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Produtos Semicondutores discretos (1081)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
CA3246M Harris Corporation CA3246M -
RFQ
 ECAD 1524 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 125 ° C. Montagem na Superfície 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) - 14-SOIC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 - - - 5 npn - 3GHz -
RURDG30120 Harris Corporation RURDG30120 -
RFQ
 ECAD 4885 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-247-3 Avalanche To-247 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 30a 2,1 V @ 30 A 150 ns 100 µA A 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C.
BD751A Harris Corporation BD751A 1.8000
RFQ
 ECAD 5493 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 53
IRF610 Harris Corporation IRF610 -
RFQ
 ECAD 1431 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRF610 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 200 v 3.3a (TC) 10V 1.5OHM @ 2A, 10V 4V A 250µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 140 pf @ 25 V - 36W (TC)
A15B Harris Corporation A15b 0,1800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco Axial Padrão Axial download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 5 A 5 µs 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 5a -
RURU8070 Harris Corporation RURU8070 4.6200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Montagem do chassi TO-218-1 Avalanche To-218 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 700 v 1,9 V @ 80 A 200 ns 500 µA @ 700 V -65 ° C ~ 175 ° C. 80a -
RURP1510 Harris Corporation RURP1510 0,9600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mV @ 15 a 35 ns 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 15a -
IRF353 Harris Corporation IRF353 4.3000
RFQ
 ECAD 460 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 350 v 13a (TC) 10V 400mohm @ 8a, 10V 4V A 250µA 120 nc @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 150W (TC)
RHRP870 Harris Corporation RHRP870 -
RFQ
 ECAD 7172 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Avalanche TO-220AC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 700 v 3 V @ 8 A 65 ns 100 µA @ 700 V -65 ° C ~ 175 ° C. 8a -
GE1104 Harris Corporation GE1104 1.2300
RFQ
 ECAD 959 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco DO-204, axial Padrão DO-204 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 245 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 2 a 35 ns 2 µA a 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 2.5a 45pf @ 4V, 1MHz
RJH6678 Harris Corporation RJH6678 5.5400
RFQ
 ECAD 188 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac 175 w TO-218 ISOLADO download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0075 1 400 v 15 a 100µA Npn 1.5V @ 3A, 15A 8 @ 15A, 3V 50MHz
RHRG50100 Harris Corporation RHRG50100 2.4900
RFQ
 ECAD 353 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-247-3 Avalanche To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 3 V @ 50 A 95 ns 250 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 50a -
RURD420S Harris Corporation RURD420S -
RFQ
 ECAD 5297 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão D-Pak (TO-252) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 44 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 4 a 35 ns 100 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 4a -
IRFF222 Harris Corporation IRFF222 1.0000
RFQ
 ECAD 3948 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 3a (TC) 10V 1.2OHM @ 2A, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 20W (TC)
BYW51-200 Harris Corporation BYW51-200 -
RFQ
 ECAD 8969 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 BYW51 Padrão TO-220AB download Rohs Não Compatível Ear99 8541.10.0080 352 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 10a 850 mv @ 8 a 35 ns 15 µA A 200 V 150 ° C (Máximo)
IRFF211 Harris Corporation IRFF211 1.1600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 2.2a (TC) 10V 1.5OHM @ 1.25a, 10V 4V A 250µA 7,5 nc @ 10 V ± 20V 135 pf @ 25 V - 15W (TC)
RURD82093 Harris Corporation RURD82093 1.0000
RFQ
 ECAD 3642 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
RURD610S Harris Corporation RURD610S 0,4400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 6 A 35 ns 100 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
RHRG3040 Harris Corporation RHRG3040 3.5700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-247-2 Avalanche To-247-2 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 2,1 V @ 30 A 45 ns 250 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 30a -
RURG3020CCS5001 Harris Corporation RURG3020CCS5001 -
RFQ
 ECAD 4463 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1
BUW41 Harris Corporation Buw41 -
RFQ
 ECAD 8024 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 100 w TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0075 1 300 v 8 a 100µA Npn 2V @ 4A, 8a 10 @ 5A, 3V 60MHz
IRFP150 Harris Corporation IRFP150 1.5200
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AC download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 100 v 41a (TC) 10V 55mohm @ 25a, 10V 4V A 250µA 140 nc @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 25 V - 230W (TC)
RURG8050 Harris Corporation RURG8050 3.7800
RFQ
 ECAD 931 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-247-2 Avalanche To-247-2 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,6 V @ 80 A 85 ns 500 µA @ 500 V -65 ° C ~ 175 ° C. 80a -
IRFF213 Harris Corporation IRFF213 0,8000
RFQ
 ECAD 6019 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 89 N-canal 150 v 1.8a (TC) 10V 2.4OHM @ 1.25a, 10V 4V A 250µA 7,5 nc @ 10 V ± 20V 135 pf @ 25 V - 15W (TC)
IRF9520 Harris Corporation IRF9520 0,9600
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 314 Canal P. 100 v 6a (TC) 600mohm @ 3.5a, 10V 4V A 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 25 V - 40W (TC)
RURD415S Harris Corporation RURD415S 0,3600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1 V @ 4 a 35 ns 100 µA A 150 V -65 ° C ~ 175 ° C. 4a -
CA3127EX Harris Corporation CA3127EX 1.6700
RFQ
 ECAD 597 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo CA3127 - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 1
RFD3055RLESM9A Harris Corporation RFD3055RLESM9A 0,4400
RFQ
 ECAD 7327 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo RFD3055 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 590 -
TIP100 Harris Corporation Tip100 0,4400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 80 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 60 v 8 a 50µA NPN - Darlington 2,5V a 80mA, 8a 1000 @ 3A, 4V 4MHz
HUF75309D3S Harris Corporation HUF75309D3S 0,2700
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Harris Corporation Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 55 v 19a (TC) 10V 70mohm @ 19a, 10V 4V A 250µA 24 nc @ 20 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 55W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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