SIC
close

Produtos Semicondutores discretos (2160)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Estrutura Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade ATUAL - Hold (ih) (Máx) Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Número de SCRS, Diodos Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
MURF30040 GeneSiC Semiconductor MURF30040 -
RFQ
 ECAD 7640 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Padrão To-244 - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 150a 1,3 V @ 150 A 110 ns 25 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURTA50020 GeneSiC Semiconductor Murta50020 174.1546
RFQ
 ECAD 7173 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) Murta50020gn Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 250a 1,3 V @ 250 A 150 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURT20010R GeneSiC Semiconductor MURT20010R 104.4930
RFQ
 ECAD 2806 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre MURT20010 Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) MURT20010RGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 100 v 100a 1,3 V @ 100 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBPC1506T GeneSiC Semiconductor GBPC1506T 2.4180
RFQ
 ECAD 5727 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, GBPC GBPC1506 Padrão GBPC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA A 600 V 15 a Fase Única 600 v
MBRT20035 GeneSiC Semiconductor MBRT20035 98.8155
RFQ
 ECAD 6905 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1103 Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 100a 750 mV @ 100 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF12060 GeneSiC Semiconductor MBRF12060 -
RFQ
 ECAD 7220 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 60a 750 mV @ 60 A 1 mA a 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRTA80060R GeneSiC Semiconductor MBRTA80060R -
RFQ
 ECAD 3855 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 18 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 60 v 400A 780 mV @ 400 A 1 mA a 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GKN71/04 GeneSiC Semiconductor GKN71/04 12.3735
RFQ
 ECAD 2346 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud GKN71 Padrão Do-5 - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,5 V @ 60 A 10 mA a 400 V -40 ° C ~ 180 ° C. 95a -
GB10SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-214 -
RFQ
 ECAD 4439 0,00000000 Genesco semicondutors * Fita de Corte (CT) Descontinuado no sic GB10SLT12 - Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500
MBRT30020RL GeneSiC Semiconductor MBRT30020RL -
RFQ
 ECAD 8582 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi Três Torre Schottky Três Torre - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 20 v 150a 580 mV @ 150 A 3 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR600200CT GeneSiC Semiconductor MBR600200CT 129.3585
RFQ
 ECAD 4575 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR600200 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 300A 920 mV @ 300 A 3 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRF30080 GeneSiC Semiconductor MBRF30080 -
RFQ
 ECAD 7730 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi TO-244AB MBRF3008 Schottky TO-244AB - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 80 v 150a 840 mV @ 150 A 1 mA a 80 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GBPC15005W GeneSiC Semiconductor GBPC15005W 2.4180
RFQ
 ECAD 5222 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC-W GBPC15005 Padrão GBPC-W download Rohs Compatível 1 (ilimito) GBPC15005WGS Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA a 50 V 15 a Fase Única 50 v
1N1184R GeneSiC Semiconductor 1N1184R 6.2320
RFQ
 ECAD 6662 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1N1184R Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1095 Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,2 V @ 35 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 35a -
DB157G GeneSiC Semiconductor DB157G 0,2325
RFQ
 ECAD 6626 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) DB157 Padrão DB download Rohs Compatível 1 (ilimito) DB157GGN Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 1,5 A 5 µA A 1000 V 1.5 a Fase Única 1 kv
FST10045 GeneSiC Semiconductor FST10045 65.6445
RFQ
 ECAD 9381 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi TO-249AB Schottky TO-249AB download Rohs Compatível 1 (ilimito) FST10045GN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 100a 650 mV @ 100 A 2 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N1190 GeneSiC Semiconductor 1N1190 6.2320
RFQ
 ECAD 5641 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1N1190 Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1044 Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,2 V @ 35 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 190 ° C. 35a -
MUR20060CT GeneSiC Semiconductor MUR20060CT 101.6625
RFQ
 ECAD 4761 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MUR20060 Padrão Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MUR20060CTGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 100a 1,7 V @ 50 A 110 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FR40B05 GeneSiC Semiconductor FR40B05 12.8985
RFQ
 ECAD 6808 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR40B05GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA A 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 40A -
MBR600150CTR GeneSiC Semiconductor MBR600150CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 2637 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR600150 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 150 v 300A 880 mV @ 300 A 3 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MURTA30040R GeneSiC Semiconductor Murta30040r 159.9075
RFQ
 ECAD 6838 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Três Torre Murta30040 Padrão Três Torre download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 400 v 150a 1,3 V @ 150 A 25 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GA040TH65 GeneSiC Semiconductor GA040TH65 1.0000
RFQ
 ECAD 3153 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi SOT-227-2 GA040 Solteiro download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) 1242-1143 Ear99 8541.30.0080 1 780 MA 6,5 kV 69 a - 30 mA 40 a 1 scr
GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H 4.9900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Genesco semicondutors Sic Schottky MPS ™ Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-2 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1242-GD10MPS12H Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 0 ns 175 ° C. 10a -
MBR600100CT GeneSiC Semiconductor MBR600100CT 129.3585
RFQ
 ECAD 3371 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR600100 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR600100CTGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 300A 880 mV @ 300 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N3671A GeneSiC Semiconductor 1N3671A 4.2345
RFQ
 ECAD 7778 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 1N3671 Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1N3671AGN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 12 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a -
2W06M GeneSiC Semiconductor 2W06M -
RFQ
 ECAD 1481 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco 4-Circular, WOM Padrão Mulher download 1 (ilimito) 2W06MGN Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 2 A 10 µA A 600 V 2 a Fase Única 600 v
MUR7010R GeneSiC Semiconductor MUR7010R 17.7855
RFQ
 ECAD 9514 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Mur7010 Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MUR7010RGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 70A -
MSRTA20060D GeneSiC Semiconductor MSRTA20060D 142.3575
RFQ
 ECAD 3617 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Módlo MSRTA200 Padrão - download ROHS3 Compatível 1242-MSRTA20060D Ear99 8541.10.0080 24 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 600 v 200a 1,1 V @ 200 A 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR60020CTR GeneSiC Semiconductor MBR60020CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 7733 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi Torre Dupla MBR60020 Schottky Torre Dupla download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR60020CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 20 v 300A 750 mV @ 300 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR3535R GeneSiC Semiconductor MBR3535R 15.1785
RFQ
 ECAD 3738 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud MBR3535 Schottky, reversa polaridada Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR3535RGN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 35 v 680 mV @ 35 A 1,5 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 35a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

Lista de RFQ (0 itens)
Lista de carrinhos (0 itens)
WishlistLista de desejos (0 itens)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Pad exposto de 196-LFBGA

Quantidade: 1

Lista de comparação (0 itens)
Bata Enter para pesquisar ou ESC para fechar