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Produtos semicondutores discretos(184)

Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Tipo de montagem Pacote/Caso Tecnologia Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH ECCN HTSU Pacote Padrão Velocidade Configuração de diodo Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F
G5S6506Z Global Power Technology-GPT G5S6506Z 5.5400
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 ECAD 8309 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície 8-PowerTDFN SiC (carboneto de silício) Schottky 8-DFN (4,9x5,75) download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 6 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 30,5A 395pF a 0 V, 1 MHz
G3S06503A Global Power Technology-GPT G3S06503A 2.7300
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 ECAD 400 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Tubo Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 3 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 11,5A 181pF a 0 V, 1 MHz
G3S065100P Global Power Technology-GPT G3S065100P 59.4300
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 ECAD 6372 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 40 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 20A 13500pF a 0V, 1MHz
G5S06504AT Global Power Technology-GPT G5S06504AT 3.6600
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 ECAD 4724 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,6 V a 4 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 11,6A 181pF a 0 V, 1 MHz
G4S06530BT Global Power Technology-GPT G4S06530BT 16.1800
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 ECAD 4468 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 650 V 39A (CC) 1,7 V a 15 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
G3S06508J Global Power Technology-GPT G3S06508J 6.2800
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 ECAD 4678 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Guia Isolada TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-220ISO download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 23A 550pF a 0 V, 1 MHz
G3S17020B Global Power Technology-GPT G3S17020B 48.6200
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 ECAD 1387 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 1700V 24A (CC) 1,7 V a 10 A 0 ns 100 µA a 1700 V -55°C ~ 175°C
G3S12003C Global Power Technology-GPT G3S12003C 4.5600
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 ECAD 8435 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 3 A 0 ns 100 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 12A 260pF a 0 V, 1 MHz
G3S12015P Global Power Technology-GPT G3S12015P 20.6800
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 ECAD 6095 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 15 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 42A 1379pF a 0 V, 1 MHz
G3S12004B Global Power Technology-GPT G3S12004B 6.7200
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 ECAD 3127 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 1200 V 8,5A (CC) 1,7 V a 2 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
G3S17005A Global Power Technology-GPT G3S17005A 25.7200
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 ECAD 1837 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1700V 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 1700 V -55°C ~ 175°C 28A 800pF a 0 V, 1 MHz
G5S12015L Global Power Technology-GPT G5S12015L 15.2900
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 ECAD 4965 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 15 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 55A 1370pF a 0V, 1MHz
G3S12015H Global Power Technology-GPT G3S12015H 20.6800
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 ECAD 8064 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 15 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 21A 1700pF a 0V, 1MHz
G4S12020A Global Power Technology-GPT G4S12020A 33.5600
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 ECAD 8244 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC - 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 120 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 73A 2600pF a 0V, 1MHz
G3S12005A Global Power Technology-GPT G3S12005A 7.6200
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 ECAD 3236 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 22A 475pF a 0 V, 1 MHz
G3S06540B Global Power Technology-GPT G3S06540B 30.6100
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 ECAD 9682 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 650 V 60A (CC) 1,7 V a 20 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
G4S06508DT Global Power Technology-GPT G4S06508DT 4.6900
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 ECAD 5576 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 24A 395pF a 0 V, 1 MHz
G5S06508AT Global Power Technology-GPT G5S06508AT 5.3200
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 ECAD 9245 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 30,5A 550pF a 0 V, 1 MHz
G5S06505AT Global Power Technology-GPT G5S06505AT 4.6400
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 ECAD 7102 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 5 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 24,5A 395pF a 0 V, 1 MHz
G3S17010B Global Power Technology-GPT G3S17010B 33.3200
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 ECAD 2827 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 1700V 29,5A (CC) 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 1700 V -55°C ~ 175°C
G3S12015A Global Power Technology-GPT G3S12015A 20.6800
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 ECAD 4387 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 15 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 57A 1700pF a 0V, 1MHz
G3S12003H Global Power Technology-GPT G3S12003H 4.5600
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 ECAD 4100 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 3 A 0 ns 100 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 9A 260pF a 0 V, 1 MHz
G5S12002H Global Power Technology-GPT G5S12002H 3.0000
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 ECAD 6277 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 2 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 7,5A 170pF a 0 V, 1 MHz
G3S06508D Global Power Technology-GPT G3S06508D 4.8000
Solicitação de cotação
 ECAD 9492 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 25,5A 550pF a 0 V, 1 MHz
G4S06508CT Global Power Technology-GPT G4S06508CT 4.6900
Solicitação de cotação
 ECAD 1563 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 24A 395pF a 0 V, 1 MHz
G3S06506C Global Power Technology-GPT G3S06506C 4.0700
Solicitação de cotação
 ECAD 4536 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 6 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 22,5A 424pF a 0 V, 1 MHz
G5S12015PM Global Power Technology-GPT G5S12015PM 16.5000
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 ECAD 6923 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 15 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 55A 1370pF a 0V, 1MHz
G3S12010A Global Power Technology-GPT G3S12010A 17.2000
Solicitação de cotação
 ECAD 2786 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 10 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 34,8A 770pF a 0 V, 1 MHz
G5S06508DT Global Power Technology-GPT G5S06508DT 5.3200
Solicitação de cotação
 ECAD 7962 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 32A 550pF a 0 V, 1 MHz
G3S12002H Global Power Technology-GPT G3S12002H 3.8200
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 ECAD 8263 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 2 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 7.3A 136pF a 0 V, 1 MHz
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