SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
RURU10060RA Harris Corporation RURU10060RA 4.0100
RFQ
ECAD 89 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
RURP1540 Harris Corporation RURP1540 1.0400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Avalanche TO-220AC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,25 V @ 15 A 60 ns 100 µA A 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 15a -
2N6129 Harris Corporation 2N6129 0,9500
RFQ
ECAD 593 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1
RUR1615CT Harris Corporation RUR1615CT -
RFQ
ECAD 3309 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-220-3 Padrão To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 111 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 8a 975 mV @ 8 a 35 ns 5 µA A 150 V -65 ° C ~ 175 ° C.
A315B Harris Corporation A315B 0,6500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco DO-204, axial Padrão Al-4 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 3 a 35 ns 3 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a 100pf @ 4V, 1MHz
MUR850119 Harris Corporation MUR850119 0,6400
RFQ
ECAD 750 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
RF1S45N02L Harris Corporation RF1S45N02L 0,5200
RFQ
ECAD 999 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 20 v 45a (TC) 5V 22mohm @ 45a, 5V 2V A 250µA 60 nc @ 10 V ± 10V 1300 pf @ 15 V - 90W (TC)
RHRP1580 Harris Corporation RHRP1580 2.0000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Avalanche TO-220AC download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 3 V @ 15 A 70 ns 100 µA A 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a -
RURP8120 Harris Corporation RURP8120 0,6100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Avalanche TO-220AC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 2,1 V @ 8 A 110 ns 100 µA A 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 8a -
IRFP153 Harris Corporation IRFP153 1.7900
RFQ
ECAD 6464 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 60 v 34a (TC) 10V 80mohm @ 22a, 10V 4V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 180W (TC)
RF1S30P06SM Harris Corporation RF1S30P06SM -
RFQ
ECAD 8263 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 60 v 30a - - - - - -
RHRU7570 Harris Corporation RHRU7570 3.9200
RFQ
ECAD 4195 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Montagem do chassi TO-218-1 Avalanche To-218 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 60 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 700 v 3 V @ 75 A 100 ns 500 µA @ 700 V -65 ° C ~ 175 ° C. 75a -
A214B Harris Corporation A214b 0,5100
RFQ
ECAD 901 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco DO-204, axial Padrão DO-204 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 2 a 35 ns 2 µA a 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 2a 45pf @ 4V, 1MHz
RCA1A09 Harris Corporation RCA1A09 0,5600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1
MUR870E Harris Corporation MUR870E 0,6400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 700 v 1,8 V @ 8 A 110 ns 500 µA @ 700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a -
RFD14N05L Harris Corporation RFD14N05L 1.0000
RFQ
ECAD 6552 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 50 v 14a (TC) 5V 100mohm @ 14a, 5v 2V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 10V 670 pf @ 25 V - 48W (TC)
RFD7N10LE Harris Corporation RFD7N10LE 0,5000
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 7a (TC) 5V 300mohm @ 7a, 5v 2V A 250µA 150 nc @ 10 V +10V, -8V 360 pf @ 25 V - 47W (TC)
IRFD9123 Harris Corporation IRFD9123 0,7200
RFQ
ECAD 18 0,00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto - Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-HVMDIP download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 100 v 1a (ta) 600MOHM @ 600MA, 10V 4V A 250µA 18 NC @ 10 V 390 pf @ 25 V - -
RHRG5050 Harris Corporation RHRG5050 -
RFQ
ECAD 3256 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-247-2 Avalanche To-247-2 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 43 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 2.1 V @ 50 A 50 ns 500 µA @ 500 V -65 ° C ~ 175 ° C. 50a -
RF1S540SM Harris Corporation RF1S540SM 2.0600
RFQ
ECAD 7689 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 3 N-canal 100 v 28a (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10V 4V A 250µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1450 PF @ 25 V - 150W (TC)
RURD640S Harris Corporation RURD640S 0,5600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1 V @ 6 A 60 ns 100 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
1N5060 Harris Corporation 1N5060 0,1800
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco Sod-57, axial Padrão SOD-57 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 2 A 4 µs 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a 40pf @ 0V, 1MHz
IRF642 Harris Corporation IRF642 0,8800
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 16a (TC) 10V 220mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 64 nc @ 10 V ± 20V 1275 pf @ 25 V - 125W (TC)
GE1103 Harris Corporation GE1103 0,8800
RFQ
ECAD 890 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco DO-204, axial Padrão DO-204 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 2 a 35 ns 2 µA A 150 V -65 ° C ~ 175 ° C. 2.5a 45pf @ 4V, 1MHz
IRFP250S2497 Harris Corporation IRFP250S2497 -
RFQ
ECAD 7461 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - 0000.00.0000 1
D64ES5 Harris Corporation D64es5 5.2500
RFQ
ECAD 112 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 125 w TO-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 400 v 20 a 1Ma NPN - Darlington 3.5V @ 3A, 30A 100 @ 10a, 5V -
BD750C Harris Corporation BD750C 2.2700
RFQ
ECAD 689 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1
D44VH1116 Harris Corporation D44VH1116 -
RFQ
ECAD 5824 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - 0000.00.0000 240 Npn
IRF633 Harris Corporation IRF633 0,6800
RFQ
ECAD 9270 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 124 N-canal 150 v 8a (TC) 10V 600MOHM @ 5A, 10V 4V A 250µA 30 NC a 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 75W (TC)
CA3096CM Harris Corporation CA3096CM 0,8100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) CA3096 200mw 16-SOIC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 1 24V 50mA, 10mA 1µA Npn, pnp 700MV @ 1MA, 10MA / 400MV, 100µA, 1MA 100 @ 1MA, 5V / 30 @ 100µA, 5V 335MHz, 6,8MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque