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Produtos Semicondutores discretos (1081)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	TIPO DE FET	Escorra para um tensão de origem (VDSS)	Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C	Tensão de conduça (max rds on, min rds on)	Rds em (max) @ id, vgs	VGS (th) (max) @ id	Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS	VGs (Máximoo)	CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Recurso FET	DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max)	Corrente - Coletor (IC) (Max)	Corrente - Corte de Colecionador (Max)	Tipo de transistor	Vce saturação (max) @ ib, ic	Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE	Frequencia - Transmissão
RUR3050	1.0300	RFQ	296	Harris Corporation	-	Volume	Ativo		Através do buraco	To-220-2		Avalanche		TO-220AC	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	296	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)													500 v		1,5 V @ 30 A	60 ns	30 µA a 500 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	30a	-
HRF3205L	0,9600	RFQ	2	Harris Corporation	-	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		I2pak (to-262)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	0000.00.0000	314		N-canal	55 v	100a (TC)	10V	8mohm @ 59a, 10V	4V A 250µA	170 nc @ 10 V	± 20V	4000 pf @ 25 V	-	175W (TC)
2N1700	47.2100	RFQ	148	Harris Corporation	*	Volume	Obsoleto								download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.29.0095	7
CA3045F3159	1.5900	RFQ	2843	Harris Corporation	*	Volume	Ativo								-	Não Aplicável	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido				100
D42C11X	0,4400	RFQ	3	Harris Corporation	*	Volume	Ativo								-	Não Aplicável	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido			0000.00.0000	1
Mur8100	-	RFQ	2279	Harris Corporation	-	Volume	Ativo		Através do buraco	To-220-2		Padrão		TO-220AC	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0080	450	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)													1000 v			75 ns		-	8a	-
RURD1515	2.3200	RFQ	5604	Harris Corporation	-	Volume	Ativo		Através do buraco	Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac		Avalanche		TO-218 ISOLADO	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	93	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												1 par cátodo comum	150 v	15a	1,05 V @ 15 A	35 ns	10 µA A 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
RUR840	1.0000	RFQ	1462	Harris Corporation	-	Volume	Ativo		Através do buraco	To-220-2		Padrão		TO-220AC	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)													400 v		1,3 V @ 8 A	60 ns	10 µA A 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	8a	-
RURP3040	1.3600	RFQ	5	Harris Corporation	-	Volume	Ativo		Através do buraco	To-220-2		Avalanche		TO-220AC	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)													400 v		1,5 V @ 30 A	60 ns	500 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	30a	-
IRF244	3.2000	RFQ	37	Harris Corporation	-	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-204AA, TO-3		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-3	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.29.0095	1		N-canal	250 v	8.8a (TC)	10V	280mohm @ 8a, 10V	4V A 250µA	59 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	125W (TC)
RURDG1515	1.6600	RFQ	674	Harris Corporation	*	Volume	Ativo								-	Não Aplicável	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8542.39.0001	1
CA3096CM96	0,9000	RFQ	2	Harris Corporation	*	Volume	Ativo				CA3096				download		Fornecedor indefinido	ALCANCE AFETADO	2156-CA3096CM96-600026			1
RURP8100	-	RFQ	2363	Harris Corporation	-	Tubo	Obsoleto		Através do buraco	To-220-2		Padrão		To-220-2	download	Rohs Não Compatível				Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)													1000 v		1,8 V @ 8 A	100 ns	100 µA A 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	8a	-
IRFP440	2.9700	RFQ	1	Harris Corporation	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-247-3		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-247AC	download	Rohs Não Compatível				Ear99	8541.29.0095	500		N-canal	500 v	8.8a (TC)	10V	850mohm @ 5.3a, 10V	4V A 250µA	63 nc @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	150W (TC)
