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Produtos Semicondutores discretos (1081)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
IRF433 Harris Corporation IRF433 -
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 ECAD 8910 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Através do buraco TO-204AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 154 N-canal 450 v 4a - - - - - 75W
HGTP20N35F3ULR3935 Harris Corporation HGTP20N35F3ULR3935 1.9200
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1
IGT6D10 Harris Corporation IGT6D10 2.0700
RFQ
 ECAD 8868 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA Lógica 75 w TO-3 download Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 106 - - 400 v 10 a 40 a 2.7V @ 15V, 10A - -
D44E1 Harris Corporation D44E1 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 1,67 w To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 40 v 10 a 10µA NPN - Darlington 2V @ 20MA, 10A 1000 @ 5A, 5V -
HUF75333P3 Harris Corporation HUF75333P3 0,7600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 66a (TC) 16mohm @ 66a, 10V 4V A 250µA 85 nc @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 150W (TC)
HUF75339S3 Harris Corporation HUF75339S3 0,2200
RFQ
 ECAD 7399 0,00000000 Harris Corporation Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-262AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1.200 N-canal 55 v 70A (TC) 12mohm @ 70A, 10V 4V A 250µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 124W (TC)
BD751C Harris Corporation BD751C 2.2700
RFQ
 ECAD 274 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo 200 ° C (TJ) Através do buraco Parágrafo 204 250 w TO-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 130 v 20 a 500µA Npn 1V @ 500MA, 5A 25 @ 5A, 2V
IRFD320 Harris Corporation IRFD320 1.9400
RFQ
 ECAD 812 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-HVMDIP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 400 v 490mA (TA) 1.8OHM @ 210MA, 10V 4V A 250µA 20 NC A 10 V ± 20V 410 pf @ 25 V - 1W (TA)
RFD20N03SM9A Harris Corporation RFD20N03SM9A 0,7800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 20a (TC) 10V 25mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 75 NC @ 20 V ± 20V 1150 pf @ 25 V - 90W (TC)
RFP15N08L Harris Corporation RFP15N08L 0,5700
RFQ
 ECAD 49 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 80 v 15a (TC) 5V 140mohm @ 7.5a, 5V 2.5V @ 1MA 80 nc @ 10 V ± 10V - 72W (TC)
IRFP451 Harris Corporation IRFP451 3.6000
RFQ
 ECAD 538 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 450 v 14a (TC) 10V 400mohm @ 7.9a, 10V 4V A 250µA 130 nc @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 180W (TC)
HGTH20N50EID Harris Corporation HGTH20N50EID 3.4000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1
IG77E20CS Harris Corporation IG77E20CS 1.0000
RFQ
 ECAD 9860 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido 1
HGTP10N40C1D Harris Corporation HGTP10N40C1D 2.6100
RFQ
 ECAD 206 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 75 w To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 400 v 17.5 a 3.2V @ 20V, 17.5a - 19 NC -
IRFU9110 Harris Corporation IRFU9110 0,3600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IRFU9 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 Canal P. 100 v 3.1a (TC) 10V 1.2OHM @ 1.9A, 10V 4V A 250µA 8,7 nc @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
2N1613 Harris Corporation 2N1613 20.3500
RFQ
 ECAD 91 0,00000000 Harris Corporation - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N16 800 MW TO-39 (TO-205AD) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 16 30 v 500 MA 10na (ICBO) Npn 1,5V a 15mA, 150mA 40 @ 150mA, 10V -
RFP2N08 Harris Corporation RFP2N08 0,2700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1.110 N-canal 80 v 2a (TC) 10V 1.05OHM @ 2A, 5V 4V A 250µA ± 20V 200 pf @ 25 V - 25W (TC)
2N6264 Harris Corporation 2N6264 -
RFQ
 ECAD 3078 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1
IGTM10N40A Harris Corporation IGTM10N40A 1.6100
RFQ
 ECAD 200 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Através do buraco TO-204AA Padrão TO-3 download Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 200 - - 400 v 10 a - - -
HGTD8P50GIS Harris Corporation HGTD8P50GIS -
RFQ
 ECAD 6829 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - 0000.00.0000 1
BFT28C Harris Corporation BFT28C -
RFQ
 ECAD 3340 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 5 w TO-39 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 324 250 v 1 a 5µA (ICBO) Pnp 5V @ 1MA, 10MA 20 @ 10MA, 10V
RFP15N06 Harris Corporation RFP15N06 0,4400
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 15a (TC) 10V 140mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 850 pf @ 25 V - 90W (TC)
RFP4N05 Harris Corporation RFP4N05 0,5700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 50 v 4a (TC) 10V 800MOHM @ 4A, 10V 4V A 250µA ± 20V 200 pf @ 25 V - 25W (TC)
IRF613 Harris Corporation IRF613 0,3300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 2.6a (TC) 10V 2.4OHM @ 1.6a, 10V 4V A 250µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 135 pf @ 25 V - 43W (TC)
BUZ60BU Harris Corporation Buz60bu 9.8400
RFQ
 ECAD 200 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo Buz60 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 0000.00.0000 1 -
HFA3128B Harris Corporation HFA3128B 4.9200
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 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-HFA3128B-600026 1
HFA3127B Harris Corporation HFA3127B 5.3200
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 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) 150mW 16-SOIC download Rohs Não Compatível Ear99 8541.21.0075 48 - 12V 65mA 5 npn 40 @ 10MA, 2V 8GHz 3.5dB @ 1GHz
RF1S9630SM Harris Corporation RF1S9630SM 0,9700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 200 v 6.5a - - - - - -
MUR1615CT Harris Corporation MUR1615CT 1.0000
RFQ
 ECAD 6127 0,00000000 Harris Corporation SwitchMode ™ Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 Padrão To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 8a 975 mV @ 8 a 35 ns 5 µA A 150 V -65 ° C ~ 175 ° C.
2N3440 Harris Corporation 2N3440 12.5600
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 ECAD 15 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N34 800 MW TO-39 (TO-205AD) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 24 250 v 1 a 2µA Npn 500mv @ 4Ma, 50Ma 40 @ 20MA, 10V 15MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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