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Produtos Semicondutores discretos (2160)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
S400YR GeneSiC Semiconductor S400YR 92.3505
RFQ
 ECAD 3436 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud S400 Polaridada reversa padrão DO-205AB (DO-9) download Rohs Compatível 1 (ilimito) S400yrgn Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,2 V @ 400 A 10 µA a 50 V -60 ° C ~ 200 ° C. 400A -
MBRF50040 GeneSiC Semiconductor MBRF50040 -
RFQ
 ECAD 9331 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 250a 750 mV @ 250 A 1 mA a 40 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBPC5008W GeneSiC Semiconductor GBPC5008W 4.0155
RFQ
 ECAD 3277 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC-W GBPC5008 Padrão GBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 A 5 µA A 800 V 50 a Fase Única 800 v
FR16JR05 GeneSiC Semiconductor FR16JR05 8.5020
RFQ
 ECAD 3366 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR16JR05GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 16 A 500 ns 25 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a -
S400KR GeneSiC Semiconductor S400KR 88.0320
RFQ
 ECAD 8470 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud S400 Polaridada reversa padrão DO-205AB (DO-9) download Rohs Compatível 1 (ilimito) S400KRGN Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,2 V @ 400 A 10 µA a 50 V -60 ° C ~ 200 ° C. 400A -
MBR60030CTR GeneSiC Semiconductor MBR60030CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 3746 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR60030 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR60030CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 30 v 300A 750 mV @ 300 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N3768R GeneSiC Semiconductor 1N3768R 10.1200
RFQ
 ECAD 113 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1N3768R Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1021 Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,2 V @ 35 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 35a -
GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227 135.8600
RFQ
 ECAD 51 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc GB2X100 Sic (carboneto de Silíc) Schottky SOT-227 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-1341 Ear99 8541.10.0080 10 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 2 Independente 1200 v 185a (DC) 1,8 V @ 100 A 0 ns 80 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
FR16J02 GeneSiC Semiconductor FR16J02 8.1330
RFQ
 ECAD 3747 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR16J02GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 900 mV @ 16 a 250 ns 25 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a -
MBRH12045R GeneSiC Semiconductor MBRH12045R 60.0375
RFQ
 ECAD 6770 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi D-67 Half-Pak MBRH12045 Schottky, reversa polaridada D-67 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 36 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 700 mV @ 120 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 120a -
MBR120200CT GeneSiC Semiconductor MBR120200CT -
RFQ
 ECAD 9679 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Torre Dupla Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 60a 920 mV @ 60 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2X050A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A100 43.6545
RFQ
 ECAD 2660 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc MBR2X050 Schottky SOT-227 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 52 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 100 v 50a 840 mV @ 50 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C.
MSRTA50060A GeneSiC Semiconductor MSRTA50060A 101.4000
RFQ
 ECAD 2810 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MSRTA50060 Padrão Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 500A (DC) 1,2 V @ 500 A 25 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MSRT20060AD GeneSiC Semiconductor MSRT20060AD 80.4872
RFQ
 ECAD 7515 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MSRT200 Padrão Três Torre - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 600 v 200a 1,1 V @ 200 A 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor MUR10005CT -
RFQ
 ECAD 5416 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Torre Dupla Padrão Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MUR10005CTGN Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 50a 1,3 V @ 50 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
2W10M GeneSiC Semiconductor 2W10M -
RFQ
 ECAD 4910 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4-Circular, WOM Padrão Mulher download 1 (ilimito) 2W10MGN Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 2 A 10 µA A 1000 V 2 a Fase Única 1 kv
MBRF30080R GeneSiC Semiconductor MBRF30080R -
RFQ
 ECAD 6743 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB MBRF3008 Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 80 v 150a 840 mV @ 150 A 1 mA a 80 V -55 ° C ~ 150 ° C.
M3P75A-100 GeneSiC Semiconductor M3P75A-100 -
RFQ
 ECAD 8608 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módulo 5-SMD Padrão 5-SMD download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 24 1,15 V @ 75 A 10 µA A 1000 V 75 a Três fase 1 kv
FR85D05 GeneSiC Semiconductor FR85D05 23.1210
RFQ
 ECAD 2199 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR85D05GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,4 V @ 85 A 500 ns 25 µA A 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 85a -
MSRTA400120A GeneSiC Semiconductor MSRTA400120A 60.2552
RFQ
 ECAD 2269 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MSRTA400120 Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 400A (DC) 1,2 V @ 400 A 25 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBJ20K GeneSiC Semiconductor GBJ20K 0,9120
RFQ
 ECAD 1418 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBJ GBJ20 Padrão GBJ download ROHS3 Compatível 1242-GBJ20K Ear99 8541.10.0080 200 1,05 V @ 10 A 5 µA A 800 V 20 a Fase Única 800 v
GKN240/14 GeneSiC Semiconductor GKN240/14 59.1766
RFQ
 ECAD 5389 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud GKN240 Padrão DO-205AB (DO-9) - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1400 v 1,4 V @ 60 A 60 mA A 1400 V -40 ° C ~ 180 ° C. 320a -
1N2133AR GeneSiC Semiconductor 1n2133ar 8.9025
RFQ
 ECAD 9934 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1n2133ar Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1N2133Argn Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,1 V @ 60 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 60a -
MBRT40040L GeneSiC Semiconductor MBRT40040L -
RFQ
 ECAD 6219 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 200a 600 mv @ 200 a 3 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR6040R GeneSiC Semiconductor MBR6040R 21.3105
RFQ
 ECAD 6648 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud MBR604 Schottky, reversa polaridada Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR6040RGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 650 mV @ 60 A 5 mA a 20 V -65 ° C ~ 150 ° C. 60a -
MBR60035CT GeneSiC Semiconductor MBR60035CT 129.3585
RFQ
 ECAD 4784 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR60035 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR60035CTGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 300A 750 mV @ 300 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N5830R GeneSiC Semiconductor 1N5830R 14.8695
RFQ
 ECAD 5324 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 1N5830R Schottky, reversa polaridada Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1N5830RGN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 25 v 580 mV @ 25 A 2 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 25a -
MBR3520R GeneSiC Semiconductor MBR3520R 15.1785
RFQ
 ECAD 4876 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud MBR3520 Schottky, reversa polaridada Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR3520RGN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 680 mV @ 35 A 1,5 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 35a -
FR6K05 GeneSiC Semiconductor FR6K05 5.0745
RFQ
 ECAD 4999 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR6K05GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,4 V @ 6 A 500 ns 25 µA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 6a -
M3P75A-80 GeneSiC Semiconductor M3P75A-80 -
RFQ
 ECAD 1180 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módulo 5-SMD Padrão 5-SMD download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 24 10 µA a 800 V 75 a Três fase 800 v
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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