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Produtos Semicondutores discretos (1081)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
IRF9542 Harris Corporation IRF9542 1.7800
RFQ
 ECAD 497 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 169 Canal P. 100 v 15a (TC) 10V 300mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 90 nc @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 25 V - 150W (TC)
RURD3090 Harris Corporation RURD3090 2.6200
RFQ
 ECAD 119 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 119
RFIS40N10LE Harris Corporation RFIS40N10LE 1.3700
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo Rfis40 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 -
IRFU220S2497 Harris Corporation IRFU220S2497 0,4400
RFQ
 ECAD 900 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo IRFU220 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 -
HGTG7N60A4D Harris Corporation HGTG7N60A4D 1.7700
RFQ
 ECAD 269 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 125 w To-247 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 450 390V, 7A, 25OHM, 15V 34 ns - 600 v 34 a 56 a 2.7V @ 15V, 7a 55µJ (ON), 60µJ (Desligado) 37 NC 11ns/100ns
RFP15N08L Harris Corporation RFP15N08L 0,5700
RFQ
 ECAD 49 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 80 v 15a (TC) 5V 140mohm @ 7.5a, 5V 2.5V @ 1MA 80 nc @ 10 V ± 10V - 72W (TC)
D44VM10 Harris Corporation D44VM10 0,8200
RFQ
 ECAD 750 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 50 w TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0075 1 80 v 8 a 10µA Npn 600mv @ 300ma, 6a 40 @ 4A, 1V 50MHz
IRF823 Harris Corporation IRF823 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 450 v 2.2a (TC) 10V 4ohm @ 1.4a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 50W (TC)
D45VM4 Harris Corporation D45VM4 -
RFQ
 ECAD 5963 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 50 w To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0075 21 45 v 8 a 10µA Pnp 600mv @ 300ma, 6a 40 @ 4A, 1V 50MHz
D44VM4 Harris Corporation D44VM4 0,6900
RFQ
 ECAD 600 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 50 w TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0075 1 45 v 8 a 10µA Npn 600mv @ 300ma, 6a 40 @ 4A, 1V 50MHz
BYW51100 Harris Corporation BYW51100 0,7600
RFQ
 ECAD 6514 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-220-3 BYW51 Padrão TO-220AB download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 8a 950 mV @ 8 A 35 ns 5 µA A 100 V -40 ° C ~ 150 ° C.
RURH3060CC Harris Corporation RURH3060CC -
RFQ
 ECAD 9185 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac Avalanche TO-218 ISOLADO download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 30a 1,5 V @ 30 A 60 ns 500 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C.
RF1S17N06L Harris Corporation RF1S17N06L 0,6700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo RF1S - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 -
RURD1580 Harris Corporation RURD1580 2.2400
RFQ
 ECAD 260 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
RHRG30100 Harris Corporation RHRG30100 1.0000
RFQ
 ECAD 3446 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco TO-274AA Padrão Super-247 (TO-274AA) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 3 V @ 30 A 75 ns 500 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 30a -
IRFP140R Harris Corporation IRFP140R 2.5400
RFQ
 ECAD 6300 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 31 N-canal 100 v 31a (TC) 10V 77mohm @ 19a, 10V 4V A 250µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1275 pf @ 25 V - 180W (TC)
RURH1550CC Harris Corporation RURH1550CC 2.5800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac Avalanche TO-218 ISOLADO download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 500 v 15a 1,5 V @ 15 A 60 ns 100 µA @ 500 V -55 ° C ~ 175 ° C.
IRF740R Harris Corporation IRF740R -
RFQ
 ECAD 8783 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 46 N-canal 400 v 10a (TC) 10V 550mohm @ 5.2a, 10V 4V A 250µA 63 nc @ 10 V ± 20V 1250 pf @ 25 V - 125W (TC)
HGTG2ON60C3DR Harris Corporation HGTG2ON60C3DR 3.2100
RFQ
 ECAD 302 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1
CA3083S2064 Harris Corporation CA3083S2064 0,5000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 0000.00.0000 1
IRFP245 Harris Corporation IRFP245 1.5400
RFQ
 ECAD 400 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 250 v 14a (TC) 10V 340mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 150W (TC)
RCA1001 Harris Corporation RCA1001 1.0000
RFQ
 ECAD 1599 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 90 w TO-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 80 v 8 a 500µA NPN - Darlington 4V @ 40ma, 8a 1000 @ 3A, 3V -
RHRU10050 Harris Corporation RHRU10050 4.3500
RFQ
 ECAD 209 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Montagem do chassi TO-218-1 Padrão To-218 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 2,1 V @ 100 A 60 ns 500 µA @ 500 V -65 ° C ~ 175 ° C. 100a -
TIP12525 Harris Corporation TIP12525 -
RFQ
 ECAD 8782 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1
RHRD650S Harris Corporation RHRD650S 0,5200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 2.1 V @ 6 A 35 ns 100 µA @ 500 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
RURG8070 Harris Corporation RURG8070 3.1000
RFQ
 ECAD 977 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-247-2 Avalanche To-247-2 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 700 v 1,9 V @ 80 A 200 ns 500 µA @ 700 V -65 ° C ~ 175 ° C. 80a -
IRF9511 Harris Corporation IRF9511 1.0000
RFQ
 ECAD 8141 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 80 v 3a (TC) 10V 1.2OHM @ 1.5A, 10V 4V A 250µA 11 NC @ 10 V ± 20V 180 pf @ 25 V - 20W (TC)
IRF641 Harris Corporation IRF641 1.6000
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 18a (TC) 10V 180mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 64 nc @ 10 V ± 20V 1275 pf @ 25 V - 125W (TC)
HC5523IM Harris Corporation HC5523IM 3.3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-HC5523IM-600026 1
D45C9 Harris Corporation D45C9 -
RFQ
 ECAD 5042 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 30 w To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0075 36 60 v 4 a 10µA Pnp 500mV @ 50Ma, 1A 40 @ 200Ma, 1V 40MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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