 | - | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 375a (TC) | 4.5V, 10V | 0,59mohm @ 195a, 10V | 2,5V a 250µA | 330 NC a 4,5 V | ± 20V | 20082 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 341W (TC) | |||||||||||||||||
 | IRLH6224TRPBF | 1.0000 | | 5726 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 20 v | 28a (ta), 105a (tc) | 2.5V, 4.5V | 3mohm @ 20a, 4.5V | 1.1V @ 50µA | 86 nc @ 10 V | ± 12V | 3710 pf @ 10 V | - | 3.6W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||||||
 | IRF3709STRLPBF | 1.0000 | | 8735 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 30 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10V | 3V A 250µA | 41 nc @ 5 V | ± 20V | 2672 pf @ 16 V | - | 3.1W (TA), 120W (TC) | ||||||||||||||
| IRFS4310PBF | - | | 4036 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 100 v | 130a (TC) | 10V | 7mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 7670 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||
 | IRFF9231 | 4.3400 | | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-205AF METAL CAN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-205AF (TO-39) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 150 v | 4a (TC) | - | - | - | - | 25W | |||||||||||||||||
 | IRG4IBC20UDPBF | 0,9700 | | 272 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | Padrão | 34 w | To-220ab pak cheio | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 6.5A, 50OHM, 15V | 37 ns | - | 600 v | 11.4 a | 52 a | 2.1V @ 15V, 6.5a | 160µJ (ON), 130µJ (Off) | 27 NC | 39ns/93ns | ||||||||||||||
| AUIRF3710ZSTRL | - | | 3571 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 59a (TC) | 10V | 18mohm @ 35a, 10V | 4V A 250µA | 120 nc @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||
| IRFS7530-7PPBF | - | | 5750 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (7 derivados) | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 60 v | 240a (TC) | 1.4mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 250µA | 354 nc @ 10 V | ± 20V | 12960 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||
| IRLR2905pbf | - | | 2667 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 v | 42a (TC) | 4V, 10V | 27mohm @ 25a, 10V | 2V A 250µA | 48 nc @ 5 V | ± 16V | 1700 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||
 | IRFAC50 | 7.4200 | | 129 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AA (TO-3) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 600 v | 10.6a | - | - | - | - | - | 150W | ||||||||||||||||
| AUIRFS3004-7TRL | - | | 1736 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (7 derivados) | download | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 40 v | 240a (TC) | 10V | 1.25mohm @ 195a, 10V | 4V A 250µA | 240 nc @ 10 V | ± 20V | 9130 pf @ 25 V | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRG4BC40W-LPBF | 2.0300 | | 15 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | Padrão | 160 w | To-262 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 480V, 20A, 10OHM, 15V | - | 600 v | 40 a | 160 a | 2.5V @ 15V, 20A | 110µJ (ON), 230µJ (Off) | 98 NC | 27ns/100ns | |||||||||||||||
| IRFS7734TRL7PP | - | | 7522 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET®, STROTLIRFET ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-7 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 75 v | 197a (TC) | 6V, 10V | 3.05mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 150µA | 270 nc @ 10 V | ± 20V | 10130 pf @ 25 V | - | 294W (TC) | |||||||||||||||||
| Auirls3036trl | - | | 6888 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 v | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 165a, 10V | 2,5V a 250µA | 140 nc @ 4,5 V | ± 16V | 11210 PF @ 50 V | - | 380W (TC) | |||||||||||||||||
| AUIRF2804L-313TRL | - | | 4459 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-262 | - | 2156-AUirf2804L-313TRL | 1 | N-canal | 40 v | 195a (TC) | 10V | 2.3mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 240 nc @ 10 V | ± 20V | 6450 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||
| IRL520NSPBF | - | | 7791 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | - | 2156-IRL520NSPBF | 1 | N-canal | 100 v | 10a (TC) | 4V, 10V | 180mohm @ 6a, 10V | 2V A 250µA | 20 NC @ 5 V | ± 16V | 440 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 48W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Auirlz24ns | 0,7800 | | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 v | 18a (TC) | 4V, 10V | 60mohm @ 11a, 10V | 2V A 250µA | 15 nc @ 5 V | ± 16V | 480 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||
| AUIRFN8401TR | - | | 9001 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PQFN (5x6) | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 4.000 | N-canal | 40 v | 84a (TC) | 10V | 4.6mohm @ 50a, 10V | 3.9V @ 50µA | 66 nc @ 10 V | ± 20V | 2170 pf @ 25 V | - | 4.2W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||
| IRFU6215PBF | - | | 1501 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | IPAK (TO-251) | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal P. | 150 v | 13a (TC) | 10V | 295mohm @ 6.6a, 10V | 4V A 250µA | 66 nc @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||
| AUIRFR4105 | 0,6600 | | 5 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 v | 20a (TC) | 10V | 45mohm @ 16a, 10V | 4V A 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||
| IRFS3806pbf | 0,3500 | | 7892 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 290 | N-canal | 60 v | 43a (TC) | 10V | 15.8mohm @ 25a, 10V | 4V @ 50µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 50 V | - | 71W (TC) |
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