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Produtos Semicondutores discretos (2160)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
1N5834 GeneSiC Semiconductor 1N5834 18.7230
RFQ
 ECAD 8087 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1N5834 Schottky Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1N5834GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 590 mV @ 40 A 20 mA a 10 V -65 ° C ~ 150 ° C. 40A -
1N6095 GeneSiC Semiconductor 1N6095 14.0145
RFQ
 ECAD 8515 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 1N6095 Schottky Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1N6095GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 580 mV @ 25 A 2 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 25a -
1N6096R GeneSiC Semiconductor 1N6096R 14.8695
RFQ
 ECAD 2380 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 1N6096R Schottky, reversa polaridada Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1N6096RGN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 580 mV @ 25 A 2 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 25a -
2W005M GeneSiC Semiconductor 2W005m -
RFQ
 ECAD 2325 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4-Circular, WOM Padrão Mulher download 1 (ilimito) 2W005MGN Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 2 A 10 µA a 50 V 2 a Fase Única 50 v
2W01M GeneSiC Semiconductor 2W01M -
RFQ
 ECAD 7626 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4-Circular, WOM Padrão Mulher download 1 (ilimito) 2W01MGN Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 2 A 10 µA A 100 V 2 a Fase Única 100 v
2W04M GeneSiC Semiconductor 2W04M -
RFQ
 ECAD 3087 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4-Circular, WOM Padrão Mulher download 1 (ilimito) 2W04MGN Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 2 A 10 µA A 400 V 2 a Fase Única 400 v
2W08M GeneSiC Semiconductor 2W08M -
RFQ
 ECAD 7436 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4-Circular, WOM Padrão Mulher download 1 (ilimito) 2W08MGN Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 2 A 10 µA a 800 V 2 a Fase Única 800 v
BR1005 GeneSiC Semiconductor BR1005 0,9555
RFQ
 ECAD 4502 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-10 Padrão BR-10 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR1005GN Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 5 A 10 µA a 50 V 10 a Fase Única 50 v
BR101 GeneSiC Semiconductor BR101 0,9555
RFQ
 ECAD 2926 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-10 Padrão BR-10 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR101GN Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 5 A 10 µA A 100 V 10 a Fase Única 100 v
BR1010 GeneSiC Semiconductor BR1010 0,9555
RFQ
 ECAD 7726 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-10 Padrão BR-10 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR1010GN Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 5 A 10 µA A 1000 V 10 a Fase Única 1 kv
BR102 GeneSiC Semiconductor BR102 0,9555
RFQ
 ECAD 7689 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-10 Padrão BR-10 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR102GN Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 5 A 10 µA A 200 V 10 a Fase Única 200 v
BR31 GeneSiC Semiconductor BR31 0,5700
RFQ
 ECAD 5959 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-3 Padrão BR-3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR31GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 1,5 A 10 µA A 100 V 3 a Fase Única 100 v
BR310 GeneSiC Semiconductor BR310 0,5700
RFQ
 ECAD 1707 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-3 Padrão BR-3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR310GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 1,5 A 10 µA A 1000 V 3 a Fase Única 1 kv
BR32 GeneSiC Semiconductor BR32 0,5700
RFQ
 ECAD 8222 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-3 Padrão BR-3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR32GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 1,5 A 10 µA A 200 V 3 a Fase Única 200 v
BR38 GeneSiC Semiconductor BR38 0,5700
RFQ
 ECAD 9479 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-3 Padrão BR-3 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR38GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 1,5 A 10 µA a 800 V 3 a Fase Única 800 v
BR66 GeneSiC Semiconductor BR66 0,7425
RFQ
 ECAD 3731 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-6 Padrão BR-6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR66GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA A 600 V 6 a Fase Única 600 v
BR68 GeneSiC Semiconductor BR68 0,7425
RFQ
 ECAD 3583 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-6 Padrão BR-6 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR68GN Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 A 10 µA a 800 V 6 a Fase Única 800 v
BR805 GeneSiC Semiconductor BR805 0,8910
RFQ
 ECAD 8408 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-8 Padrão BR-8 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR805GN Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 4 A 10 µA a 50 V 8 a Fase Única 50 v
BR81 GeneSiC Semiconductor BR81 2.0200
RFQ
 ECAD 453 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-8 Padrão BR-8 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 4 A 10 µA A 100 V 8 a Fase Única 100 v
BR810 GeneSiC Semiconductor BR810 0,8910
RFQ
 ECAD 4104 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-8 Padrão BR-8 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR810GN Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 4 A 10 µA A 1000 V 8 a Fase Única 1 kv
BR82 GeneSiC Semiconductor BR82 0,8910
RFQ
 ECAD 6917 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-8 Padrão BR-8 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR82GN Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 4 A 10 µA A 200 V 8 a Fase Única 200 v
BR88 GeneSiC Semiconductor BR88 2.0200
RFQ
 ECAD 347 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-8 Padrão BR-8 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR88GN Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 4 A 10 µA A 600 V 8 a Fase Única 800 v
DB102G GeneSiC Semiconductor DB102G 0,1980
RFQ
 ECAD 2400 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) DB102 Padrão DB download Rohs Compatível 1 (ilimito) DB102GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1 A 10 µA A 100 V 1 a Fase Única 100 v
DB103G GeneSiC Semiconductor DB103G 1.3000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) DB103 Padrão DB download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1 A 10 µA A 200 V 1 a Fase Única 200 v
DB105G GeneSiC Semiconductor DB105G 0,1980
RFQ
 ECAD 8839 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) DB105 Padrão DB download Rohs Compatível 1 (ilimito) DB105GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1 A 10 µA A 600 V 1 a Fase Única 600 v
DB106G GeneSiC Semiconductor DB106G 0,1980
RFQ
 ECAD 5029 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) DB106 Padrão DB download Rohs Compatível 1 (ilimito) Db106ggn Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1 A 10 µA a 800 V 1 a Fase Única 800 v
FR12B02 GeneSiC Semiconductor FR12B02 8.2245
RFQ
 ECAD 9661 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR12B02GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 800 mV @ 12 A 200 ns 25 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
FR12B05 GeneSiC Semiconductor FR12B05 6.7605
RFQ
 ECAD 5646 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR12B05GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 800 mV @ 12 A 500 ns 25 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
FR12BR02 GeneSiC Semiconductor FR12BR02 9.2235
RFQ
 ECAD 3680 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR12BR02GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 800 mV @ 12 A 200 ns 25 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
FR12BR05 GeneSiC Semiconductor FR12BR05 6.8085
RFQ
 ECAD 7327 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR12BR05GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 800 mV @ 12 A 500 ns 25 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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AD9208BBPZ-3000

Pad exposto de 196-LFBGA

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