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Produtos semicondutores discretos(184)

Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Tipo de montagem Pacote/Caixa Tecnologia Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH ECCN HTSU Pacote Padrão Velocidade Configuração de diodo Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F
G5S12008H Global Power Technology-GPT G5S12008H 8.0700
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 ECAD 1340 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 16A 550pF a 0 V, 1 MHz
G5S06520AT Global Power Technology-GPT G5S06520AT 12.1800
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 ECAD 9308 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 20 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 68,8A 1600pF a 0V, 1MHz
G5S06505DT Global Power Technology-GPT G5S06505DT 4.6400
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 ECAD 1517 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 5 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 24A 395pF a 0 V, 1 MHz
G5S06508HT Global Power Technology-GPT G5S06508HT 5.3200
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 ECAD 9812 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 20A 550pF a 0 V, 1 MHz
G4S06510HT Global Power Technology-GPT G4S06510HT 4.8600
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 ECAD 9481 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 10 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 20A 550pF a 0 V, 1 MHz
G3S06502A Global Power Technology-GPT G3S06502A 2.2800
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 ECAD 2507 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 2 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 9A 123pF a 0V, 1MHz
G5S06508QT Global Power Technology-GPT G5S06508QT 6.2000
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 ECAD 7166 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície 4-PowerTSFN SiC (carboneto de silício) Schottky 4-DFN (8x8) download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 44,9A 550pF a 0 V, 1 MHz
G5S06504CT Global Power Technology-GPT G5S06504CT 3.6600
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 ECAD 7292 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,6 V a 4 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 13,8A 181pF a 0 V, 1 MHz
G3S06508H Global Power Technology-GPT G3S06508H 4.8000
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 ECAD 3.000 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 14A 550pF a 0 V, 1 MHz
G3S17010A Global Power Technology-GPT G3S17010A 33.3600
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 ECAD 3150 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1700 V 1,7 V a 10 A 0 ns 100 µA a 1700 V -55°C ~ 175°C 24A 1500pF a 0V, 1MHz
G3S12002C Global Power Technology-GPT G3S12002C 3.8200
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 ECAD 5093 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 2 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 8,8A 170pF a 0 V, 1 MHz
G5S06505HT Global Power Technology-GPT G5S06505HT 4.6400
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 ECAD 7344 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,5 V a 5 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 18,5A 395pF a 0 V, 1 MHz
G3S06520A Global Power Technology-GPT G3S06520A 11.9400
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 ECAD 1774 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 20 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 56,5A 1170pF a 0 V, 1 MHz
G4S06520BT Global Power Technology-GPT G4S06520BT 12.1100
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 ECAD 9600 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 650 V 31,2A (CC) 1,7 V a 10 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
G3S12020B Global Power Technology-GPT G3S12020B 22.1100
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 ECAD 6821 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 1200 V 37A (CC) 1,7 V a 10 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
G4S06515PT Global Power Technology-GPT G4S06515PT 8.3300
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 ECAD 2725 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 15 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 39A 645pF a 0 V, 1 MHz
G3S12005H Global Power Technology-GPT G3S12005H 7.6200
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 ECAD 5288 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 21A 475pF a 0 V, 1 MHz
G4S06510DT Global Power Technology-GPT G4S06510DT 4.8600
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 ECAD 7221 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 10 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 32A 550pF a 0 V, 1 MHz
G5S12020B Global Power Technology-GPT G5S12020B 23.8000
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 ECAD 3557 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 1200 V 33A (CC) 1,7 V a 10 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
G4S12040BM Global Power Technology-GPT G4S12040BM 53.2300
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 ECAD 3643 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 1200 V 64,5A (CC) 1,6 V a 20 A 0 ns 30 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
G3S06503D Global Power Technology-GPT G3S06503D 2.7300
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 ECAD 5471 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-263 download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 3 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 11,5A 181pF a 0 V, 1 MHz
G5S12016BM Global Power Technology-GPT G5S12016BM 14.2800
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 ECAD 9360 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 1200 V 27,9A (CC) 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
G3S06505H Global Power Technology-GPT G3S06505H 3.3300
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 ECAD 1856 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo Pacote Completo TO-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220F download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 15,4A 424pF a 0 V, 1 MHz
GAS06520A Global Power Technology-GPT GÁS06520A 11.1000
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 ECAD 9864 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 20 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 66A 1390pF a 0 V, 1 MHz
G3S06506A Global Power Technology-GPT G3S06506A 4.0700
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 ECAD 7115 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-220-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-220AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 6 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 22,6A 424pF a 0 V, 1 MHz
G4S06516BT Global Power Technology-GPT G4S06516BT 7.6700
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 ECAD 2145 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 650 V 25,9A (CC) 1,7 V a 8 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
G3S06550P Global Power Technology-GPT G3S06550P 37.4900
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 ECAD 7840 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 50 A 0 ns 100 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 105A 4400pF a 0V, 1MHz
G3S06510B Global Power Technology-GPT G3S06510B 7.1800
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 ECAD 7126 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-3 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AB download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1 par de cátodo comum 650 V 27A (CC) 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
G3S17005P Global Power Technology-GPT G3S17005P 28.5100
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 ECAD 8699 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1700 V 1,7 V a 5 A 0 ns 50 µA a 1700 V -55°C ~ 175°C 29,5A 780pF a 0 V, 1 MHz
G3S06510P Global Power Technology-GPT G3S06510P 8.2400
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 ECAD 9429 0,00000000 Tecnologia Global de Energia-GPT - Fita Cortada (CT) Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC download 1 (ilimitado) Informações REACH disponíveis mediante solicitação EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 10 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 32,8A 690pF a 0 V, 1 MHz
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