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Produtos Semicondutores discretos (2160)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
S320K GeneSiC Semiconductor S320K 63.8625
RFQ
 ECAD 8900 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud S320 Padrão DO-205AB (DO-9) download Rohs Compatível 1 (ilimito) S320KGN Ear99 8541.10.0080 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,2 V @ 300 A 10 µA A 600 V -60 ° C ~ 180 ° C. 320a -
FR12GR02 GeneSiC Semiconductor FR12GR02 9.2235
RFQ
 ECAD 3268 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR12GR02GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 800 mV @ 12 A 200 ns 25 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
MURT10060 GeneSiC Semiconductor MURT10060 93.0525
RFQ
 ECAD 9508 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MURT10060GN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 50a 1,7 V @ 100 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRH24040 GeneSiC Semiconductor MBRH24040 76.4925
RFQ
 ECAD 9312 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi D-67 Schottky D-67 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 36 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 720 mV @ 240 A 1 mA a 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 240a -
MBR30020CTL GeneSiC Semiconductor MBR30020CTL -
RFQ
 ECAD 2718 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Torre Dupla Schottky Torre Dupla - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 20 v 150a 580 mV @ 150 A 3 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SD41R GeneSiC Semiconductor SD41R 14.3280
RFQ
 ECAD 1822 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud SD41 Schottky, reversa polaridada Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 35 v 680 mV @ 30 A 1,5 mA a 35 V -55 ° C ~ 150 ° C. 30a -
MBRT60030RL GeneSiC Semiconductor MBRT60030RL -
RFQ
 ECAD 9219 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 30 v 300A 580 mV @ 300 A 3 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA40045RL GeneSiC Semiconductor Mbrta40045rl -
RFQ
 ECAD 1884 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 18 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 45 v 200a 600 mv @ 200 a 5 mA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRH20030 GeneSiC Semiconductor MBRH20030 70.0545
RFQ
 ECAD 3881 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi D-67 Schottky D-67 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBRH20030GN Ear99 8541.10.0080 36 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 650 mv @ 200 a 5 mA a 20 V 200a -
MBRH24040R GeneSiC Semiconductor MBRH24040R 76.4925
RFQ
 ECAD 5260 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi D-67 MBRH24040 Schottky D-67 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 36 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 720 mV @ 240 A 1 mA a 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 240a -
KBU8B GeneSiC Semiconductor KBU8B 0,7425
RFQ
 ECAD 7012 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu KBU8 Padrão KBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) KBU8BGN Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 A 10 µA A 100 V 8 a Fase Única 100 v
MBR3545 GeneSiC Semiconductor MBR3545 17.6600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Schottky Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR3545GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 680 mV @ 35 A 1,5 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 35a -
BR810 GeneSiC Semiconductor BR810 0,8910
RFQ
 ECAD 4104 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-8 Padrão BR-8 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR810GN Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 4 A 10 µA A 1000 V 8 a Fase Única 1 kv
MBRT40045RL GeneSiC Semiconductor MBRT40045RL -
RFQ
 ECAD 3689 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 45 v 200a 600 mv @ 200 a 5 mA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
KBPM301G GeneSiC Semiconductor KBPM301G -
RFQ
 ECAD 9154 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBPM Padrão KBPM download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBPM301GGN Ear99 8541.10.0080 900 1,1 V @ 3 A 5 µA a 50 V 3 a Fase Única 100 v
BR101 GeneSiC Semiconductor BR101 0,9555
RFQ
 ECAD 2926 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-10 Padrão BR-10 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR101GN Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 5 A 10 µA A 100 V 10 a Fase Única 100 v
BR1005 GeneSiC Semiconductor BR1005 0,9555
RFQ
 ECAD 4502 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, BR-10 Padrão BR-10 download Rohs Compatível 1 (ilimito) BR1005GN Ear99 8541.10.0080 200 1,1 V @ 5 A 10 µA a 50 V 10 a Fase Única 50 v
S6JR GeneSiC Semiconductor S6JR 3.8625
RFQ
 ECAD 8621 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud S6J Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) S6jrgn Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 6 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
GBU10D GeneSiC Semiconductor GBU10D 1.6300
RFQ
 ECAD 61 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU10 Padrão GBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 10 A 5 µA A 200 V 10 a Fase Única 200 v
FR40DR05 GeneSiC Semiconductor FR40DR05 13.8360
RFQ
 ECAD 9779 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR40DR05GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA A 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 40A -
S25G GeneSiC Semiconductor S25G 5.2485
RFQ
 ECAD 1181 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) S25GGN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1.1 V @ 25 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 25a -
MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor MUR20060CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 5262 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MUR20060 Padrão Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MUR20060CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 600 v 100a 1,7 V @ 50 A 110 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR400100CTR GeneSiC Semiconductor MBR400100CTR 102.9600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR400100 Schottky, reversa polaridada Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1106 Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 100 v 200a 840 mV @ 200 A 5 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBPC2501T GeneSiC Semiconductor GBPC2501T 2.5335
RFQ
 ECAD 9670 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, GBPC GBPC2501 Padrão GBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 12,5 A 5 µA A 100 V 25 a Fase Única 100 v
FR20J02 GeneSiC Semiconductor FR20J02 9.0510
RFQ
 ECAD 7702 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR20J02GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1 V @ 20 A 250 ns 25 µA a 50 V -40 ° C ~ 125 ° C. 20a -
GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252 -
RFQ
 ECAD 6547 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 GB02SLT12 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,8 V @ 2 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a 131pf @ 1V, 1MHz
MURTA40020 GeneSiC Semiconductor Murta40020 159.9075
RFQ
 ECAD 2399 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 200a 1,3 V @ 200 A 25 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
KBU6J GeneSiC Semiconductor Kbu6j 0,7035
RFQ
 ECAD 1631 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu KBU6 Padrão KBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) Kbu6jgn Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 6 A 10 µA a 50 V 6 a Fase Única 600 v
KBL602G GeneSiC Semiconductor KBL602G 0,5805
RFQ
 ECAD 8316 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbl KBL602 Padrão Kbl download Rohs Compatível 1 (ilimito) KBL602GGN Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 6 A 5 µA A 100 V 6 a Fase Única 100 v
KBU6B GeneSiC Semiconductor Kbu6b 1.7600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu KBU6 Padrão KBU download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 6 A 10 µA a 50 V 6 a Fase Única 100 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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