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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Estrutura | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tensão - Estado desligado | Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.) | Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.) | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Número de SCRs, Diodos | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S70VR | 10.1310 | ![]() | 8410 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | S70V | Padrão, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | S70VRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1400V | 1,1 V a 70 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 70A | - | ||||||||||||||
![]() | FR70K05 | 17.5905 | ![]() | 2246 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | padrão | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | FR70K05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,4 V a 70 A | 500 ns | 25 µA a 100 V | -40°C ~ 125°C | 70A | - | ||||||||||||||
![]() | S12B | 6.3300 | ![]() | 82 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 100V | 1,1 V a 12 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 12A | - | ||||||||||||||||
![]() | MURF20020R | - | ![]() | 3405 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | padrão | PARA-244 | - | 1 (ilimitado) | MURF20020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 200 V | 100A | 1,3 V a 100 A | 75ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||
![]() | GKN240/18 | 73.7088 | ![]() | 6070 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AB, DO-9, pino | GKN240 | padrão | DO-205AB (DO-9) | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1800 V | 1,5 V a 60 A | 22 mA @ 1800 V | -55°C ~ 150°C | 165A | - | |||||||||||||||
![]() | MBRTA500200R | - | ![]() | 5719 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 200 V | 250A | 920 mV a 250 A | 4 mA a 200 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
![]() | GKR240/16 | 73.5088 | ![]() | 1788 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-205AB, DO-9, pino | GKR240 | padrão | DO-205AB (DO-9) | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1600V | 1,4 V a 60 A | 60 mA a 1600 V | -40°C ~ 180°C | 320A | - | |||||||||||||||
![]() | MBRT20030R | 98.8155 | ![]() | 7651 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MBRT20030 | Schottky | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBRT20030RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 30 V | 100A | 750 mV a 100 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
![]() | 1N3890 | 6.7605 | ![]() | 7871 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | 1N3890 | padrão | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N3890GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 1,4 V a 12 A | 200 ns | 25 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 12A | - | |||||||||||||
![]() | MBRF200150 | - | ![]() | 8690 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 150 V | 100A | 880 mV a 100 A | 1 mA a 150 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
![]() | FR70JR02 | 17.7855 | ![]() | 6539 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | Padrão, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | FR70JR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,4 V a 70 A | 250 ns | 25 µA a 100 V | -40°C ~ 125°C | 70A | - | ||||||||||||||
![]() | FST10080 | 65.6445 | ![]() | 1968 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 80 V | 100A | 840 mV a 100 A | 2 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
![]() | MSRT25060A | 54.2296 | ![]() | 1769 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MSRT25060 | padrão | Três Torres | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 600V | 250A (CC) | 1,2 V a 250 A | 15 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||
![]() | MSRTA50080A | 101.4000 | ![]() | 4781 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MSRTA50080 | padrão | Três Torres | - | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 800 V | 500A (CC) | 1,2 V a 500 A | 25 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||
![]() | MBRT50045R | - | ![]() | 8302 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | Três Torres | Schottky | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MBRT50045RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 45V | 250A | 750 mV a 250 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||
![]() | MUR7010 | 17.5905 | ![]() | 4310 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | padrão | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MUR7010GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 1 V a 70 A | 75ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 70A | - | ||||||||||||||
![]() | MBRH240150 | 76.4925 | ![]() | 2030 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | D-67 | Schottky | D-67 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 150 V | 880 mV a 240 A | 1 mA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 240A | - | ||||||||||||||||
![]() | MBR2X120A080 | 51.8535 | ![]() | 1508 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MBR2X120 | Schottky | SOT-227 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 80 V | 120A | 840 mV a 120 A | 1 mA a 80 V | -40°C ~ 150°C | |||||||||||||||
| 1N8024-GA | - | ![]() | 8416 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Tubo | Obsoleto | Através do furo | PARA-257-3 | 1N8024 | SiC (carboneto de silício) Schottky | PARA-257 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) | 1200 V | 1,74 V a 750 mA | 0 ns | 10 µA a 1200 V | -55°C ~ 250°C | 750mA | 66pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | S12M | 4.2345 | ![]() | 1831 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | DO-4 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | S12MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,1 V a 12 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 12A | - | |||||||||||||||
![]() | FST8340M | - | ![]() | 6819 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | D61-3M | Schottky | D61-3M | download | 1 (ilimitado) | FST8340MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 40 V | 80A (CC) | 650 mV a 80 A | 1,5 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
![]() | 1N3208R | 7.0650 | ![]() | 9958 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 1N3208R | Padrão, inversão de polaridade | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1N3208RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,5 V a 15 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 15A | - | ||||||||||||||
![]() | FST8345M | - | ![]() | 2024 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | D61-3M | Schottky | D61-3M | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 45V | 80A (CC) | 650 mV a 80 A | 1,5 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
| GA080TH65-227SP | 3.0000 | ![]() | 1033 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | GA080 | Solteiro | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.30.0080 | 10 | 6,5kV | 139A | - | 100 mA | 80A | 1 SCR | |||||||||||||||||
![]() | GKN26/12 | - | ![]() | 9746 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Chassi, montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | padrão | DO-4 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,55 V a 60 A | 4 mA @ 1200 V | -40°C ~ 180°C | 25A | - | |||||||||||||||||
![]() | MUR2X060A06 | 47.1200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | SOT-227-4, miniBLOC | MUR2X060 | padrão | SOT-227 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | 1242-1311 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 2 Independente | 600V | 60A | 1,5 V a 60 A | 90 ns | 25 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||
![]() | MURTA60040R | 188.1435 | ![]() | 1280 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Montagem em chassi | Três Torres | MURTA60040 | padrão | Três Torres | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | MURTA60040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de anodo comum | 400 V | 300A | 1,5 V a 300 A | 220ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
![]() | GBJ25M | 0,9795 | ![]() | 5052 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBJ | GBJ25 | padrão | GBJ | download | Compatível com ROHS3 | 1242-GBJ25M | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,05 V a 12,5 A | 10 µA a 1000 V | 25A | Monofásico | 1kV | ||||||||||||||||
![]() | MBRH30035L | - | ![]() | 7289 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Obsoleto | Montagem em chassi | D-67 | Schottky | D-67 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 35V | 600 mV a 300 A | 3 mA a 35 V | -55°C ~ 150°C | 300A | - | |||||||||||||||||
![]() | SD51 | 19.1580 | ![]() | 2759 | 0,00000000 | Semicondutor GeneSiC | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | SD51 | Schottky | DO-5 | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | SD51GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 45V | 660 mV a 60 A | 5 mA a 45 V | -65°C ~ 150°C | 60A | - |

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