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Produtos Semicondutores discretos (2160)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tecnologia Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET ATUAL - MÁX ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Resistência @ se, f
S40VR GeneSiC Semiconductor S40VR 6.3770
RFQ
 ECAD 6527 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud S40V Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S40VRGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1400 v 1,1 V @ 40 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 160 ° C. 40A -
S6D GeneSiC Semiconductor S6d 3.8625
RFQ
 ECAD 4075 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S6dgn Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 6 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
S6JR GeneSiC Semiconductor S6JR 3.8625
RFQ
 ECAD 8621 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud S6J Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S6jrgn Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 6 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
S6KR GeneSiC Semiconductor S6KR 3.8625
RFQ
 ECAD 2891 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud S6K Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S6krgn Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 6 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
S70B GeneSiC Semiconductor S70B 9.8985
RFQ
 ECAD 6419 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S70BGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 70 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 180 ° C. 70A -
S70G GeneSiC Semiconductor S70G 9.8985
RFQ
 ECAD 7991 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S70GGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 70 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 180 ° C. 70A -
S70K GeneSiC Semiconductor S70K 9.8985
RFQ
 ECAD 6299 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S70KGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 70 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 180 ° C. 70A -
S70Q GeneSiC Semiconductor S70Q 9.8985
RFQ
 ECAD 3541 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S70QGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,1 V @ 70 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 180 ° C. 70A -
S70YR GeneSiC Semiconductor S70YR 10.2225
RFQ
 ECAD 8638 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud S70Y Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S70yrgn Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,1 V @ 70 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 70A -
S85G GeneSiC Semiconductor S85G 11.8980
RFQ
 ECAD 3326 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S85GGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 85 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 180 ° C. 85a -
S85KR GeneSiC Semiconductor S85KR 11.8980
RFQ
 ECAD 9142 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud S85K Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S85KRGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 85 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 180 ° C. 85a -
S85MR GeneSiC Semiconductor S85MR 11.8980
RFQ
 ECAD 8567 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud S85M Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S85MRGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 85 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 180 ° C. 85a -
S85V GeneSiC Semiconductor S85V 12.1170
RFQ
 ECAD 8070 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S85VGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1400 v 1,1 V @ 85 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 85a -
GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-214 2.5700
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB GB01SLT12 Sic (carboneto de Silíc) Schottky SMB (DO-214AA) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,8 V @ 1 A 0 ns 10 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2.5a 69pf @ 1V, 1MHz
GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-214 3.2000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB GB02SLT12 Sic (carboneto de Silíc) Schottky DO-214AA download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,8 V @ 1 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 131pf @ 1V, 1MHz
GA10SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-247 -
RFQ
 ECAD 7683 0,00000000 Genesco semicondutors - Tubo Obsoleto Através do buraco To-247-3 - download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 30 - 10 a 1,2 kV -
GA50SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA50SICP12-227 -
RFQ
 ECAD 7156 0,00000000 Genesco semicondutors - Tubo Obsoleto Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc - download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 10 - 50 a 1,2 kV -
GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46 -
RFQ
 ECAD 4907 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) Através do buraco TO-46-3 GA05JT03 Sic (transistor de junção de carboneto de Silício) TO-46 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1252 Ear99 8541.29.0095 200 - 300 v 9a (TC) - 240mohm @ 5a - - - 20W (TC)
GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46 44.6700
RFQ
 ECAD 130 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Através do buraco TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN GB02SHT01 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-46 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1254 Ear99 8541.10.0080 200 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 100 v 1,6 V @ 1 A 0 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 210 ° C. 4a 76pf @ 1V, 1MHz
GB02SHT03-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT03-46 48.4900
RFQ
 ECAD 174 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Através do buraco TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN GB02SHT03 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-46 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1255 Ear99 8541.10.0080 200 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 300 v 1,6 V @ 1 A 0 ns 5 µA A 300 V -55 ° C ~ 225 ° C. 4a 76pf @ 1V, 1MHz
GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220 561.0000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Genesco semicondutors - Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Axial GA01PNS150 - download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1258 Ear99 8541.10.0080 10 1 a 7pf @ 1000V, 1MHz Pino - único 15000V -
MBR2X160A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A180 59.6700
RFQ
 ECAD 7942 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc MBR2X160 Schottky SOT-227 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 52 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 180 v 160a 920 mV @ 160 A 3 ma @ 180 V -40 ° C ~ 150 ° C.
FR70B02 GeneSiC Semiconductor FR70B02 17.5905
RFQ
 ECAD 1076 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR70B02GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,4 V @ 70 A 200 ns 25 µA A 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 70A -
MBRH20020L GeneSiC Semiconductor MBRH20020L -
RFQ
 ECAD 4198 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi D-67 Schottky D-67 - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 580 mV a 200 mA 3 ma @ 20 V 200a -
GBL01 GeneSiC Semiconductor GBL01 2.9400
RFQ
 ECAD 8872 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl Padrão Gbl download Rohs Compatível 1 (ilimito) GBL01GN Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 4 A 5 µA A 100 V 4 a Fase Única 100 v
GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227 -
RFQ
 ECAD 4226 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi SOT-227-4 Padrão SOT-227 download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 10 Solteiro Pt 1200 v 100 a 2V @ 15V, 100A 1 MA Não 8,55 NF @ 25 V
G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K 10.4000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Genesco semicondutors G3R ™ Tubo Ativo - Através do buraco To-247-4 Sicfet (Carboneto de Silício) To-247-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-G3R60MT07K Ear99 8541.29.0095 30 - 750 v - - - - +20V, -10V - -
GA16JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA16JT17-247 -
RFQ
 ECAD 9298 0,00000000 Genesco semicondutors - Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Sic (transistor de junção de carboneto de Silício) TO-247AB download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 30 - 1700 v 16a (TC) (90 ° C) - 110mohm @ 16a - - - 282W (TC)
GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247 -
RFQ
 ECAD 9924 0,00000000 Genesco semicondutors - Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Sic (transistor de junção de carboneto de Silício) TO-247AB download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 10a (TC) - 140mohm @ 10a - - - 170W (TC)
G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D 17.4200
RFQ
 ECAD 6690 0,00000000 Genesco semicondutors G3R ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 G3R40 Sicfet (Carboneto de Silício) To-247-3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-G3R40MT12D Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 v 71a (TC) 15V 48mohm @ 35a, 15V 2.69V @ 10Ma 106 nc @ 15 V ± 15V 2929 PF @ 800 V - 333W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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