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Produtos Semicondutores discretos (1081)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HGTP20N35F3ULR3935 | 1.9200 |  | 800 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tip47 | - | | 4518 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | 2 w | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 v | 1 a | 1Ma | Npn | 1V @ 200Ma, 1A | 30 @ 300mA, 10V | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||
| HGTP20N35F3VL | 1.9200 | | 1 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IG77E20CS | 1.0000 | | 9860 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR91209AR3603 | - | | 6928 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | IRFR9120 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 499 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF710 | 0,4100 | | 4 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF710 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 400 v | 2a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.1a, 10V | 4V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 135 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||||||||||||||||
| HUF76122P3 | 1.0000 | | 1950 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUF75307T3ST136 | 0,2400 | | 3 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | HUF75307 | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HGTP14N0FVLR4600 | - | | 9929 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IGTH20N40AD | 3.3600 | | 444 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac | Padrão | TO-218 ISOLADO | download | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 400 v | 20 a | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| RFP30N6LER4541 | 0,4200 | | 4 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | RFP30 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFPC42 | 1.4100 | | 5 | 0,00000000 | Harris Corporation | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC (TO-3P) | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 600 v | 5.9a (TC) | 10V | 1.6ohm @ 3.7a, 10V | 4V A 250µA | 60 nc @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||
| HGTH20N50EID | 3.4000 | | 1 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGTH20N40D | 3.2600 | | 248 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac | Padrão | TO-218 ISOLADO | download | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 400 v | 20 a | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| IRFU420 | - | | 8809 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 395 | N-canal | 500 v | 2.4a (TC) | 3ohm @ 1.4a, 10V | 4V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||
| Jansr2N7292 | 407.6400 | | 1 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-254AA | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 v | 25a (TC) | 10V | 70mohm @ 20a, 10V | 5V @ 1MA | 552 nc @ 20 V | ± 20V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRFD220 | 0,5200 | | 913 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD220 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-DIP, HEXDIP, HVMDIP | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 200 v | 800mA (TA) | 10V | 800MOHM @ 480MA, 10V | 4V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||
| RFH75N05 | 4.1100 | | 80 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-218 ISOLADO | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | N-canal | 50 v | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | HGTP3N60B3 | 0,5200 | | 2 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Padrão | 33.3 w | To-220 | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 3.5A, 82OHM, 15V | 16 ns | - | 600 v | 7 a | 20 a | 2.1V @ 15V, 3.5a | 66µJ (ON), 88µJ (Off) | 21 NC | 18ns/105ns | ||||||||||||||||||||
| BDX33CP2 | 0,5900 | | 1 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rfp2no8l | 0,2300 | | 1 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGTH20N50A | 2.6100 | | 5178 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac | Padrão | TO-218 ISOLADO | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 38 | - | - | 500 v | 20 a | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| IRF840RU | - | | 5093 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | - | 0000.00.0000 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSI510 | - | | 5045 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | - | 0000.00.0000 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IGTM20N40 | - | | 9799 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | Padrão | TO-3 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | - | - | 400 v | 20 a | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| IGTM20N50 | 1.0000 | | 4800 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | Padrão | TO-3 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 500 v | 20 a | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| HGTD8P50GIS | - | | 6829 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HGTH12N40E1D | - | | 5438 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac | Padrão | 75 w | TO-218 ISOLADO | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 109 | - | 100 ns | - | 400 v | 12 a | 17.5 a | 3.2V @ 20V, 17.5a | - | 19 NC | - | ||||||||||||||||||||
| HUF75333P3 | 0,7600 | | 2 | 0,00000000 | Harris Corporation | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 55 v | 66a (TC) | 16mohm @ 66a, 10V | 4V A 250µA | 85 nc @ 20 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| RF1S530SM9A | 0,8800 | | 800 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | ALCANCE AFETADO | 2156-RF1S530SM9A-600026 | 1 |
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