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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Tipo | Número básico do produto | Tipo de entrada | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Condição de teste | Real | Tensão | Tensão - Isolamento | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tempo de recuperação reversa (trr) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFS3107PBF | 1.0000 | ![]() | 5707 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | - | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 75 V | 195A (Tc) | 10V | 3mOhm @ 140A, 10V | 4 V a 250 µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 9370 pF a 50 V | - | 370W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7413TRPBF | - | ![]() | 8428 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 4.000 | Canal N | 30 V | 13A (Ta) | 11mOhm @ 7,3A, 10V | 3 V a 250 µA | 79 nC @ 10 V | ±20V | 1800 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta) | |||||||||||||||||||||
![]() | IRGR2B60KDTRRPBF | - | ![]() | 7153 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | padrão | 35 W | D-Pak | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 2A, 100Ohm, 15V | 68 ns | TNP | 600V | 6.3A | 8A | 2,25V a 15V, 2A | 74 µJ (ligado), 39 µJ (desligado) | 12nC | 11ns/150ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRAM256-1067A | 1.0000 | ![]() | 2662 | 0,00000000 | Retificador Internacional | iMOTION™ | Tubo | Ativo | Através do furo | Módulo 29-PowerSSIP, 21 derivações, derivações formadas | IGBT | download | Não aplicável | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3 Fase | 10A | 600V | 2.000 Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1324STRL-7PP | - | ![]() | 3821 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia) | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK (7 derivações) | - | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 24V | 240A (Tc) | 1mOhm a 160A, 10V | 4 V a 250 µA | 252 nC @ 10 V | ±20V | 7700 pF a 19 V | - | 300W (Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | IRF6637TRPBF | 0,8300 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | MP isométrico DirectFET™ | MOSFET (óxido metálico) | DIRECTFET™MP | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 30 V | 14A (Ta), 59A (Tc) | 4,5V, 10V | 7,7mOhm a 14A, 10V | 2,35 V a 250 µA | 17 nC @ 4,5 V | ±20V | 1330 pF a 15 V | - | 2,3 W (Ta), 42 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRAM256-1067A2 | - | ![]() | 9536 | 0,00000000 | Retificador Internacional | iMOTION™ | Volume | Ativo | Através do furo | Módulo 29-PowerSSIP, 21 derivações, derivações formadas | IGBT | download | Não aplicável | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3 Fase | 10A | 600V | 2.000 Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFPS3810PBF | - | ![]() | 6400 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-274AA | MOSFET (óxido metálico) | SUPER-247 (TO-274AA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 170A (Tc) | 9mOhm @ 100A, 10V | 5 V a 250 µA | 390 nC @ 10 V | ±30V | 6790 pF a 25 V | - | 580W (Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | IRAM136-1060BS | 1.0000 | ![]() | 3201 | 0,00000000 | Retificador Internacional | iMOTION™ | Volume | Ativo | Através do furo | Módulo 29-SSIP, 21 derivações, derivações formadas | IGBT | download | Não aplicável | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Inversor trifásico | 3,6A | 600V | 2.000 Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF6218S-IR | - | ![]() | 6333 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal P | 150 V | 27A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 16A, 10V | 5 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 2210 pF a 25 V | - | 250W (Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRFS77347PPBF | - | ![]() | 6797 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | - | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 75 V | 197A (Tc) | 3,05mOhm a 100A, 10V | 3,7 V a 250 µA | 270 nC @ 10 V | ±20V | 10130 pF a 25 V | - | 294W (Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | IRFSL4310ZPBF | - | ![]() | 3516 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 100V | 120A (Tc) | 10V | 6mOhm @ 75A, 10V | 4 V a 150 µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 6860 pF a 50 V | - | 250W (Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRF224 | 2.3400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | - | Através do furo | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (óxido metálico) | TO-204AA (TO-3) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 250 V | 3,8A | - | - | - | - | - | 40W | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6218PBF | - | ![]() | 8651 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 50 | Canal P | 150 V | 27A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 16A, 10V | 5 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 2210 pF a 25 V | - | 250W (Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFU8403 | 0,9600 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | I-PAK | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 100A (Tc) | 10V | 3,1mOhm a 76A, 10V | 3,9 V a 100 µA | 99 nC @ 10 V | ±20V | 3171 pF a 25 V | - | 99W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRGSL4B60KD1PBF | 0,9500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | padrão | 63W | PARA-262 | download | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 4A, 100Ohm, 15V | 93 ns | TNP | 600V | 11A | 22A | 2,5V a 15V, 4A | 73 µJ (ligado), 47 µJ (desligado) | 12nC | 22ns/100ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ34NSPBF | - | ![]() | 3502 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 7 | Canal N | 55 V | 29A (Tc) | 40mOhm @ 16A, 10V | 4 V a 250 µA | 34 nC @ 10 V | ±20V | 700 pF a 25 V | - | 3,8 W (Ta), 68 W (Tc) | |||||||||||||||||||||
| AUIRF4310Z | 1.0000 | ![]() | 2800 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotivo, AEC-Q101, HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO247-3 | - | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 100V | 128A (Tc) | 10V | 6mOhm @ 77A, 10V | 4 V a 150 µA | 188 nC @ 10 V | ±20V | 7120 pF a 50 V | - | 278W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB4115GPBF | - | ![]() | 3297 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 150 V | 104A (Tc) | 10V | 11mOhm @ 62A, 10V | 5 V a 250 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 5270 pF a 50 V | - | 380W (Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRF343 | 1.4200 | ![]() | 5900 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-3 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 0000.00.0000 | 165 | Canal N | 350V | 8A (Tc) | 800mOhm @ 5A, 10V | 4 V a 250 µA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 1600 pF a 25 V | - | 125W (Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | IRL7472L1TRPBF | 1.0000 | ![]() | 8378 | 0,00000000 | Retificador Internacional | ForteIRFET™ | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DirectFET™ Isométrico L8 | MOSFET (óxido metálico) | DirectFET™ Isométrico L8 | - | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 375A (Tc) | 4,5V, 10V | 0,59mOhm a 195A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 330 nC @ 4,5 V | ±20V | 20082 pF @ 25 V | - | 3,8 W (Ta), 341 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRGSL30B60K-IR | - | ![]() | 1759 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | AUIRGSL30 | padrão | 370 W | PARA-262 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | TNP | 600V | 78A | 120A | 2,35V a 15V, 30A | 350 µJ (ligado), 825 µJ (desligado) | 153nC | 46ns/185ns | ||||||||||||||||||||
![]() | AUIRG4BC30U-S | - | ![]() | 5319 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | AUIRG4 | padrão | 100 W | D2PAK | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 12A, 23Ohm, 15V | - | 600V | 23A | 92A | 2,1V a 15V, 12A | 160 µJ (ligado), 200 µJ (desligado) | 75nC | 17ns/78ns | ||||||||||||||||||||
![]() | IRF7807VPBF | 1.0000 | ![]() | 2076 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | MOSFET (óxido metálico) | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal N | 30 V | 8,3A (Ta) | 4,5 V | 25mOhm @ 7A, 4,5V | 3 V a 250 µA | 14 nC @ 5 V | ±20V | - | 2,5W (Ta) | |||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS8409 | 2.4500 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO263-3 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 1,2mOhm a 100A, 10V | 3,9 V a 250 µA | 450 nC @ 10 V | ±20V | 14240 pF a 25 V | - | 375W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRGS6B60KTRLPBF | 1.5500 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | REACH afetado | 2156-IRGS6B60KTRLPBF-600047 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH4257DTRPBF | 0,9800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerVDFN | IRFH4257 | MOSFET (óxido metálico) | 25W, 28W | PQFN duplo (5x4) | download | Não aplicável | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 2 canais N (duplo) | 25V | 25A | 3,4mOhm a 25A, 10V | 2,1 V a 35 µA | 15nC a 4,5V | 1321pF a 13V | Portão de nível lógico | |||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4266D-EPBF | 5.5400 | ![]() | 141 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | padrão | 455 W | TO-247AD | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 75A, 10Ohm, 15V | 170ns | - | 650 V | 140A | 300A | 2,1V a 15V, 75A | 2,5mJ (ligado), 2,2mJ (desligado) | 210nC | 50ns/200ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRL024Z | 0,4800 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | I-PAK | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55 V | 16A (Tc) | 4,5V, 10V | 58mOhm @ 9,6A, 10V | 3 V a 250 µA | 9,9 nC a 5 V | ±16V | 380 pF a 25 V | - | 35W (Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 64-9174PBF | 1.0000 | ![]() | 3748 | 0,00000000 | Retificador Internacional | * | Volume | Ativo | - | Não aplicável | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 336 |

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