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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) |
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![]() | 2N7640-GA | - | ![]() | 5917 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-276AA | Sic (transistor de junção de carboneto de Silício) | To-276 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1151 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | - | 650 v | 16a (TC) (155 ° C) | - | 105mohm @ 16a | - | - | 1534 PF @ 35 V | - | 330W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FST160100 | 75.1110 | ![]() | 6738 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FST160100GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 160A (DC) | 880 mV @ 160 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||
![]() | FR12GR05 | 6.8085 | ![]() | 5856 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR12GR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 800 mV @ 12 A | 500 ns | 25 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3671A | 4.2345 | ![]() | 7778 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3671 | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N3671AGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 12 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRT12035 | 75.1110 | ![]() | 5800 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRT12035GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 60a | 750 mV @ 60 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5827R | 13.3005 | ![]() | 3746 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N5827R | Schottky, reversa polaridada | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N5827RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 470 mV @ 15 A | 10 mA a 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||||||||||||||||||
![]() | FR85B02 | 23.1210 | ![]() | 9625 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR85B02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,4 V @ 85 A | 200 ns | 25 µA A 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 85a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBR8035R | 22.1985 | ![]() | 9491 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR8035 | Schottky, reversa polaridada | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR8035RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 750 mV @ 80 A | 1 ma @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 80a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRF120150R | - | ![]() | 3804 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 150 v | 60a | 880 mV @ 60 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRT30080R | - | ![]() | 7658 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRT30080RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 80 v | 150a | 880 mV @ 150 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||
1N3883 | 7.1300 | ![]() | 47 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3883 | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1002 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 6 A | 200 ns | 15 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRF20035 | - | ![]() | 4265 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 100a | 700 mV @ 100 A | 1 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR30020CTL | - | ![]() | 2718 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Torre Dupla | Schottky | Torre Dupla | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 20 v | 150a | 580 mV @ 150 A | 3 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF50030R | - | ![]() | 2256 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 30 v | 250a | 750 mV @ 250 A | 1 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR2X160A200 | 59.6700 | ![]() | 2131 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MBR2X160 | Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 200 v | 160a | 920 mV @ 160 A | 3 ma @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||
![]() | FST8340SM | - | ![]() | 9071 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D61-3SM | Schottky | D61-3SM | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | FST8340SMGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 80a (DC) | 650 mV @ 80 A | 1,5 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT400150 | 118.4160 | ![]() | 7201 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 200a | 880 mV @ 200 a | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5832 | 18.7230 | ![]() | 9968 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N5832 | Schottky | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N5832GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 520 mV @ 40 A | 20 mA a 10 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 40A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MURF20060 | - | ![]() | 9722 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Padrão | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | MURF20060GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 100a | 1,7 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||
![]() | MBR7520 | 20.8845 | ![]() | 2371 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR7520GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 650 mV @ 75 A | 5 mA a 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75a | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBR600100CT | 129.3585 | ![]() | 3371 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR600100 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR600100CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 300A | 880 mV @ 300 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||
![]() | MBRTA80045L | - | ![]() | 6887 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 400A | 600 mV @ 400 A | 6 mA a 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | FR16J05 | 8.1330 | ![]() | 7962 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR16J05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 16 A | 500 ns | 25 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSRT200100A | 48.2040 | ![]() | 7584 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRT200 | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1000 v | 200a (DC) | 1,2 V @ 200 A | 10 µA A 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||
![]() | MBR8035 | 21.1680 | ![]() | 2092 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR8035GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 750 mV @ 80 A | 1 ma @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 80a | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBR6040 | 20.2695 | ![]() | 7704 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR604 | Schottky | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR6040GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 650 mV @ 60 A | 5 mA a 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - | ||||||||||||||||||
![]() | GBPC3504W | 4.6200 | ![]() | 327 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, GBPC-W | GBPC3504 | Padrão | GBPC-W | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1294 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 17,5 A | 5 µA A 400 V | 35 a | Fase Única | 400 v | |||||||||||||||||||
FR85G02 | 26.8800 | ![]() | 346 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1077 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 85 A | 200 ns | 25 µA A 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 85a | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRTA60060R | - | ![]() | 8481 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 60 v | 300A | 750 mV @ 300 A | 1 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | S300GR | 63.8625 | ![]() | 6829 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | S300 | Polaridada reversa padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S300GRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 300 A | 10 µA A 100 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 300A | - |
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