SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
RFG45N06 Harris Corporation RFG45N06 1.0800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 45a (TC) 10V 28mohm @ 45a, 10V 4V A 250µA 150 nc @ 20 V ± 20V 2050 PF @ 25 V - 131W (TC)
RF1S630SM Harris Corporation RF1S630SM 0,9600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 6a (TC) 10V 400MOHM @ 5A, 10V 4V A 250µA 30 NC a 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 75W (TC)
RFP2N20 Harris Corporation RFP2N20 0,6000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 2a (TC) 10V 3.5OHM @ 2A, 10V 4V A 250µA ± 20V 200 pf @ 25 V - 25W (TC)
MJE16002 Harris Corporation MJE16002 1.0400
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 80 w TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 6 v 5 a 250µA Npn 1V @ 200Ma, 1.5A 5 @ 5A, 5V -
RFP6P08 Harris Corporation RFP6P08 0,8100
RFQ
ECAD 8149 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2156-RFP6P08 Ear99 8541.29.0095 1
RHRD450S Harris Corporation RHRD450S 0,4700
RFQ
ECAD 8940 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 2,1 V @ 4 A 35 ns 100 µA @ 500 V -65 ° C ~ 175 ° C. 4a -
RHRG7570 Harris Corporation RHRG7570 3.5700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-247-3 Avalanche To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 700 v 3 V @ 75 A 100 ns 500 µA @ 700 V -65 ° C ~ 175 ° C. 75a -
RFM12P08 Harris Corporation RFM12P08 1.5000
RFQ
ECAD 358 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 80 v 12a (TC) 10V 300mohm @ 6a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1500 pf @ 25 V - 100w (TC)
RFP17N06L Harris Corporation RFP17N06L 1.1300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 17a (TC) 4V, 5V 130mohm @ 17a, 5V 2V @ 1MA 45 NC @ 30 V ± 10V - 60W (TC)
RFM25N06 Harris Corporation RFM25N06 -
RFQ
ECAD 4352 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 148 N-canal 60 v 25a (TC) 10V 70mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1700 pf @ 25 V - 100w (TC)
IRFR321 Harris Corporation IRFR321 0,3600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 350 v 3.1a (ta) 10V 1.8OHM @ 1.7A, 10V 4V A 250µA 20 NC A 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 50W (TC)
IRFF9122 Harris Corporation IRFF9122 1.2300
RFQ
ECAD 422 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 3.5a (TC) - - - - - 20w
IRFF221 Harris Corporation IRFF221 1.0700
RFQ
ECAD 650 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 3.5a (TC) 10V 800mohm @ 2a, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 20W (TC)
HGTG20N60C3R Harris Corporation HGTG20N60C3R 2.4500
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 164 w To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 600 v 40 a 80 a 2.2V @ 15V, 20A - 116 NC -
BUZ76 Harris Corporation Buz76 0,5600
RFQ
ECAD 700 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 400 v 3a (TC) 10V 1.8OHM @ 2A, 10V 4V @ 1MA ± 20V 650 pf @ 25 V - 40W (TC)
HGTG34N100E2 Harris Corporation HGTG34N100E2 7.5400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 208 w To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 1000 v 55 a 200 a 3.3V @ 15V, 34a - 240 NC -
IGT6E21 Harris Corporation IGT6E21 3.4800
RFQ
ECAD 289 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Através do buraco To-247-3 Padrão To-247 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 500 v 32 a - - -
IRFP142R Harris Corporation IRFP142R -
RFQ
ECAD 7056 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 6 N-canal 100 v 27a (TC) 10V 99mohm @ 19a, 10V 4V A 250µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1275 pf @ 25 V - 180W (TC)
IRFD1Z3 Harris Corporation IRFD1Z3 0,5200
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DIP, HEXDIP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 400mA (TC) 10V 3.2OHM @ 250MA, 10V 4V A 250µA 3 nc @ 10 V ± 20V 50 pf @ 25 V - 1W (TC)
IRFD321 Harris Corporation IRFD321 -
RFQ
ECAD 2713 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DIP, HEXDIP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 66 N-canal 350 v 500mA (TC) 10V 1.8OHM @ 250MA, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 20V 455 pf @ 25 V - 1W (TC)
RHRP3080 Harris Corporation RHRP3080 1.4300
RFQ
ECAD 399 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Avalanche TO-220AC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 3 V @ 30 A 75 ns 500 µA A 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 30a -
RFP10P15 Harris Corporation RFP10P15 2.1400
RFQ
ECAD 75 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 10a (TC) 10V 500MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1700 pf @ 25 V - 75W (TC)
RFM12P10 Harris Corporation RFM12P10 -
RFQ
ECAD 1009 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 100 v 12a (TC) 10V 300mohm @ 6a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1500 pf @ 25 V - 100w (TC)
RFM6P10 Harris Corporation RFM6P10 1.7000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 100 v 6a (TC) 10V 600mohm @ 6a, 10V 4V A 250µA ± 20V 800 pf @ 25 V - 60W (TC)
RF1K49211 Harris Corporation RF1K49211 0,3900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 761 N-canal 12 v 7a - - - - - -
RFP10N15L Harris Corporation RFP10N15L 0,8100
RFQ
ECAD 35 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 10a (TC) 5V 300MOHM @ 5A, 5V ± 10V 1200 pf @ 25 V - 60W (TC)
RCA1C03 Harris Corporation RCA1C03 -
RFQ
ECAD 1840 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1
RFP2N15 Harris Corporation RFP2N15 0,6600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 2a (TC) 10V 1.75OHM @ 2A, 10V 4V A 250µA ± 20V 200 pf @ 25 V - 25W (TC)
RF1S45N03L Harris Corporation RF1S45N03L 0,9000
RFQ
ECAD 770 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 45a (TC) 5V 22mohm @ 45a, 5V 2V A 250µA 60 nc @ 10 V ± 10V 1650 PF @ 25 V - 90W (TC)
2N7224JANTXV Harris Corporation 2N7224Jantxv 1.0000
RFQ
ECAD 4610 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-254-3, TO-254AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-254AA download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 34a (TC) 10V 81mohm @ 34a, 10V 4V A 250µA 125 nc @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque