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Produtos semicondutores discretos(184)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G4S06506CT | 3.9000 |  | 2101 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,8 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 13,8A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |
| G5S06505CT | 4.6400 | | 7560 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 24A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |
 | G3S065100P | 59.4300 | | 6372 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 40 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 20A | 13500pF a 0V, 1MHz | |
| G4S12020P | 33.5600 | | 3260 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | - | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 64,5A | 2600pF a 0V, 1MHz |
2.000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
Fabricantes mundiais
15.000 m2
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