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Produtos semicondutores discretos(184)

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G4S12020PM	30.5100	Solicitação de cotação	4007	Tecnologia Global de Energia-GPT	-	Fita Cortada (CT)	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AC	download	1 (ilimitado)	Informações REACH disponíveis mediante solicitação	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,6 V a 20 A	30 µA a 1700 V	-55°C ~ 175°C	64,5A	2600pF a 0V, 1MHz
G4S06515HT	8.3300	Solicitação de cotação	1776	Tecnologia Global de Energia-GPT	-	Fita Cortada (CT)	Ativo	Através do furo	Pacote Completo TO-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220F	download	1 (ilimitado)	Informações REACH disponíveis mediante solicitação	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 15 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	23,8A	645pF a 0 V, 1 MHz
G5S12002C	2.8400	Solicitação de cotação	7902	Tecnologia Global de Energia-GPT	-	Fita Cortada (CT)	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-252	download	1 (ilimitado)	Informações REACH disponíveis mediante solicitação	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 2 A	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	8,8A	170pF a 0 V, 1 MHz
G4S06515CT	8.3300	Solicitação de cotação	4595	Tecnologia Global de Energia-GPT	-	Fita Cortada (CT)	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-252	download	1 (ilimitado)	Informações REACH disponíveis mediante solicitação	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 15 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	35,8A	645pF a 0 V, 1 MHz
G3S17005C	25.7200	Solicitação de cotação	2406	Tecnologia Global de Energia-GPT	-	Fita Cortada (CT)	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-252	download	1 (ilimitado)	Informações REACH disponíveis mediante solicitação	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1700V		1,7 V a 5 A	50 µA a 1700 V	-55°C ~ 175°C	27A	780pF a 0 V, 1 MHz
G5S12008D	8.0700	Solicitação de cotação	8712	Tecnologia Global de Energia-GPT	-	Fita Cortada (CT)	Ativo	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-263	download	1 (ilimitado)	Informações REACH disponíveis mediante solicitação	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 8 A	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	26.1A	550pF a 0 V, 1 MHz
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G5S06510HT	5.7300	Solicitação de cotação	7291	Tecnologia Global de Energia-GPT	-	Fita Cortada (CT)	Ativo	Através do furo	Pacote Completo TO-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220F	download	1 (ilimitado)	Informações REACH disponíveis mediante solicitação	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V			50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	23,8A	-
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G5S06506CT	4.8300	Solicitação de cotação	2358	Tecnologia Global de Energia-GPT	-	Fita Cortada (CT)	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-252	download	1 (ilimitado)	Informações REACH disponíveis mediante solicitação	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,5 V a 6 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	24A	395pF a 0 V, 1 MHz
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G4S06506HT	3.9000	Solicitação de cotação	3697	Tecnologia Global de Energia-GPT	-	Fita Cortada (CT)	Ativo	Através do furo	Pacote Completo TO-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220F	download	1 (ilimitado)	Informações REACH disponíveis mediante solicitação	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,8 V a 6 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	9,7A	181pF a 0 V, 1 MHz
G4S06506CT	3.9000	Solicitação de cotação	2101	Tecnologia Global de Energia-GPT	-	Fita Cortada (CT)	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-252	download	1 (ilimitado)	Informações REACH disponíveis mediante solicitação	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,8 V a 6 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	13,8A	181pF a 0 V, 1 MHz
G5S06505CT	4.6400	Solicitação de cotação	7560	Tecnologia Global de Energia-GPT	-	Fita Cortada (CT)	Ativo	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-252	download	1 (ilimitado)	Informações REACH disponíveis mediante solicitação	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,5 V a 5 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	24A	395pF a 0 V, 1 MHz
G5S12002A	2.8400	Solicitação de cotação	9027	Tecnologia Global de Energia-GPT	-	Fita Cortada (CT)	Ativo	Através do furo	PARA-220-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-220AC	download	1 (ilimitado)	Informações REACH disponíveis mediante solicitação	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 2 A	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	10A	170pF a 0 V, 1 MHz
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G3S065100P	59.4300	Solicitação de cotação	6372	Tecnologia Global de Energia-GPT	-	Fita Cortada (CT)	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AC	download	1 (ilimitado)	Informações REACH disponíveis mediante solicitação	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		650 V		1,7 V a 40 A	50 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	20A	13500pF a 0V, 1MHz
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G3S12010P	13.9300	Solicitação de cotação	3811	Tecnologia Global de Energia-GPT	-	Fita Cortada (CT)	Ativo	Através do furo	PARA-247-2	SiC (carboneto de silício) Schottky	TO-247AC	download	1 (ilimitado)	Informações REACH disponíveis mediante solicitação	EAR99	8541.10.0080	30	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)		1200 V		1,7 V a 110 A	50 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	37A	765pF a 0 V, 1 MHz