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Produtos Semicondutores Discretos (184)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
G5S06510CT Global Power Technology-GPT G5S06510CT 5.7300
RFQ
 ECAD 9401 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 35.8a 645pf @ 0V, 1MHz
G3S06503D Global Power Technology-GPT G3S06503D 2.7300
RFQ
 ECAD 5471 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-263 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 3 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 11.5a 181pf @ 0V, 1MHz
G4S06510HT Global Power Technology-GPT G4S06510HT 4.8600
RFQ
 ECAD 9481 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 20a 550pf @ 0V, 1MHz
G5S12005D Global Power Technology-GPT G5S12005D 7.4500
RFQ
 ECAD 5571 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-263 download Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 21a 424pf @ 0V, 1MHz
G5S06510PT Global Power Technology-GPT G5S06510PT 5.7300
RFQ
 ECAD 2769 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AC - 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 39a 645pf @ 0V, 1MHz
G4S06515PT Global Power Technology-GPT G4S06515pt 8.3300
RFQ
 ECAD 2725 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 39a 645pf @ 0V, 1MHz
G3S06510D Global Power Technology-GPT G3S06510D 5.3000
RFQ
 ECAD 8844 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-263 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 34a 690pf @ 0V, 1MHz
G4S12020BM Global Power Technology-GPT G4S12020BM 30.5100
RFQ
 ECAD 9645 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-3 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AB download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par cátodo comum 1200 v 33.2a (DC) 1,6 V @ 10 A 0 ns 30 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G3S06510M Global Power Technology-GPT G3S06510M 5.3000
RFQ
 ECAD 8497 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 21a 690pf @ 0V, 1MHz
GAS06520D Global Power Technology-GPT GAS06520D 11.1000
RFQ
 ECAD 1265 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-263 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 20 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 79.5a 1390pf @ 0V, 1MHz
G3S06503C Global Power Technology-GPT G3S06503C 2.7300
RFQ
 ECAD 3004 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 3 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 11.5a 181pf @ 0V, 1MHz
G3S06510H Global Power Technology-GPT G3S06510H 5.3000
RFQ
 ECAD 6225 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 20a 690pf @ 0V, 1MHz
G5S06505DT Global Power Technology-GPT G5S06505DT 4.6400
RFQ
 ECAD 1517 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-263 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 5 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 24a 395pf @ 0V, 1MHz
G5S06520AT Global Power Technology-GPT G5S06520AT 12.1800
RFQ
 ECAD 9308 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 20 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 68.8a 1600pf @ 0V, 1MHz
G3S06506A Global Power Technology-GPT G3S06506A 4.0700
RFQ
 ECAD 7115 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 6 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 22.6a 424pf @ 0V, 1MHz
GAS06520H Global Power Technology-GPT GAS06520H 11.1000
RFQ
 ECAD 8334 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 20 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a 1390pf @ 0V, 1MHz
G3S17010A Global Power Technology-GPT G3S17010A 33.3600
RFQ
 ECAD 3150 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1700 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 100 µA A 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 24a 1500pf @ 0V, 1MHz
G5S06508QT Global Power Technology-GPT G5S06508QT 6.2000
RFQ
 ECAD 7166 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície 4-Powertsfn Sic (carboneto de Silíc) Schottky 4-DFN (8x8) download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 8 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 44.9a 550pf @ 0V, 1MHz
G5S06504CT Global Power Technology-GPT G5S06504CT 3.6600
RFQ
 ECAD 7292 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,6 V @ 4 a 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 13.8a 181pf @ 0V, 1MHz
G3S12005C Global Power Technology-GPT G3S12005C 7.6200
RFQ
 ECAD 7511 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 34a 475pf @ 0V, 1MHz
GAS06520A Global Power Technology-GPT GAS06520A 11.1000
RFQ
 ECAD 9864 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 20 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 66a 1390pf @ 0V, 1MHz
G3S12005H Global Power Technology-GPT G3S12005H 7.6200
RFQ
 ECAD 5288 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 21a 475pf @ 0V, 1MHz
G3S06506B Global Power Technology-GPT G3S06506B 5.0200
RFQ
 ECAD 1251 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-3 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AB download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par cátodo comum 650 v 14a (DC) 1,7 V @ 3 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G3S17005P Global Power Technology-GPT G3S17005P 28.5100
RFQ
 ECAD 8699 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1700 v 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA A 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 29.5a 780pf @ 0V, 1MHz
G5S12010BM Global Power Technology-GPT G5S12010BM 13.9300
RFQ
 ECAD 3293 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-3 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AB download Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par cátodo comum 1200 v 19.35a (DC) 1,7 V @ 5 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G5S12020B Global Power Technology-GPT G5S12020B 23.8000
RFQ
 ECAD 3557 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-3 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AB download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par cátodo comum 1200 v 33a (DC) 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G3S06516B Global Power Technology-GPT G3S06516B 9.8300
RFQ
 ECAD 5474 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-3 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AB download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1 par cátodo comum 650 v 25.5a (DC) 1,7 V @ 8 a 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C.
G5S06508HT Global Power Technology-GPT G5S06508HT 5.3200
RFQ
 ECAD 9812 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 8 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 20a 550pf @ 0V, 1MHz
G3S12020A Global Power Technology-GPT G3S12020A 30.2000
RFQ
 ECAD 4822 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 120 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 73a 2600pf @ 0V, 1MHz
G3S06502H Global Power Technology-GPT G3S06502H 2.2800
RFQ
 ECAD 3507 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 2 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 9a 123pf @ 0V, 1MHz
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