SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
MUR860 Harris Corporation Mur860 -
RFQ
ECAD 5722 0,00000000 Harris Corporation SwitchMode ™ Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 Padrão To-220-2 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,5 V @ 8 A 60 ns 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 8a -
RFL1N15L Harris Corporation Rfl1n15l 1.8100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 1a (TC) 5V 1.9OHM @ 1A, 5V 2V A 250µA ± 10V 200 pf @ 25 V - 8.33W (TC)
BD750B Harris Corporation BD750B 2.2500
RFQ
ECAD 289 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 134
IRF712 Harris Corporation IRF712 -
RFQ
ECAD 1466 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 400 v 1.7a (TC) 10V 5ohm @ 1.1a, 10V 4V A 250µA 12 nc @ 10 V ± 20V 135 pf @ 25 V - 36W (TC)
2N6969 Harris Corporation 2N6969 8.2100
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1
BD534 Harris Corporation BD534 0,3300
RFQ
ECAD 1909 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 50 w TO-220AB download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 44 45 v 8 a 100µA Pnp 800mv @ 600Ma, 6a 25 @ 2a, 2V -
HUF75344P3 Harris Corporation HUF75344P3 1.4400
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 210 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 210 NC @ 20 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 285W (TC)
IRF540P2 Harris Corporation IRF540P2 -
RFQ
ECAD 1842 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - 0000.00.0000 1
RFD14N05LSM9A Harris Corporation RFD14N05LSM9A -
RFQ
ECAD 3001 0,00000000 Harris Corporation - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 50 v 14a (TC) 5V 100mohm @ 14a, 5v 2V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 10V 670 pf @ 25 V - 48W (TC)
RLD03N06CLESM9A Harris Corporation RLD03N06CLESM9A 0,5000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 2.500
IRFP362 Harris Corporation Irfp362 4.2100
RFQ
ECAD 173 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 400 v 20a (TC) 10V 250mohm @ 13a, 10V 4V A 250µA 100 nc @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 250W (TC)
RF1S45N06LESM Harris Corporation Rf1s45n06lesm 0,9700
RFQ
ECAD 843 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 45a - - - - - -
HGTP15N40C1 Harris Corporation HGTP15N40C1 2.9100
RFQ
ECAD 368 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 75 w To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 400 v 15 a 35 a 3.2V @ 20V, 35a - 33 NC -
2N6490 Harris Corporation 2N6490 1.6700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2N6490 1,8 w TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.49.7080 1 60 v 15 a 1Ma Pnp 3.5V @ 5A, 15A 20 @ 5A, 4V 5MHz
RFP25N06L Harris Corporation RFP25N06L 2.4100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 25a (TC) 5V 85mohm @ 12.5a, 5V 2V @ 1MA ± 10V 2000 pf @ 25 V - 75W (TC)
D64DV5 Harris Corporation D64dv5 8.3400
RFQ
ECAD 8879 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AE 180 w TO-204AE download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 31 400 v 50 a 1Ma NPN - Darlington 3V @ 5A, 75A 100 @ 20A, 5V -
RHRG5080 Harris Corporation RHRG5080 2.6900
RFQ
ECAD 602 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-247-3 Avalanche To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 3 V @ 50 A 95 ns 500 µA A 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 50a -
2N6895 Harris Corporation 2N6895 0,5500
RFQ
ECAD 8598 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 21 Canal P. 100 v 1.16a (TC) 10V 3.65Ohm @ 740mA, 10V 4V A 250µA ± 20V 150 pf @ 25 V - 8.33W (TC)
2N6773DR6220 Harris Corporation 2N6773DR6220 -
RFQ
ECAD 1513 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 40 w To-220 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0075 337 650 v 1 a 100µA Npn 1V @ 200Ma, 1A 20 @ 300MA, 3V 50MHz
RF1S40N10LE Harris Corporation RF1S40N10LE 1.4200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo RF1S - - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1 -
HGTP10N40E1 Harris Corporation HGTP10N40E1 1.0800
RFQ
ECAD 5773 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 60 w To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 267 - - 400 v 10 a 17.5 a 3.2V @ 20V, 17.5a - 19 NC -
RF1S45N02LSM9A Harris Corporation RF1S45N02LSM9A 0,4800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 800
HUF75343S3 Harris Corporation HUF75343S3 1.0800
RFQ
ECAD 557 0,00000000 Harris Corporation Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA Huf75 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 205 NC @ 20 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 270W (TC)
RFG75N05E Harris Corporation RFG75N05E 7.0400
RFQ
ECAD 18 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 50 v 75a (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 400 nc @ 20 V ± 20V - 240W (TC)
IRFF323 Harris Corporation IRFF323 0,5200
RFQ
ECAD 1611 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2156-IRFF323 Ear99 8541.29.0095 1
IRF743 Harris Corporation IRF743 1.0700
RFQ
ECAD 1418 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 200 N-canal 350 v 8a (TC) 10V 800mohm @ 5.2a, 10V 4V A 250µA 63 nc @ 10 V ± 20V 1250 pf @ 25 V - 125W (TC)
RFD15P06SM Harris Corporation RFD15P06SM -
RFQ
ECAD 8899 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 120 Canal P. 60 v 15a - - - - - -
IRFD120S2497 Harris Corporation IRFD120S2497 -
RFQ
ECAD 2391 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - 0000.00.0000 1
RF1S630 Harris Corporation RF1S630 1.1600
RFQ
ECAD 755 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo RF1S - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 -
MJ15002 Harris Corporation MJ15002 -
RFQ
ECAD 5196 0,00000000 Harris Corporation - Bandeja Obsoleto -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 200 w TO-204 (TO-3) - Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 100 140 v 15 a 250µA Pnp 1V @ 400MA, 4A 25 @ 4A, 2V 2MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque