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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) |
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![]() | GBPC2502T | 2.5335 | ![]() | 3149 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal de QC | 4 Quadrados, GBPC | GBPC2502 | Padrão | GBPC | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 12,5 A | 5 µA A 200 V | 25 a | Fase Única | 200 v | |||||||||||||||||||||
![]() | MSRTA40080A | 60.2552 | ![]() | 5207 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRTA40080 | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 800 v | 400A (DC) | 1,2 V @ 400 A | 25 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | G2R1000MT33J | 18.6900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | G2R ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA | G2R1000 | Sicfet (Carboneto de Silício) | TO-263-7 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-G2R1000MT33J | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 3300 v | 4a (TC) | 20V | 1.2OHM @ 2A, 20V | 3.5V @ 2Ma | 21 NC @ 20 V | +20V, -5V | 238 pf @ 1000 V | - | 74W (TC) | ||||||||||||||
![]() | MBRT40020RL | - | ![]() | 8227 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 20 v | 200a | 580 mV @ 200 A | 3 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
![]() | GB05SLT12-252 | - | ![]() | 9808 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | GB05SLT12 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,8 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 260pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MURH7040 | 49.5120 | ![]() | 9358 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | D-67 | Padrão | D-67 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 70 A | 90 ns | 25 µA A 400 V | -55 ° C ~ 155 ° C. | 70A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT40030 | 118.4160 | ![]() | 9037 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRT40030GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 200a | 750 mv @ 200 a | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | Mbrta60020rl | - | ![]() | 7830 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 20 v | 300A | 580 mV @ 300 A | 3 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR60100 | 20.2695 | ![]() | 8156 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR60100 | Schottky | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR60100GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 840 mV @ 60 A | 5 mA a 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - | |||||||||||||||||||
![]() | FST7335M | - | ![]() | 1899 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 35a | 700 mV @ 35 A | 1 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
![]() | UFT10040 | - | ![]() | 2930 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-249AB | Padrão | TO-249AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 50a | 1,3 V @ 50 A | 70 ns | 25 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | MUR30040CTR | 118.4160 | ![]() | 2621 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MUR30040 | Padrão | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MUR30040CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 400 v | 150a | 1,5 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||
![]() | MBR40045CT | 98.8155 | ![]() | 9718 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR40045 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR40045CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 200a | 650 mv @ 200 a | 5 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||
![]() | UFT14020 | - | ![]() | 6916 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-249AB | Padrão | TO-249AB | - | 1 (ilimito) | UFT14020GS | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 70A | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | 1n1188r | 10.1200 | ![]() | 74 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1n1188r | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1094 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 35 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 35a | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRTA80040 | - | ![]() | 3010 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 400A | 720 mV @ 400 A | 1 mA a 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRT12080 | 75.1110 | ![]() | 5417 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBRT12080GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 60a | 880 mV @ 60 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | GD2X30MPS06D | 9.7900 | ![]() | 695 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | GD2X | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1242-GD2X30MPS06D | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 600 v | 30a (DC) | 0 ns | 175 ° C. | |||||||||||||||||||
![]() | S300BR | 63.8625 | ![]() | 2398 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | S300 | Polaridada reversa padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S300BRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,2 V @ 300 A | 10 µA A 100 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 300A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBR200200CTR | 90.1380 | ![]() | 5931 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR200200 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 100a | 920 mV @ 100 A | 3 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5829 | 14.0145 | ![]() | 1994 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N5829 | Schottky | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N5829GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 580 mV @ 25 A | 2 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - | |||||||||||||||||||
![]() | MURF40020R | - | ![]() | 3160 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Padrão | To-244 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 200a | 1 V @ 200 A | 150 ns | 25 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF12045 | - | ![]() | 6183 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 60a | 700 mV @ 60 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||
1N3210 | 9.6500 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3210 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,5 V @ 15 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | S300E | 63.8625 | ![]() | 8223 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | S300 | Padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S300ENGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,2 V @ 300 A | 10 µA A 100 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 300A | - | |||||||||||||||||||
![]() | Murta20040 | 145.3229 | ![]() | 3322 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 100a | 1,3 V @ 100 A | 25 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | FST8380SM | - | ![]() | 6753 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D61-3SM | Schottky | D61-3SM | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | FST8380SMGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 80a (DC) | 840 mV @ 80 A | 1,5 mA a 20 V | |||||||||||||||||||||
![]() | FST16035 | 80.0400 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1085 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 160a | 750 mV @ 160 A | 1 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
1N2130A | 8.9025 | ![]() | 2480 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N2130 | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1093 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,1 V @ 60 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 60a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | S12b | 6.3300 | ![]() | 82 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 12 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 12a | - |
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