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Produtos Semicondutores discretos (2160)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Max)
GB02SHT06-46	52.4500	RFQ	8029	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Através do buraco	TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN	GB02SHT06	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-46	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)	1242-1256	Ear99	8541.10.0080	200	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		600 v		1,6 V @ 1 A	0 ns	5 µA A 600 V	-55 ° C ~ 225 ° C.	4a	76pf @ 1V, 1MHz
MSRTA30080A	56.2380	RFQ	1863	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Montagem do chassi	Três Torre	MSRTA300	Padrão	Três Torre	-	Rohs Compatível	1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	25	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	800 v	300A (DC)	1,2 V @ 300 A		25 µA A 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MBR30080CTR	94.5030	RFQ	7792	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Montagem do chassi	Torre Dupla	MBR30080	Schottky	Torre Dupla	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)	MBR30080CTRGN	Ear99	8541.10.0080	40	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par ânodo comum	80 v	150a	840 mV @ 150 A		8 mA a 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
S85JR	15.0400	RFQ	339	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud	S85J	Polaridada reversa padrão	Do-5	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)	1242-1066	Ear99	8541.10.0080	100	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		600 v		1,1 V @ 85 A		10 µA A 100 V	-65 ° C ~ 180 ° C.	85a	-
MUR20010CT	101.6625	RFQ	4937	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Montagem do chassi	Torre Dupla	Mur20010	Padrão	Torre Dupla	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)	1242-1000	Ear99	8541.10.0080	40	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	100 v	100a	1,3 V @ 100 A	75 ns	25 µA a 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
1N4592R	35.5695	RFQ	6078	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pântano	Do-205AA, DO-8, Stud	1N4592R	Polaridada reversa padrão	Do-205AA (DO-8)	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)	1N4592RGN	Ear99	8541.10.0080	10	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		600 v		1,5 V @ 150 A		6,5 mA a 600 V	-60 ° C ~ 200 ° C.	150a	-
MBRH12040R	65.2300	RFQ	45	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Montagem do chassi	D-67 Half-Pak	MBRH12040	Schottky, reversa polaridada	D-67	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)	1242-1067	Ear99	8541.10.0080	36	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		40 v		700 mV @ 120 A		1 mA a 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	120a	-
1N3289A	33.5805	RFQ	1299	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pântano	Do-205AA, DO-8, Stud	1N3289	Padrão	Do-205AA (DO-8)	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)	1N3289AGN	Ear99	8541.10.0080	10	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		200 v		1,5 V @ 100 A		24 mA a 200 V	-40 ° C ~ 200 ° C.	100a	-
FR6AR02	5.1225	RFQ	2978	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pântano	DO-203AA, DO-4, Stud		Polaridada reversa padrão	Do-4	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)	FR6AR02GN	Ear99	8541.10.0080	250	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		50 v		1,4 V @ 6 A	200 ns	25 µA a 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	6a	-
S380ZR	86.5785	RFQ	5464	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pântano	DO-205AB, DO-9, Stud	S380	Polaridada reversa padrão	DO-205AB (DO-9)	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)	S380ZRGN	Ear99	8541.10.0080	8	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		2000 v		1,2 V @ 380 A		10 µA A 1600 V	-60 ° C ~ 180 ° C.	380a	-
MSRT100140AD	54.0272	RFQ	4745	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Montagem do chassi	Três Torre	MSRT100	Padrão	Três Torre	-	Rohs Compatível	1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	25	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	1400 v	100a	1,1 V @ 100 A		10 µA A 1400 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
KBPC2506T	2.2995	RFQ	3650	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal de QC	4 Quadrados, KBPC-T	KBPC2506	Padrão	KBPC	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	50					1,1 V @ 12,5 A		5 µA A 600 V		25 a		Fase Única	600 v
S70MR	9.8985	RFQ	5098	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud	S70M	Polaridada reversa padrão	Do-5	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)	S70MRGN	Ear99	8541.10.0080	100	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		1000 v		1,1 V @ 70 A		10 µA A 100 V	-65 ° C ~ 180 ° C.	70A	-