IRFD213	0,5900	RFQ	5	Harris Corporation	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		4-HVMDIP	download	Rohs Não Compatível				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-canal	250 v	450mA (TA)		2OHM @ 270MA, 10V	4V A 250µA	8.2 NC @ 10 V		140 pf @ 25 V	-	-
Tip115	-	RFQ	3125	Harris Corporation	-	Tubo	Obsoleto	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3				To-220-3	download	Rohs Não Compatível				Ear99	8541.29.0095	50																						60 v		2m	PNP - Darlington	2.5V @ 8MA, 2A	1000 @ 1A, 4V	25MHz
RURD1560	2.4100	RFQ	225	Harris Corporation	-	Volume	Ativo		Através do buraco	Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac		Avalanche		TO-218 ISOLADO	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												1 par cátodo comum	600 v	15a	1,5 V @ 15 A	60 ns	10 µA A 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
RURG3040	-	RFQ	9599	Harris Corporation	-	Volume	Ativo		Através do buraco	To-247-2		Avalanche		To-247-2	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)													400 v		1,5 V @ 30 A	60 ns	500 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	30a	-
MJ13091	4.4200	RFQ	272	Harris Corporation	-	Volume	Ativo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-204AA, TO-3			175 w	TO-3	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.29.0095	1																						6 v	15 a	500µA	Npn	3V @ 3A, 15A	8 @ 10A, 3V	-
2N5323	-	RFQ	9647	Harris Corporation	-	Volume	Ativo	-	Através do buraco	TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN	2N532		10 w	TO-5	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.29.0095	1																						50 v	2 a	-	Pnp	-	-	-
HFA3128B	4.9200	RFQ	2	Harris Corporation	*	Volume	Ativo								download		Fornecedor indefinido	ALCANCE AFETADO	2156-HFA3128B-600026			1
Tip116	0,2000	RFQ	8072	Harris Corporation	-	Volume	Obsoleto	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-3			2 w	TO-220F	download	Rohs Não Compatível				Ear99	8541.29.0095	1.200																						80 v	2 a	2m	PNP - Darlington	2.5V @ 8MA, 2A	1000 @ 1A, 4V	-
RHR1K160	0,2400	RFQ	3	Harris Corporation	-	Volume	Ativo		Montagem na Superfície	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura)		Padrão		8-SOIC	download	Não Aplicável	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)													600 v		2.1 V @ 1 a	25 ns	100 µA A 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	-
IRFR1109A	0,3600	RFQ	2	Harris Corporation	-	Volume	Ativo				IRFR1109	-			download	Não Aplicável	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	0000.00.0000	2.500											-
BDX34B	-	RFQ	8182	Harris Corporation	-	Volume	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3			70 w	To-220	download	Rohs Não Compatível				Ear99	8541.29.0095	200																						80 v	10 a	500µA	PNP - Darlington	2.5V @ 6MA, 3A	750 @ 3A, 3V	-
RHRP850CC	0,8800	RFQ	1	Harris Corporation	-	Volume	Ativo		Através do buraco	To-220-3		Avalanche		To-220-3	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)												1 par cátodo comum	500 v	8a	2,1 V @ 8 A	35 ns	100 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
RFP45N02L	0,4600	RFQ	1	Harris Corporation	-	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		To-220	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.29.0095	1		N-canal	20 v	45a (TC)	5V	22mohm @ 45a, 5V	2V A 250µA	60 nc @ 10 V	± 10V	1300 pf @ 15 V	-	90W (TC)
IRFD110	0,5700	RFQ	44	Harris Corporation	-	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	IRFD110	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		4-DIP, HEXDIP, HVMDIP	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	0000.00.0000	1		N-canal	100 v	1a (ta)	10V	540MOHM @ 600MA, 10V	4V A 250µA	8,3 nc @ 10 V	± 20V	180 pf @ 25 V	-	1.3W (TA)
RUR850	0,4600	RFQ	799	Harris Corporation	-	Volume	Ativo		Através do buraco	To-220-2		Padrão		TO-220AC	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)													500 v		1,5 V @ 8 A	60 ns	10 µA A 500 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	8a	-
HUF75339S3	0,2200	RFQ	7399	Harris Corporation	Ultrafet ™	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-262AA	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	0000.00.0000	1.200		N-canal	55 v	70A (TC)		12mohm @ 70A, 10V	4V A 250µA	130 NC @ 20 V	± 20V	2000 pf @ 25 V	-	124W (TC)