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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G5S06510PT | 5.7300 | ![]() | 2769 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | - | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 39A | 645pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | GÁS06520L | 11.1000 | ![]() | 1461 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 66,5A | 1390pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12015A | 15.2900 | ![]() | 2352 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 53A | 1370pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G4S12020BM | 30.5100 | ![]() | 9645 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1200 V | 33,2A (CC) | 1,6 V a 10 A | 0 ns | 30 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
![]() | G5S12010C | 12.6300 | ![]() | 7490 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 34,2A | 825pF a 0 V, 1 MHz | ||||
![]() | G3S06510H | 5.3000 | ![]() | 6225 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 20A | 690pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G4S06510DT | 4.8600 | ![]() | 7221 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-263 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 32A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12020B | 23.8000 | ![]() | 3557 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1200 V | 33A (CC) | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
![]() | G4S12040BM | 53.2300 | ![]() | 3643 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1200 V | 64,5A (CC) | 1,6 V a 20 A | 0 ns | 30 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
![]() | G3S06503D | 2.7300 | ![]() | 5471 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-263 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 3 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 11,5A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12016BM | 14.2800 | ![]() | 9360 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1200 V | 27,9A (CC) | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | ||||
![]() | G3S06505H | 3.3300 | ![]() | 1856 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 15,4A | 424pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | GÁS06520A | 11.1000 | ![]() | 9864 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 66A | 1390pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06506A | 4.0700 | ![]() | 7115 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 22,6A | 424pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G4S06508QT | 4.8300 | ![]() | 1848 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | 4-PowerTSFN | SiC (carboneto de silício) Schottky | 4-DFN (8x8) | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 34A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12005A | 7.4500 | ![]() | 6582 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 20,5A | 424pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06502H | 2.2800 | ![]() | 3507 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 9A | 123pF a 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S06520A | 11.9400 | ![]() | 1774 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 56,5A | 1170pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G4S06520BT | 12.1100 | ![]() | 9600 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 650 V | 31,2A (CC) | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | |||
![]() | G3S12020B | 22.1100 | ![]() | 6821 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1200 V | 37A (CC) | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
![]() | G4S06515PT | 8.3300 | ![]() | 2725 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 39A | 645pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S12005H | 7.6200 | ![]() | 5288 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 21A | 475pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S12002C | 3.8200 | ![]() | 5093 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 8,8A | 170pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S06505HT | 4.6400 | ![]() | 7344 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote Completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 18,5A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G4S06516BT | 7.6700 | ![]() | 2145 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 650 V | 25,9A (CC) | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | |||
![]() | GÁS06520D | 11.1000 | ![]() | 1265 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-263 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 79,5A | 1390pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12016B | 13.9300 | ![]() | 4770 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1200 V | 27,9A (CC) | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
![]() | G3S06530A | 15.4900 | ![]() | 1167 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 30 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 110A | 2150pF a 0V, 1MHz | |||
![]() | G3S12003A | 4.5600 | ![]() | 2379 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 3 A | 0 ns | 100 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 12A | 260pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G4S06506AT | 3.9000 | ![]() | 5870 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,8 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 11,6A | 181pF a 0 V, 1 MHz |

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