1N5828	12.4155	RFQ	6466	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud	1N5828	Schottky	Do-5	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)	1N5828GN	Ear99	8541.10.0080	250	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		40 v		500 mV @ 15 A		10 mA a 20 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	15a	-
GBPC3502W	2.8650	RFQ	7330	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4 Quadrados, GBPC-W	GBPC3502	Padrão	GBPC-W	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)	GBPC3502WGS	Ear99	8541.10.0080	50					1,1 V @ 17,5 A		5 µA A 200 V		35 a		Fase Única	200 v
MBR2X120A080	51.8535	RFQ	1508	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	MBR2X120	Schottky	SOT-227	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	52	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	80 v	120a	840 mV @ 120 A		1 mA a 80 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
1N3766	6.2320	RFQ	4148	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud	1N3766	Padrão	Do-5	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)	1N3766GN	Ear99	8541.10.0080	100	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		800 v		1,2 V @ 35 A		10 µA a 50 V	-65 ° C ~ 190 ° C.	35a	-
FR40M05	12.8985	RFQ	4560	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud		Padrão	Do-5	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	100	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		1000 v		1 V @ 40 A	500 ns	25 µA A 100 V	-40 ° C ~ 125 ° C.	40A	-
FST73100M	-	RFQ	6895	Genesco semicondutors	-	Volume	Obsoleto		Montagem do chassi	D61-3M		Schottky	D61-3M	-		1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	25	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	100 v	35a	840 mV @ 35 A		1 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MBR60035CTRL	-	RFQ	2077	Genesco semicondutors	-	Volume	Obsoleto		Montagem do chassi	Torre Dupla		Schottky	Torre Dupla	-		1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	25	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par ânodo comum	35 v	300A	600 mV @ 300 A		3 ma @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
GBPC25010T	2.5305	RFQ	6504	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal de QC	4 Quadrados, GBPC	GBPC25010	Padrão	GBPC	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	200					1,1 V @ 12,5 A		5 µA A 100 V		25 a		Fase Única	1 kv
MBRH20040RL	-	RFQ	5433	Genesco semicondutors	-	Volume	Obsoleto		Montagem do chassi	D-67 Half-Pak		Schottky, reversa polaridada	D-67	-		1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)		40 v		600 mv @ 200 a		5 mA a 40 V		200a	-
GBPC5002W	4.0155	RFQ	1771	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4 Quadrados, GBPC-W	GBPC5002	Padrão	GBPC-W	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	50					1,2 V @ 25 A		5 µA A 200 V		50 a		Fase Única	200 v
MBRTA40020L	-	RFQ	8335	Genesco semicondutors	-	Volume	Obsoleto		Montagem do chassi	Três Torre		Schottky	Três Torre	-		1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	18	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	20 v	200a	580 mV @ 200 A		3 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2X060A200	46.9860	RFQ	5106	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	MBR2X060	Schottky	SOT-227	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	52	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	200 v	60a	920 mV @ 60 A		3 ma @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
FST8320SM	-	RFQ	6365	Genesco semicondutors	-	Volume	Obsoleto		Montagem do chassi	D61-3SM		Schottky	D61-3SM	download		1 (ilimito)	FST8320SMGN	Ear99	8541.10.0080	30	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	20 v	80a (DC)	650 mV @ 80 A		1,5 mA a 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
1N3765R	6.2320	RFQ	1506	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pântano	DO-203AB, DO-5, Stud	1N3765R	Polaridada reversa padrão	Do-5	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)	1N3765RGN	Ear99	8541.10.0080	100	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)		700 v		1,2 V @ 35 A		10 µA a 50 V	-65 ° C ~ 190 ° C.	35a	-
KBPC2504W	2.2995	RFQ	3961	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4 Quadrados, KBPC-W	KBPC2504	Padrão	KBPC-W	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	50					1,1 V @ 12,5 A		5 µA A 400 V		25 a		Fase Única	400 v
M3P75A-160	-	RFQ	4030	Genesco semicondutors	-	Volume	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem do chassi	Módulo 5-SMD		Padrão	5-SMD	download		1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	24					1,15 V @ 75 A		10 µA A 1600 V		75 a		Três fase	1,6 kV
MSRTA30060A	56.2380	RFQ	7674	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo		Montagem do chassi	Três Torre	MSRTA300	Padrão	Três Torre	-	Rohs Compatível	1 (ilimito)		Ear99	8541.10.0080	25	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	600 v	300A (DC)	1,2 V @ 300 A		25 µA A 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.