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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G3S12010C | 10.8200 | ![]() | 8007 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 33,2A | 765pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12008A | 8.0700 | ![]() | 5697 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 24,8A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S06510DT | 5.7300 | ![]() | 6367 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-263 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 38A | 645pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06508C | 4.8000 | ![]() | 7422 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 25,5A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12020PM | 21.7500 | ![]() | 1796 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 62A | 1320pF a 0V, 1MHz | ||||
![]() | G3S06508B | 5.1600 | ![]() | 4452 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 650 V | 14A (CC) | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | |||
![]() | G4S06510JT | 4.8600 | ![]() | 8183 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Guia Isolada TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-220ISO | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 31,2A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12040PP | 43.3800 | ![]() | 8307 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de anodo comum | 1200 V | 115A (CC) | 1,7 V a 40 A | 0 ns | 100 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
![]() | G3S06503H | 2.7300 | ![]() | 1027 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 3 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06504H | 3.0800 | ![]() | 2030 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 4 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06504C | 3.0800 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Volume | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 4 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 11,5A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G52YT | 2.7300 | ![]() | 3166 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | SiC (carboneto de silício) Schottky | SMA | download | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 5.8A | 116,75pF a 0 V, 1 MHz | ||||
![]() | G3S12006B | 9.7600 | ![]() | 5148 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1200 V | 14A (CC) | 1,7 V a 3 A | 0 ns | 100 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
![]() | G3S12010D | 11.2500 | ![]() | 5257 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-263 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 33,2A | 765pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06530P | 15.4900 | ![]() | 3036 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 30 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 95A | 2150pF a 0V, 1MHz | |||
![]() | G5S06506HT | 4.8300 | ![]() | 1799 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 18,5A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G4S06515AT | 8.3300 | ![]() | 4598 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 36A | 645pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S12010B | 16.0500 | ![]() | 1220 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 1200 V | 39A (CC) | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
![]() | G3S06520B | 12.7000 | ![]() | 5244 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 40A | 690pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06504B | 3.0800 | ![]() | 9334 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-3 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AB | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 650 V | 9A (CC) | 1,7 V a 4 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | |||
![]() | G4S12010PM | 17.6300 | ![]() | 6429 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 0 ns | 30 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | 33,2A | - | ||||
![]() | G5S06508PT | 5.3200 | ![]() | 6794 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 31,2A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06506H | 4.0700 | ![]() | 2999 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 15,4A | 424pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G4S06515DT | 8.3300 | ![]() | 2967 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-263 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 38A | 645pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S12050P | 44.0600 | ![]() | 8536 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,8 V a 150 A | 0 ns | 100 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 117A | 7500pF a 0V, 1MHz | |||
![]() | G5S12008C | 8.0700 | ![]() | 3987 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-252 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 28,9A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G3S06510M | 5.3000 | ![]() | 8497 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | Pacote completo TO-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 21A | 690pF a 0 V, 1 MHz | |||
![]() | G5S12010PM | 13.9300 | ![]() | 4807 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-247-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-247AC | download | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 33A | 825pF a 0 V, 1 MHz | ||||
![]() | G4S12020D | 19.1600 | ![]() | 4685 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-263 | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 75A | 2600pF a 0V, 1MHz | |||
![]() | GÁS06520A | 11.1000 | ![]() | 9864 | 0,00000000 | Tecnologia Global de Energia-GPT | - | Fita Cortada (CT) | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | SiC (carboneto de silício) Schottky | TO-220AC | download | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 66A | 1390pF a 0 V, 1 MHz |

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