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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MURF40020 | - | ![]() | 7002 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Padrão | To-244 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 200a | 1 V @ 200 A | 150 ns | 25 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | MBR75100R | 21.9195 | ![]() | 6029 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR75100 | Schottky, reversa polaridada | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR75100RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 840 mV @ 75 A | 5 mA a 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75a | - | ||||||||
![]() | MBRF50060 | - | ![]() | 3725 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 250a | 780 mV @ 250 A | 1 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | 1N4596 | 35.8125 | ![]() | 8658 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | 1N4596 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1n4596gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1400 v | 1,5 V @ 150 A | 3,5 mA a 1400 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | ||||||||
![]() | MUR30020CTR | 118.4160 | ![]() | 1412 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MUR30020 | Padrão | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MUR30020CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 150a | 1,3 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
S85J | 15.0400 | ![]() | 123 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1032 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 85 A | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 180 ° C. | 85a | - | ||||||||||
![]() | 1N4595 | 35.5695 | ![]() | 5456 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | 1N4595 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N4595GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,5 V @ 150 A | 4 mA a 1200 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | ||||||||
![]() | MURF30040 | - | ![]() | 7640 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Padrão | To-244 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 150a | 1,3 V @ 150 A | 110 ns | 25 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | Murta50020 | 174.1546 | ![]() | 7173 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Murta50020gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 250a | 1,3 V @ 250 A | 150 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | MURT20010R | 104.4930 | ![]() | 2806 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MURT20010 | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MURT20010RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 100 v | 100a | 1,3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | GBPC1506T | 2.4180 | ![]() | 5727 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal de QC | 4 Quadrados, GBPC | GBPC1506 | Padrão | GBPC | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA A 600 V | 15 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||
![]() | MBRF12060 | - | ![]() | 7220 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 60a | 750 mV @ 60 A | 1 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MBRTA80060R | - | ![]() | 3855 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 60 v | 400A | 780 mV @ 400 A | 1 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | GKN71/04 | 12.3735 | ![]() | 2346 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | GKN71 | Padrão | Do-5 | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 60 A | 10 mA a 400 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 95a | - | |||||||||
![]() | GB10SLT12-214 | - | ![]() | 4439 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | * | Fita de Corte (CT) | Descontinuado no sic | GB10SLT12 | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT30020RL | - | ![]() | 8582 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 20 v | 150a | 580 mV @ 150 A | 3 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MBR600200CT | 129.3585 | ![]() | 4575 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR600200 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 300A | 920 mV @ 300 A | 3 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | MBRF30080 | - | ![]() | 7730 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | MBRF3008 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 150a | 840 mV @ 150 A | 1 mA a 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | GBPC15005W | 2.4180 | ![]() | 5222 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, GBPC-W | GBPC15005 | Padrão | GBPC-W | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | GBPC15005WGS | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA a 50 V | 15 a | Fase Única | 50 v | |||||||||
![]() | 1N1184R | 6.2320 | ![]() | 6662 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1184R | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1095 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,2 V @ 35 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 35a | - | ||||||||
![]() | DB157G | 0,2325 | ![]() | 6626 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) | DB157 | Padrão | DB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | DB157GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA A 1000 V | 1.5 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||
![]() | FST10045 | 65.6445 | ![]() | 9381 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FST10045GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 100a | 650 mV @ 100 A | 2 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
1N1190 | 6.2320 | ![]() | 5641 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1190 | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1044 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 35 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 35a | - | |||||||||
![]() | MUR20060CT | 101.6625 | ![]() | 4761 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MUR20060 | Padrão | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MUR20060CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 100a | 1,7 V @ 50 A | 110 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | FR40B05 | 12.8985 | ![]() | 6808 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR40B05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 40 A | 500 ns | 25 µA A 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 40A | - | ||||||||
![]() | MBR600150CTR | 129.3585 | ![]() | 2637 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR600150 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 150 v | 300A | 880 mV @ 300 A | 3 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | Murta30040r | 159.9075 | ![]() | 6838 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Murta30040 | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 400 v | 150a | 1,3 V @ 150 A | 25 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | GD10MPS12H | 4.9900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1242-GD10MPS12H | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 0 ns | 175 ° C. | 10a | - | |||||||||
![]() | MBR600100CT | 129.3585 | ![]() | 3371 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR600100 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR600100CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 300A | 880 mV @ 300 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | 1N3671A | 4.2345 | ![]() | 7778 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3671 | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N3671AGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 12 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - |
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