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Produtos Semicondutores discretos (1081)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
RHRP1590 Harris Corporation RHRP1590 0,9300
RFQ
 ECAD 630 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Avalanche TO-220AC download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 900 v 3 V @ 15 A 70 ns 100 µA A 900 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a -
1N4246 Harris Corporation 1N4246 3.3600
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco Axial Padrão Axial download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 90 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 3 A 5 µs 1 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a -
IRFF433 Harris Corporation IRFF433 2.6000
RFQ
 ECAD 250 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 116 N-canal 450 v 2.25a (TC) 10V 2OHM @ 1.5A, 10V 4V A 250µA 30 NC a 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 25W (TC)
RURP8100CC Harris Corporation RURP8100CC -
RFQ
 ECAD 2730 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-220-3 Avalanche To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 130 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1000 v 8a 1,8 V @ 8 A 100 ns 100 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C.
MUR840 Harris Corporation Mur840 0,5900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation SwitchMode ™ Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 Mur84 Padrão TO-220AC download Rohs Não Compatível Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 8 A 60 ns 10 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 8a -
1N5062 Harris Corporation 1N5062 0,2400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco Sod-57, axial Padrão SOD-57 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 2 A 4 µs 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a 40pf @ 0V, 1MHz
RF1S9640 Harris Corporation RF1S9640 1.2000
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 ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1 Canal P. 200 v 11a (TC) 500mohm @ 6a, 10V 4V A 250µA 90 nc @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 25 V - 125W (TC)
RF1S9640SM9A Harris Corporation RF1S9640SM9A -
RFQ
 ECAD 5891 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-RF1S9640SM9A-600026 1
RURU5080 Harris Corporation RURU5080 -
RFQ
 ECAD 1556 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Montagem do chassi TO-218-1 Avalanche To-218 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 2 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,9 V @ 50 A 200 ns 500 µA A 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 50a -
BUZ73A Harris Corporation Buz73a 0,4300
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 ECAD 19 0,00000000 Harris Corporation Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 200 v 5.5a (TC) 10V 600mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 530 pf @ 25 V - 40W (TC)
IRFR220119 Harris Corporation IRFR220119 -
RFQ
 ECAD 2647 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo IRFR220 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 675 -
IRFD322 Harris Corporation IRFD322 1.5600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DIP, HEXDIP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 400 v 400mA (TC) 10V 2.5OHM @ 250MA, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 20V 455 pf @ 25 V - 1W (TC)
RURP3010 Harris Corporation RURP3010 2.4400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Avalanche TO-220AC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 30 A 50 ns 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a -
IRFP250S2453 Harris Corporation IRFP250S2453 1.6000
RFQ
 ECAD 450 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo IRFP250 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1 -
RURD1510 Harris Corporation RURD1510 2.1900
RFQ
 ECAD 474 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac Avalanche TO-218 ISOLADO download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 1,05 V @ 15 A 35 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C.
RFD16N02L Harris Corporation RFD16N02L 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 20 v 16a (TC) 5V 22mohm @ 16a, 5V 2V A 250µA 60 nc @ 10 V ± 10V 1300 pf @ 20 V - 90W (TC)
BDX33C Harris Corporation BDX33C 0,3900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 BDX33 70 w TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 842 100 v 10 a 500µA NPN - Darlington 2.5V @ 6MA, 3A 750 @ 3A, 3V -
IRFD311 Harris Corporation IRFD311 0,9300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DIP, HEXDIP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 350 v 400mA (TC) 10V 3.6ohm @ 200Ma, 10V 4V A 250µA 7,5 nc @ 10 V ± 20V 135 pf @ 25 V - 1W (TC)
D44E2 Harris Corporation D44E2 1.0800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 1,67 w To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 278 60 v 10 a 10µA NPN - Darlington 2V @ 20MA, 10A 1000 @ 5A, 5V -
RFP18N08 Harris Corporation RFP18N08 1.1000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 80 v 18a (TC) 10V 100mohm @ 9a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1700 pf @ 25 V - 75W (TC)
D40V3121 Harris Corporation D40V3121 0,4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
RURD3070 Harris Corporation RURD3070 2.5500
RFQ
 ECAD 225 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
BUZ11S2537 Harris Corporation Buz11S2537 0,4600
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
IRF9633 Harris Corporation IRF9633 0,7600
RFQ
 ECAD 6759 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 275 Canal P. 150 v 5.5a (TC) 10V 1.2OHM @ 3.5A, 10V 4V A 250µA 45 nc @ 10 V ± 20V 550 pf @ 25 V - 75W (TC)
RF1S50N06LE Harris Corporation RF1S50N06LE 1.0700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1
RFG40N10 Harris Corporation RFG40N10 1.4000
RFQ
 ECAD 752 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 RFG40 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 150 N-canal 100 v 40A (TC) 10V 40mohm @ 40a, 10V 4V A 250µA 300 nc @ 20 V ± 20V - 160W (TC)
D40D4 Harris Corporation D40D4 -
RFQ
 ECAD 7876 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Taba Longo to-202 1,67 w TO-202AB download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0075 100 45 v 1 a 100na Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 10 @ 1A, 2V
2N6293 Harris Corporation 2N6293 0,5400
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 ECAD 2239 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 40 w To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 105 80 v 7 a 1Ma Npn 3.5V @ 3A, 7a 30 @ 2A, 4V 10MHz
2N3773V Harris Corporation 2N3773V 2.0000
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 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 0000.00.0000 1
RFD3055SM9AS2479 Harris Corporation RFD3055SM9AS2479 1.0000
RFQ
 ECAD 4241 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo RFD3055 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 2.500 -
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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    2800+

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