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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KBPM308G | - | ![]() | 2416 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, KBPM | padrão | KBPM | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | KBPM308GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | 1,1 V a 3 A | 5 µA a 50 V | 3A | Monofásico | 800V | ||||||||||
![]() | KBL404G | 0,5385 | ![]() | 1146 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, KBL | KBL404 | padrão | KBL | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | KBL404GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 4 A | 5 µA a 400 V | 4A | Monofásico | 400 V | |||||||||
![]() | GBU15B | 0,6120 | ![]() | 4357 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBU | GBU15 | padrão | GBU | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | GBU15BGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 15 A | 5 µA a 100 V | 15A | Monofásico | 100V | |||||||||
![]() | KBPM304G | - | ![]() | 8131 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, KBPM | padrão | KBPM | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | KBPM304GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | 1,1 V a 3 A | 5 µA a 50 V | 3A | Monofásico | 400 V | ||||||||||
![]() | GBU15M | 0,6120 | ![]() | 3489 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBU | GBU15 | padrão | GBU | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | GBU15MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 15 A | 5 µA a 1000 V | 15A | Monofásico | 1kV | |||||||||
![]() | KBPM208G | - | ![]() | 8538 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, KBPM | padrão | KBPM | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | KBPM208GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V a 2 A | 5 µA a 50 V | 2A | Monofásico | 800V | ||||||||||
![]() | MBRTA50045 | - | ![]() | 3338 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 45V | 250A | 700 mV a 250 A | 1 mA a 45 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | DB153G | 0,2325 | ![]() | 7910 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-EDIP (0,321", 8,15 mm) | DB153 | padrão | BD | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | DB153GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1,1 V a 1,5 A | 5 µA a 200 V | 1,5A | Monofásico | 200 V | |||||||||
![]() | MUR30010CTR | 118.4160 | ![]() | 3859 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Torre Gêmea | MUR30010 | padrão | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MUR30010CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 100V | 150A | 1,3 V a 100 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||||
![]() | S300BR | 63.8625 | ![]() | 2398 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AB, DO-9, pino | S300 | Padrão, inversão de polaridade | DO-205AB (DO-9) | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | S300BRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 100V | 1,2 V a 300 A | 10 µA a 100 V | -60°C ~ 200°C | 300A | - | ||||||||
| FR40G02 | 16.1200 | ![]() | 406 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | padrão | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1063 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1 V a 40 A | 200 ns | 25 µA a 100 V | -40°C ~ 125°C | 40A | - | |||||||||
![]() | MBR7545 | 20.8845 | ![]() | 9676 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | MBR7545 | Schottky | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBR7545GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 650 mV a 75 A | 1 mA a 45 V | -55°C ~ 150°C | 75A | - | ||||||||
![]() | MBR2X060A180 | 46.9860 | ![]() | 2433 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MBR2X060 | Schottky | SOT-227 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 180 V | 60A | 920 mV a 60 A | 3 mA a 180 V | -40°C ~ 150°C | |||||||||
![]() | 1N3765 | 6.2320 | ![]() | 5017 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 1N3765 | padrão | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N3765GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 700 V | 1,2 V a 35 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 190°C | 35A | - | ||||||||
![]() | MUR2X060A12 | 46.9860 | ![]() | 3031 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MUR2X060 | padrão | SOT-227 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 1200 V | 60A | 2,35 V a 60 A | 25 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||
![]() | S40J | 6.3770 | ![]() | 5569 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | padrão | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | S40JGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,1 V a 40 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 190°C | 40A | - | |||||||||
![]() | MUR2510 | 10.1910 | ![]() | 2130 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1099 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 1 V a 25 A | 75ns | 10 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 25A | - | ||||||||
![]() | GD05MPS17J | - | ![]() | 1326 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Tubo | Ativo | GD05MPS | - | 1242-GD05MPS17J | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRTA80030 | - | ![]() | 9680 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 30 V | 400A | 720 mV a 400 A | 1 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | S16G | 4.5900 | ![]() | 1490 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | - | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | S16GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 16 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 16A | - | |||||||||
![]() | FR20AR02 | 9.3555 | ![]() | 8191 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | Padrão, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | FR20AR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1 V a 20 A | 200 ns | 25 µA a 50 V | -40°C ~ 125°C | 20A | - | ||||||||
![]() | MBRF12080R | - | ![]() | 3275 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 80 V | 60A | 840 mV a 60 A | 1 mA a 80 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
| SD4145R | 14.3280 | ![]() | 5296 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | SD4145 | Schottky, inversão de polaridade | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 680 mV a 30 A | 1,5 mA a 35 V | -55°C ~ 150°C | 30A | - | ||||||||||
![]() | MBRH30030L | - | ![]() | 6258 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | D-67 | Schottky | D-67 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 580 mV a 300 A | 3 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | 300A | - | |||||||||||
![]() | MURT20040R | 104.4930 | ![]() | 8659 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MURT20040 | padrão | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MURT20040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 400 V | 100A | 1,35 V a 100 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||||
![]() | DB155G | 0,2325 | ![]() | 6311 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-EDIP (0,321", 8,15 mm) | DB155 | padrão | BD | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | DB155GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1,1 V a 1,5 A | 5 µA a 600 V | 1,5A | Monofásico | 600 V | |||||||||
![]() | MBR30080CTR | 94.5030 | ![]() | 7792 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Torre Gêmea | MBR30080 | Schottky | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBR30080CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 80 V | 150A | 840 mV a 150 A | 8 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
| S85QR | 11.8980 | ![]() | 4824 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | S85Q | Padrão, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1096 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,1 V a 85 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 180°C | 85A | - | |||||||||
| KBPC3510T | 2.4750 | ![]() | 6256 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Terminal de controle de qualidade | 4 quadrados, KBPC-T | KBPC3510 | padrão | KBPC-T | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 17,5 A | 5 µA a 1000 V | 35A | Monofásico | 1kV | |||||||||||
![]() | MURF30010R | - | ![]() | 3095 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | padrão | PARA-244 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 100V | 150A | 1 V a 150 A | 25 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C |

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