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Produtos Semicondutores discretos (1081)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
RF1S23N06LESM9A Harris Corporation RF1S23N06LESM9A 0,6300
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1
MJ13091 Harris Corporation MJ13091 4.4200
RFQ
 ECAD 272 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco TO-204AA, TO-3 175 w TO-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 6 v 15 a 500µA Npn 3V @ 3A, 15A 8 @ 10A, 3V -
IRF214 Harris Corporation IRF214 -
RFQ
 ECAD 8900 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido 1
TIP112 Harris Corporation Tip112 -
RFQ
 ECAD 4081 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 100 v 2 a 2m NPN - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1A, 4V -
RURD3050 Harris Corporation RURD3050 -
RFQ
 ECAD 5836 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac Avalanche TO-218 ISOLADO download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 500 v 30a 1,5 V @ 30 A 60 ns 30 µA a 500 V -55 ° C ~ 175 ° C.
IRF626 Harris Corporation IRF626 0,5300
RFQ
 ECAD 997 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 275 v 3.8a (TC) 10V 1.1ohm @ 1.4a, 10V 4V A 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 340 pf @ 25 V - 40W (TC)
RHRG5090 Harris Corporation RHRG5090 2.6900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco To-247-3 Avalanche To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 900 v 3 V @ 50 A 95 ns 500 µA @ 900 V -65 ° C ~ 175 ° C. 50a -
IRF9620 Harris Corporation IRF9620 -
RFQ
 ECAD 6432 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRF9620 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1 Canal P. 200 v 3.5a (TC) 10V 1.5OHM @ 1.5A, 10V 4V A 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 40W (TC)
RFG50N06LE Harris Corporation RFG50N06LE -
RFQ
 ECAD 1345 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 50a (TC) 5V 22mohm @ 50a, 5V 2V A 250µA 120 nc @ 10 V ± 10V 2100 pf @ 25 V - 142W (TC)
HC5523IM Harris Corporation HC5523IM 3.3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-HC5523IM-600026 1
IRF631 Harris Corporation IRF631 0,7900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 381 N-canal 150 v 9a (TC) 10V 400MOHM @ 5A, 10V 4V A 250µA 30 NC a 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 75W (TC)
IRFU420 Harris Corporation IRFU420 -
RFQ
 ECAD 8809 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 395 N-canal 500 v 2.4a (TC) 3ohm @ 1.4a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFF322 Harris Corporation IRFF322 0,6500
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 400 v 2a (TC) 10V 2.5OHM @ 1.25a, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V 20V 450 pf @ 25 V - 20W (TC)
IRFD9113 Harris Corporation IRFD9113 0,6200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) IRFD9113 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DIP, HEXDIP, HVMDIP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1 Canal P. 60 v 600mA (TA) 1.6OHM @ 300MA, 10V - 15 nc @ 15 V 250 pf @ 25 V - -
RF1S630SM9A Harris Corporation RF1S630SM9A 1.0000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 200 v 6a (TC) 10V 400MOHM @ 5A, 10V 4V A 250µA 30 NC a 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 75W (TC)
IRFU220 Harris Corporation IRFU220 0,8700
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA Irfu2 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 200 v 4.8a (TC) 800mohm @ 2.9a, 10V 4V A 250µA 14 nc @ 10 V 260 pf @ 25 V -
RFP50N06R4034 Harris Corporation RFP50N06R4034 0,6100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo RFP50 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 -
IRFR420U Harris Corporation IRFR420U 0,5000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo IRFR420 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 -
2N5492 Harris Corporation 2N5492 1.0200
RFQ
 ECAD 7456 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 50 w To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0075 292 55 v 7 a 1Ma Npn 1v a 250mA, 2.5a 20 @ 2.5A, 4V 800kHz
IRF433 Harris Corporation IRF433 -
RFQ
 ECAD 8910 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Através do buraco TO-204AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 154 N-canal 450 v 4a - - - - - 75W
ICL7149CM44 Harris Corporation ICL7149CM44 5.4000
RFQ
 ECAD 235 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-ICL7149CM44-600026 1
RFP4N06 Harris Corporation RFP4N06 0,3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1.079 N-canal 60 v 4a (TC) 10V 800MOHM @ 4A, 10V 4V A 250µA ± 20V 200 pf @ 25 V - 25W (TC)
HC3-5504B1-5 Harris Corporation HC3-5504B1-5 6.7600
RFQ
 ECAD 411 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Fornecedor indefinido 2156-HC3-5504B1-5-600026 1
HP4936DY Harris Corporation HP4936DY 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-HP4936DY-600026 1
RF1K4909396 Harris Corporation RF1K4909396 0,5700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-RF1K4909396-600026 1
IRFD321 Harris Corporation IRFD321 -
RFQ
 ECAD 2713 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DIP, HEXDIP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 66 N-canal 350 v 500mA (TC) 10V 1.8OHM @ 250MA, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 20V 455 pf @ 25 V - 1W (TC)
IRFP142R Harris Corporation IRFP142R -
RFQ
 ECAD 7056 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 6 N-canal 100 v 27a (TC) 10V 99mohm @ 19a, 10V 4V A 250µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1275 pf @ 25 V - 180W (TC)
IRFD1Z3 Harris Corporation IRFD1Z3 0,5200
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-DIP, HEXDIP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 400mA (TC) 10V 3.2OHM @ 250MA, 10V 4V A 250µA 3 nc @ 10 V ± 20V 50 pf @ 25 V - 1W (TC)
IRFF9122 Harris Corporation IRFF9122 1.2300
RFQ
 ECAD 422 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo - Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 3.5a (TC) - - - - - 20w
IRFF221 Harris Corporation IRFF221 1.0700
RFQ
 ECAD 650 0,00000000 Harris Corporation - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-205AF METAL CAN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-205AF (TO-39) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 3.5a (TC) 10V 800mohm @ 2a, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 20W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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