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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MUR20060CT | 101.6625 | ![]() | 4761 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Torre Gêmea | MUR20060 | padrão | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MUR20060CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 600 V | 100A | 1,7 V a 50 A | 110ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
![]() | S25M | 5.2485 | ![]() | 7324 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | - | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | S25MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,1 V a 25 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 25A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MUR5005 | 17.4870 | ![]() | 1315 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | padrão | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MUR5005GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1 V a 50 A | 75ns | 10 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 50A | - | |||||||||||||||||||
![]() | GB2X50MPS17-227 | 98.1200 | ![]() | 116 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | SiC Schottky MPS™ | Tubo | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | GB2X50 | SiC (carboneto de silício) Schottky | SOT-227 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1242-1350 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 2 Independente | 1700V | 136A (CC) | 1,8 V a 50 A | 0 ns | 50 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||
![]() | GKR71/08 | 12.4659 | ![]() | 6247 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | GKR71 | padrão | DO-5 | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,5 V a 60 A | 10 mA a 800 V | -40°C ~ 180°C | 95A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT20030 | 98.8155 | ![]() | 4408 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBRT20030GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 30 V | 100A | 750 mV a 100 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MUR5040R | 17.8380 | ![]() | 1062 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | MUR5040 | Padrão, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MUR5040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1 V a 50 A | 75ns | 10 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 50A | - | ||||||||||||||||||
![]() | KBPC3508W | 2.4720 | ![]() | 3114 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4 quadrados, KBPC-W | KBPC3508 | padrão | KBPC-W | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 17,5 A | 5 µA a 800 V | 35A | Monofásico | 800 V | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N2128A | 8.9025 | ![]() | 2422 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 1N2128 | padrão | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N2128AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,1 V a 60 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 200°C | 60A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MSRT20080D | 110.1030 | ![]() | 2563 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | * | Volume | Ativo | MSRT200 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF400150 | - | ![]() | 8788 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 150 V | 200A | 880 mV a 200 A | 1 mA a 150 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3295A | 33.5805 | ![]() | 3779 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AA, DO-8, pino | 1N3295 | padrão | DO-205AA (DO-8) | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N3295AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,5 V a 100 A | 11 mA a 1000 V | -40°C ~ 200°C | 100A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MSRT200140D | 110.1030 | ![]() | 5663 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MSRT200 | padrão | Três Torres | download | Compatível com ROHS3 | 1242-MSRT200140D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | Conexão em série de 1 par | 1400 V | 200A | 1,1 V a 200 A | 10 µA a 1400 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT30080R | - | ![]() | 7658 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBRT30080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 80 V | 150A | 880 mV a 150 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | KBPC3501W | 2.4720 | ![]() | 7741 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4 quadrados, KBPC-W | KBPC3501 | padrão | KBPC-W | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 17,5 A | 5 µA a 100 V | 35A | Monofásico | 100 V | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRT40030L | - | ![]() | 8381 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 30 V | 200A | 580 mV a 200 A | 3 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR75100R | 21.9195 | ![]() | 6029 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | MBR75100 | Schottky, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBR75100RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100 V | 840 mV a 75 A | 5 mA a 20 V | -65°C ~ 150°C | 75A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MURT30040 | 118.4160 | ![]() | 2048 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | padrão | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MURT30040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 400 V | 150A | 1,35 V a 150 A | 150 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
![]() | S12J | 4.2345 | ![]() | 9647 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | S12JGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,1 V a 12 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 12A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | GBU15G | 0,6120 | ![]() | 8458 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBU | GBU15 | padrão | GBU | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | GBU15GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 15 A | 5 µA a 400 V | 15A | Monofásico | 400 V | ||||||||||||||||||||
![]() | FR6DR02 | 5.1225 | ![]() | 4323 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | Padrão, inversão de polaridade | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | FR6DR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,4 V a 6 A | 200 ns | 25 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 6A | - | |||||||||||||||||||
![]() | FST8335SM | - | ![]() | 1176 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | D61-3SM | Schottky | D61-3SM | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 35V | 80A (CC) | 650 mV a 80 A | 1,5 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | MSRT15060D | 98.8155 | ![]() | 6147 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MSRT150 | padrão | Três Torres | download | Compatível com ROHS3 | 1242-MSRT15060D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | Conexão em série de 1 par | 600 V | 150A | 1,1 V a 150 A | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | G2R50MT33K | 295.6700 | ![]() | 78 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | G2R™ | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-4 | SiCFET (carboneto de silício) | PARA-247-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-G2R50MT33K | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal N | 3300V | 63A (Tc) | 20V | 50mOhm a 40A, 20V | 3,5 V @ 10 mA (típico) | 340 nC @ 20 V | +25V, -10V | 7301 pF a 1000 V | padrão | 536W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | MBR12020CTR | 68.8455 | ![]() | 4862 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Torre Gêmea | MBR12020 | Schottky | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1053 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 20 V | 120A (CC) | 650 mV a 120 A | 3 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
![]() | GBJ20B | 0,9120 | ![]() | 1309 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBJ | GBJ20 | padrão | GBJ | download | Compatível com ROHS3 | 1242-GBJ20B | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,05 V a 10 A | 5 µA a 100 V | 20 A | Monofásico | 100 V | |||||||||||||||||||||
![]() | MSRTA200160D | 142.3575 | ![]() | 4329 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Módulo | MSRTA200 | padrão | - | download | Compatível com ROHS3 | 1242-MSRTA200160D | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | Conexão em série de 1 par | 1600V | 200A | 1,1 V a 200 A | 10 µA a 1600 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR7580R | 21.9195 | ![]() | 4154 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | MBR7580 | Schottky, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBR7580RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 80 V | 840 mV a 75 A | 1 mA a 80 V | -55°C ~ 150°C | 75A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT12060R | 75.1110 | ![]() | 5412 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MBRT12060 | Schottky | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBRT12060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 60 V | 60A | 800 mV a 60 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MBR120100CTR | 68.8455 | ![]() | 5300 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Torre Gêmea | MBR120100 | Schottky | Torre Gêmea | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBR120100CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 100 V | 120A (CC) | 840 mV a 60 A | 3 mA a 20 V |

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