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Produtos Semicondutores discretos (1081)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Quebra (V (BR) GSS) Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Tensão - Corte (VGS desligado) @ id Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE
RURDG1580 Harris Corporation RURDG1580 1.4400
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
RURDG1520 Harris Corporation RURDG1520 1.5600
RFQ
 ECAD 360 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
HGTD8P50G1S Harris Corporation HGTD8P50G1S 0,7900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão 66 w TO-252AA download Rohs Não Compatível 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1 - - 500 v 12 a 18 a 2.9V @ 15V, 3A - 30 NC -
RF1S4N100SM9A Harris Corporation RF1S4N100SM9A 3.1300
RFQ
 ECAD 187 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 800 N-canal 1000 v 4.3a (TC) 3.5Ohm @ 2.5a, 10V 4V A 250µA ± 20V - 150W (TC)
RF1K4909396 Harris Corporation RF1K4909396 0,5700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-RF1K4909396-600026 1
HP4936DY Harris Corporation HP4936DY 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-HP4936DY-600026 1
HC3-5504B1-5 Harris Corporation HC3-5504B1-5 6.7600
RFQ
 ECAD 411 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Fornecedor indefinido 2156-HC3-5504B1-5-600026 1
2N612340 Harris Corporation 2N612340 -
RFQ
 ECAD 2376 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - 0000.00.0000 1
HGTD7N60C3S Harris Corporation HGTD7N60C3S -
RFQ
 ECAD 4129 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão 60 w TO-252AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 33 - - 600 v 14 a 56 a 2V @ 15V, 7a - 23 NC -
IGT6E2121 Harris Corporation IGT6E2121 -
RFQ
 ECAD 5095 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - 0000.00.0000 1
HGTG15N1203D Harris Corporation HGTG15N1203D 1.0000
RFQ
 ECAD 6192 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - 0000.00.0000 1
HGT1S3N60B3DS Harris Corporation HGT1S3N60B3DS 0,7300
RFQ
 ECAD 8972 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 33.3 w TO-263AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 480V, 3.5A, 82OHM, 15V 28 ns - 600 v 7 a 20 a 2.1V @ 15V, 3.5a 66µJ (ON), 88µJ (Off) 18 NC 18ns/105ns
RFP4N06 Harris Corporation RFP4N06 0,3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1.079 N-canal 60 v 4a (TC) 10V 800MOHM @ 4A, 10V 4V A 250µA ± 20V 200 pf @ 25 V - 25W (TC)
2N5362 Harris Corporation 2N5362 1.1200
RFQ
 ECAD 1346 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Através do buraco TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN 300 MW TO-72-4 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 2 N-canal 40 v 6pf @ 15V 40 v 4 mA a 15 V 2 V @ 100 NA
HUF75321S3S Harris Corporation HUF75321S3S 0,4300
RFQ
 ECAD 991 0,00000000 Harris Corporation Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 55 v 35a (TC) 10V 34mohm @ 35a, 10V 4V A 250µA 44 NC @ 20 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 93W (TC)
HGTA32N60E2 Harris Corporation HGTA32N60E2 10.6000
RFQ
 ECAD 215 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-218-5 Padrão 208 w TO-218-5 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 600 v 50 a 200 a 2.9V @ 15V, 32A - 265 NC -
D44T1 Harris Corporation D44T1 -
RFQ
 ECAD 5733 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0075 1
RURD820 Harris Corporation RURD820 1.8800
RFQ
 ECAD 189 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 189
HGT1S3N60C3DS Harris Corporation HGT1S3N60C3DS 0,8500
RFQ
 ECAD 585 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão TO-263AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 600 v 6 a - - -
IRFBC42 Harris Corporation IRFBC42 0,9600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 5.4a (TC) 10V 1.6ohm @ 3.4a, 10V 4V A 250µA 60 nc @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRFF9131 Harris Corporation IRFF9131 -
RFQ
 ECAD 5615 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 32 Canal P. 80 v 6.5a (TC) 10V 300mohm @ 3a, 10V 4V A 250µA 45 nc @ 10 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 25W (TC)
HGTH12N50C1 Harris Corporation HGTH12N50C1 1.9100
RFQ
 ECAD 8314 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac Padrão 75 w TO-218 ISOLADO download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 500 v 12 a 17.5 a 3.2V @ 20V, 17.5a - 19 NC -
HGTG12N60D1D Harris Corporation HGTG12N60D1D 6.8500
RFQ
 ECAD 606 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 75 w To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - 60 ns - 600 v 21 a 48 a 2.5V @ 15V, 12A - 70 NC -
HGTD10N40F1S Harris Corporation HGTD10N40F1S 0,8400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão 75 w TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 400 v 12 a 2.5V @ 10V, 5A - 13.4 NC -
IRFD112 Harris Corporation IRFD112 0,3700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DIP, HEXDIP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 800mA (TC) 10V 800MOHM @ 800MA, 10V 4V A 250µA 7 nc @ 10 V ± 20V 135 pf @ 25 V - 1W (TC)
RURG1570CC Harris Corporation RURG1570CC -
RFQ
 ECAD 1174 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-247-3 Avalanche To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 700 v 15a 1,8 V @ 15 A 125 ns 100 µA @ 700 V -65 ° C ~ 175 ° C.
RFD8P06ESM Harris Corporation Rfd8p06esm -
RFQ
 ECAD 6983 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 60 v 8a - - - - - -
IRF9640S2497 Harris Corporation IRF9640S2497 1.9400
RFQ
 ECAD 250 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo IRF9640 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1 -
2N6478 Harris Corporation 2N6478 1.1000
RFQ
 ECAD 400 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 50 w To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 150 v 2.5 a 2m Npn 2V @ 500MA, 2.5a 25 @ 1A, 4V
HUF76629D3S Harris Corporation HUF76629D3S 0,7000
RFQ
 ECAD 458 0,00000000 Harris Corporation Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 100 v 20a (TC) 4.5V, 10V 52mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 46 nc @ 10 V ± 16V 1285 pf @ 25 V - 110W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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