SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
IRFU9110 Harris Corporation IRFU9110 0,3600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IRFU9 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 Canal P. 100 v 3.1a (TC) 10V 1.2OHM @ 1.9A, 10V 4V A 250µA 8,7 nc @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
TIP127 Harris Corporation TIP127 1.0000
RFQ
ECAD 6542 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w TO-220AB - ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 100 v 5 a 500µA PNP - Darlington 4V @ 20MA, 5A 1000 @ 3A, 3V -
RCA1C04 Harris Corporation RCA1C04 -
RFQ
ECAD 1421 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
1N5059 Harris Corporation 1N5059 0,1700
RFQ
ECAD 7918 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco Sod-57, axial Padrão SOD-57 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1.360 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 2 A 4 µs 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a 40pf @ 0V, 1MHz
2N6032 Harris Corporation 2N6032 115.1800
RFQ
ECAD 41 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AE 140 w TO-204AE download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 3 90 v 50 a 10mA Npn 1.3V @ 5A, 50A 10 @ 50A, 2,6V
HGTB12N60D1C Harris Corporation HGTB12N60D1C 3.6200
RFQ
ECAD 598 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-5 Padrão 75 w To-220-5 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 600 v 12 a 40 a 2.7V @ 15V, 10A - -
HGT1S15N120C3 Harris Corporation HGT1S15N120C3 3.7100
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA Padrão 164 w I2pak (to-262) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 1200 v 35 a 120 a 3.5V @ 15V, 15A - 100 nc -
HGTG201N100E2 Harris Corporation HGTG201N100E2 -
RFQ
ECAD 6534 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido 1
HGTG24N60D1 Harris Corporation HGTG24N60D1 8.9300
RFQ
ECAD 25 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 125 w To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 600 v 40 a 96 a 2.3V @ 15V, 24a - 155 NC -
HGTP10N40C1D Harris Corporation HGTP10N40C1D 2.6100
RFQ
ECAD 206 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 75 w To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 400 v 17.5 a 3.2V @ 20V, 17.5a - 19 NC -
HGTP10N40E1D Harris Corporation HGTP10N40E1D 1.4600
RFQ
ECAD 3090 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 75 w To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 162 - - 400 v 17.5 a 3.2V @ 20V, 17.5a - 19 NC -
RFD20N03SM9A Harris Corporation RFD20N03SM9A 0,7800
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 20a (TC) 10V 25mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 75 NC @ 20 V ± 20V 1150 pf @ 25 V - 90W (TC)
RFP50N05 Harris Corporation RFP50N05 0,9200
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 50 v 50a (TC) 10V 22mohm @ 50a, 10V 4V a 250na 160 nc @ 20 V ± 20V - 132W (TC)
BD244C Harris Corporation BD244C 0,7300
RFQ
ECAD 5211 0,00000000 Harris Corporation - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 65 w TO-220AB download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 200 100 v 6 a 700µA Pnp 1.5V @ 1A, 6A 15 @ 3A, 4V -
CA3083R4339-HC Harris Corporation CA3083R4339-HC 0,4600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 0000.00.0000 1
HFA3127B Harris Corporation HFA3127B 5.3200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) 150mW 16-SOIC download Rohs Não Compatível Ear99 8541.21.0075 48 - 12V 65mA 5 npn 40 @ 10MA, 2V 8GHz 3.5dB @ 1GHz
HFA3127B96 Harris Corporation HFA3127B96 -
RFQ
ECAD 7981 0,00000000 Harris Corporation - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) 150mW 16-SOIC - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-HFA3127B96-600026 1 - 12V 65mA 5 npn 40 @ 10MA, 2V 8GHz 3.5dB @ 1GHz
IRF9532 Harris Corporation IRF9532 0,6700
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 100 v 10a (TC) 10V 400mohm @ 6.5a, 10V 4V A 250µA 45 nc @ 10 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 75W (TC)
2N3393 Harris Corporation 2N3393 0,3200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 2N339 625 MW TO-92-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 1 25 v 500 MA 100na (ICBO) Npn - 90 @ 2MA, 4,5V -
RF1S9530 Harris Corporation RF1S9530 1.8700
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 Canal P. 100 v 12a (TC) 10V 300mohm @ 6.5a, 10V 4V A 250µA 45 nc @ 10 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 75W (TC)
HIP2060ASE Harris Corporation HIP2060ase 1.8300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo HIP2060 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 -
RURD420CC Harris Corporation RURD420CC 0,4900
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1
RURG5070 Harris Corporation RURG5070 -
RFQ
ECAD 2630 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-247-2 Avalanche To-247-2 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 43 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 700 v 1,9 V @ 50 A 200 ns 500 µA @ 700 V -65 ° C ~ 175 ° C. 50a -
GES5815 Harris Corporation GES5815 -
RFQ
ECAD 4455 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 135 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW TO-92-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 1.000 40 v 750 Ma 100na (ICBO) Pnp 750mv @ 50Ma, 500mA 60 @ 2MA, 2V 100MHz
HGTD7N60C3 Harris Corporation HGTD7N60C3 -
RFQ
ECAD 5957 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA Padrão 60 w I-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 225 - - 600 v 14 a 56 a 2V @ 15V, 7a - 30 NC -
BD244B Harris Corporation BD244B 0,1900
RFQ
ECAD 2813 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 65 w To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 271 80 v 6 a 700µA Pnp 1.5V @ 1A, 6A 15 @ 3A, 4V 3MHz
ICL7149CM44 Harris Corporation ICL7149CM44 5.4000
RFQ
ECAD 235 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-ICL7149CM44-600026 1
RFH30N15 Harris Corporation RFH30N15 3.9100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-218 ISOLADO download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 30a (TC) 10V 75mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 3000 pf @ 25 V - 150W (TC)
BD240A Harris Corporation BD240A -
RFQ
ECAD 3864 0,00000000 Harris Corporation - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 30 w To-220 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 253 60 v 2 a 300µA Pnp 700MV @ 200Ma, 1A 40 @ 200Ma, 4V -
IRFR121 Harris Corporation IRFR121 0,3400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 80 v 8.4a - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque