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Produtos semicondutores discretos (2160)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caixa	Número básico do produto	Tecnologia	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Velocidade	Tipo FET	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Configuração de diodo	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Corrente - Média Retificada (Io)	Capacitância @ Vr, F	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Máx.)
MSRT200160AD	80.4872	Solicitação de cotação	2549	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	Três Torres	MSRT200	padrão	Três Torres	-	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)											Conexão em série de 1 par	1600V	200A	1,1 V a 200 A		10 µA a 1600 V	-55°C ~ 150°C
MBRTA50045	-	Solicitação de cotação	3338	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	Três Torres		Schottky	Três Torres	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	18	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											1 par de cátodo comum	45V	250A	700 mV a 250 A		1 mA a 45 V	-55°C ~ 150°C
S320JR	62.2080	Solicitação de cotação	6119	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-205AB, DO-9, pino	S320	Padrão, inversão de polaridade	DO-205AB (DO-9)	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		S320JRGN	EAR99	8541.10.0080	8	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)												600 V		1,2 V a 300 A		10 µA a 600 V	-60°C ~ 180°C	320A	-
MBRTA60035L	-	Solicitação de cotação	3977	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	Três Torres		Schottky	Três Torres	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	18	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											1 par de cátodo comum	35V	300A	600 mV a 300 A		3 mA a 35 V	-55°C ~ 150°C
GBU4A	1.4500	Solicitação de cotação	348	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, GBU	GBU4	padrão	GBU	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	500															1,1 V a 4 A		5 µA a 50 V		4A		Monofásico	50 V
MBRF20045R	-	Solicitação de cotação	9838	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	TO-244AB		Schottky	TO-244AB	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											1 par de anodo comum	45V	100A	700 mV a 100 A		1 mA a 45 V	-55°C ~ 150°C
MBRT20045	98.8155	Solicitação de cotação	8973	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	Três Torres		Schottky	Três Torres	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		MBRT20045GN	EAR99	8541.10.0080	40	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											1 par de cátodo comum	45V	100A	750 mV a 100 A		1 mA a 20 V	-55°C ~ 150°C
MBRF200150	-	Solicitação de cotação	8690	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	TO-244AB		Schottky	TO-244AB	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											1 par de cátodo comum	150 V	100A	880 mV a 100 A		1 mA a 150 V	-55°C ~ 150°C
MBRH12020	60.0375	Solicitação de cotação	5487	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	D-67		Schottky	D-67	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		MBRH12020GN	EAR99	8541.10.0080	36	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												20 V		650 mV a 120 A		4 mA a 20 V		120A	-
FR70GR02	21.3300	Solicitação de cotação	124	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-203AB, DO-5, pino		Padrão, inversão de polaridade	DO-5	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	100	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												400 V		1,4 V a 70 A	200 ns	25 µA a 100 V	-40°C ~ 125°C	70A	-
MSRT10080AD	54.0272	Solicitação de cotação	4048	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	Três Torres	MSRT100	padrão	Três Torres	-	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)											Conexão em série de 1 par	800 V	100A	1,1 V a 100 A		10 µA a 800 V	-55°C ~ 150°C
FR85JR05	27.9100	Solicitação de cotação	19	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-203AB, DO-5, pino		Padrão, inversão de polaridade	DO-5	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	100	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												600 V		1,4 V a 85 A	500 ns	25 µA a 100 V	-40°C ~ 125°C	85A	-
S400Y	92.3505	Solicitação de cotação	7620	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-205AB, DO-9, pino	S400	padrão	DO-205AB (DO-9)	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		S400YGN	EAR99	8541.10.0080	8	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)												1600V		1,2 V a 400 A		10 µA a 50 V	-60°C ~ 200°C	400A	-
MBR200200CTR	90.1380	Solicitação de cotação	5931	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	Torre Gêmea	MBR200200	Schottky	Torre Gêmea	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	40	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											1 par de anodo comum	200 V	100A	920 mV a 100 A		3 mA a 200 V	-55°C ~ 150°C
GBJ20D	0,9120	Solicitação de cotação	6810	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, GBJ	GBJ20	padrão	GBJ	download	Compatível com ROHS3			1242-GBJ20D	EAR99	8541.10.0080	200															1,05 V a 10 A		5 µA a 200 V		20 A		Monofásico	200 V
MBR2X160A080	59.6700	Solicitação de cotação	1486	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	SOT-227-4, miniBLOC	MBR2X160	Schottky	SOT-227	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	52	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											2 Independente	80 V	160A	840 mV a 160 A		1 mA a 80 V	-40°C ~ 150°C
MUR40005CTR	-	Solicitação de cotação	3094	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	Torre Gêmea		padrão	Torre Gêmea	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		MUR40005CTRGN	EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											1 par de anodo comum	50 V	200A	1,3 V a 125 A	90 ns	25 µA a 50 V	-55°C ~ 150°C
GB01SLT12-252	1.3500	Solicitação de cotação	5379	Semicondutor GeneSiC	SiC Schottky MPS™	Fita e Carretel (TR)	Ativo		Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	GB01SLT12	SiC (carboneto de silício) Schottky	PARA-252	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.10.0080	2.500	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)												1200 V		1,8 V a 1 A	0 ns	2 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	1A	69pF @ 1V, 1MHz
FR12G05	6.7605	Solicitação de cotação	4903	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-203AA, DO-4, pino		padrão	DO-4	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	250	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												400 V		800 mV a 12 A	500 ns	25 µA a 100 V	-65°C ~ 150°C	12A	-
S400KR	88.0320	Solicitação de cotação	8470	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-205AB, DO-9, pino	S400	Padrão, inversão de polaridade	DO-205AB (DO-9)	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		S400KRGN	EAR99	8541.10.0080	8	Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)												800 V		1,2 V a 400 A		10 µA a 50 V	-60°C ~ 200°C	400A	-
MBR8040R	22.1985	Solicitação de cotação	8534	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Chassi, montagem em pino	DO-203AB, DO-5, pino	MBR8040	Schottky, inversão de polaridade	DO-5	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		MBR8040RGN	EAR99	8541.10.0080	100	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												40 V		750 mV a 80 A		1 mA a 35 V	-55°C ~ 150°C	80A	-
MBR50030CTR	-	Solicitação de cotação	2432	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	Torre Gêmea		Schottky	Torre Gêmea	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		MBR50030CTRGN	EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											1 par de anodo comum	30 V	250A	750 mV a 250 A		1 mA a 20 V	-55°C ~ 150°C
GA10JT12-263	-	Solicitação de cotação	5630	Semicondutor GeneSiC	-	Tubo	Obsoleto	175°C (TJ)	Montagem em superfície	-	GA10JT12	SiC (transistor de alumínio revestido de carboneto de silício)	-	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		-	1200 V	25A (Tc)	-	120mOhm a 10A	-	-	1403 pF a 800 V	-	170W (Tc)
MURT20040	104.4930	Solicitação de cotação	3859	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	Três Torres		padrão	Três Torres	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		MURT20040GN	EAR99	8541.10.0080	40	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											1 par de cátodo comum	400 V	100A	1,35 V a 100 A	90 ns	25 µA a 50 V	-55°C ~ 150°C
MURT10005	-	Solicitação de cotação	8545	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	Três Torres		padrão	Três Torres	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		MURT10005GN	EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											1 par de cátodo comum	50 V	50A	1,3 V a 50 A	75ns	25 µA a 50 V	-55°C ~ 150°C
GB2X100MPS12-227	135.8600	Solicitação de cotação	51	Semicondutor GeneSiC	SiC Schottky MPS™	Tubo	Ativo		Montagem em chassi	SOT-227-4, miniBLOC	GB2X100	SiC (carboneto de silício) Schottky	SOT-227	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)	REACH não afetado	1242-1341	EAR99	8541.10.0080	10	Sem tempo de recuperação > 500mA (Io)											2 Independente	1200 V	185A (CC)	1,8 V a 100 A	0 ns	80 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C
MBRT40040RL	-	Solicitação de cotação	1556	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Obsoleto		Montagem em chassi	Três Torres		Schottky	Três Torres	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	25	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											1 par de anodo comum	40 V	200A	600 mV a 200 A		3 mA a 40 V	-55°C ~ 150°C
FST10030	65.6445	Solicitação de cotação	2996	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	TO-249AB		Schottky	TO-249AB	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		FST10030GN	EAR99	8541.10.0080	40	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											1 par de cátodo comum	30 V	100A	650 mV a 100 A		2 mA a 20 V
MBR30030CTR	94.5030	Solicitação de cotação	6989	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	Torre Gêmea	MBR30030	Schottky	Torre Gêmea	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)		MBR30030CTRGN	EAR99	8541.10.0080	40	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											1 par de anodo comum	30 V	150A	650 mV a 150 A		8 mA a 20 V	-55°C ~ 150°C
MBR400150CTR	98.8155	Solicitação de cotação	5686	Semicondutor GeneSiC	-	Volume	Ativo		Montagem em chassi	Torre Gêmea	MBR400150	Schottky	Torre Gêmea	download	Compatível com RoHS	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	40	Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)											1 par de anodo comum	150 V	200A	880 mV a 200 A		3 mA a 150 V	-55°C ~ 150°C