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Produtos Semicondutores Discretos (184)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
G3S06506D Global Power Technology-GPT G3S06506D 4.0700
RFQ
 ECAD 2800 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-263 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 6 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 22.5a 424pf @ 0V, 1MHz
G4S12010PM Global Power Technology-GPT G4S12010pm 17.6300
RFQ
 ECAD 6429 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 0 ns 30 µA A 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 33.2a -
G5S06508PT Global Power Technology-GPT G5S06508PT 5.3200
RFQ
 ECAD 6794 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 8 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 31.2a 550pf @ 0V, 1MHz
G3S06510C Global Power Technology-GPT G3S06510C 5.3000
RFQ
 ECAD 2289 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 34a 690pf @ 0V, 1MHz
G3S06504C Global Power Technology-GPT G3S06504C 3.0800
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 4 a 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 11.5a 181pf @ 0V, 1MHz
G3S12040B Global Power Technology-GPT G3S12040B 46.4400
RFQ
 ECAD 4306 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-3 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AB download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par cátodo comum 1200 v 64.5a (DC) 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G3S12010C Global Power Technology-GPT G3S12010C 10.8200
RFQ
 ECAD 8007 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 33.2a 765pf @ 0V, 1MHz
G3S06508C Global Power Technology-GPT G3S06508C 4.8000
RFQ
 ECAD 7422 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 8 a 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 25.5a 550pf @ 0V, 1MHz
G5S06510AT Global Power Technology-GPT G5S06510AT 6.3000
RFQ
 ECAD 6640 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 36a 645pf @ 0V, 1MHz
G3S06504D Global Power Technology-GPT G3S06504D 3.0800
RFQ
 ECAD 2828 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-263 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 4 a 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 11.5a 181pf @ 0V, 1MHz
G3S06503H Global Power Technology-GPT G3S06503H 2.7300
RFQ
 ECAD 1027 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 3 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 181pf @ 0V, 1MHz
G3S12015L Global Power Technology-GPT G3S12015L 20.6800
RFQ
 ECAD 6979 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-3 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AB download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 55a 1700pf @ 0V, 1MHz
G3S06504B Global Power Technology-GPT G3S06504B 3.0800
RFQ
 ECAD 9334 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-3 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AB download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par cátodo comum 650 v 9a (DC) 1,7 V @ 4 a 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G4S06508JT Global Power Technology-GPT G4S06508JT 4.6900
RFQ
 ECAD 4853 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Guia Isolada parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-220ISO download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 8 a 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 23.5a 395pf @ 0V, 1MHz
G4S06510QT Global Power Technology-GPT G4S06510QT 6.2000
RFQ
 ECAD 4936 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície 4-Powertsfn Sic (carboneto de Silíc) Schottky 4-DFN (8x8) download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 44.9a 550pf @ 0V, 1MHz
G5S12010D Global Power Technology-GPT G5S12010D 12.6300
RFQ
 ECAD 2899 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-263 download Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30.9a 825pf @ 0V, 1MHz
G3S06502C Global Power Technology-GPT G3S06502C 2.2800
RFQ
 ECAD 6993 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 2 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 9a 123pf @ 0V, 1MHz
G3S12030B Global Power Technology-GPT G3S12030B 38.3700
RFQ
 ECAD 1386 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-3 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AB download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par cátodo comum 1200 v 42a (DC) 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G4S06515AT Global Power Technology-GPT G4S06515AT 8.3300
RFQ
 ECAD 4598 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 36a 645pf @ 0V, 1MHz
G5S06506DT Global Power Technology-GPT G5S06506DT 4.8300
RFQ
 ECAD 4519 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-263 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 6 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 24a 395pf @ 0V, 1MHz
G5S06510DT Global Power Technology-GPT G5S06510DT 5.7300
RFQ
 ECAD 6367 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-263 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 38a 645pf @ 0V, 1MHz
G3S12010H Global Power Technology-GPT G3S12010H 17.2000
RFQ
 ECAD 4267 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 16.5a 765pf @ 0V, 1MHz
G5S06506AT Global Power Technology-GPT G5S06506AT 4.8300
RFQ
 ECAD 2979 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 6 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 24.5a 395pf @ 0V, 1MHz
G3S06560B Global Power Technology-GPT G3S06560B 37.5400
RFQ
 ECAD 2593 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-3 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AB download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par cátodo comum 650 v 95a (DC) 1,7 V @ 30 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G3S12050P Global Power Technology-GPT G3S12050P 44.0600
RFQ
 ECAD 8536 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,8 V @ 150 A 0 ns 100 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 117a 7500pf @ 0V, 1MHz
G5S12008C Global Power Technology-GPT G5S12008C 8.0700
RFQ
 ECAD 3987 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 8 a 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 28.9a 550pf @ 0V, 1MHz
G5S12040PP Global Power Technology-GPT G5S12040pp 43.3800
RFQ
 ECAD 8307 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par ânodo comum 1200 v 115a (DC) 1,7 V @ 40 A 0 ns 100 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G4S6508Z Global Power Technology-GPT G4S6508Z 4.8300
RFQ
 ECAD 4284 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície 8-PowerTdfn Sic (carboneto de Silíc) Schottky 8-DFN (4.9x5.75) download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 8 a 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30.5a 395pf @ 0V, 1MHz
G5S12008A Global Power Technology-GPT G5S12008A 8.0700
RFQ
 ECAD 5697 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 8 a 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 24.8a 550pf @ 0V, 1MHz
G3S12005D Global Power Technology-GPT G3S12005D 7.6200
RFQ
 ECAD 3385 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-263 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 34a 475pf @ 0V, 1MHz
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