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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRTTA50045 | - | ![]() | 3338 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 250a | 700 mV @ 250 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | 1N3889R | 9.3600 | ![]() | 176 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3889R | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1108 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,4 V @ 12 A | 200 ns | 25 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | |||||||
![]() | FST120100 | 70.4280 | ![]() | 1978 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FST120100GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 120A (DC) | 840 mV @ 120 A | 2 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | MUR40010CTR | 132.0780 | ![]() | 5948 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | Mur40010 | Padrão | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MUR40010CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 100 v | 200a | 1,3 V @ 125 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | GC05MPS12-252 | 2.3475 | ![]() | 8544 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | GC05MPS12 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252-2 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 4 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 27a | 359pf @ 1V, 1MHz | |||||||
![]() | MBR200100CTS | - | ![]() | 8978 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Tubo | Obsoleto | Montagem do parafuso | SOT-227-4 | Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1133 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 100 v | 200a (DC) | 950 mV @ 100 A | 10 µA A 80 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
![]() | Murta60020 | 188.1435 | ![]() | 5611 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Murta60020gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 300A | 1,3 V @ 300 A | 200 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | MBRF120150 | - | ![]() | 1966 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 60a | 880 mV @ 60 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | 1N1183 | 7.4730 | ![]() | 9741 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1183 | Padrão | DO-203AB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1n1183gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,2 V @ 35 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 35a | - | ||||||||
![]() | FR85D02 | 23.1210 | ![]() | 3577 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR85D02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,4 V @ 85 A | 200 ns | 25 µA A 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 85a | - | ||||||||
![]() | MBR7560R | 21.9195 | ![]() | 8324 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR7560 | Schottky, reversa polaridada | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR7560RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mV @ 75 A | 1 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 75a | - | ||||||||
![]() | S6K | 3.8625 | ![]() | 8238 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S6KGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 6 A | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - | |||||||||
![]() | MURT20040 | 104.4930 | ![]() | 3859 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MURT20040GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 100a | 1,35 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | Murta300120 | 159.9075 | ![]() | 2294 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Padrão | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 150a | 2,6 V @ 150 A | 25 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | KBJ404G | 0,5160 | ![]() | 1782 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBJ | KBJ404 | Padrão | KBJ | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | KBJ404GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1,1 V @ 4 A | 5 µA A 400 V | 4 a | Fase Única | 400 v | |||||||||
![]() | FR16B05 | 8.1330 | ![]() | 5774 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR16B05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,4 V @ 16 a | 500 ns | 25 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | ||||||||
![]() | MBRTA500200R | - | ![]() | 5719 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 250a | 920 mV @ 250 A | 4 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MBRT40035L | - | ![]() | 1911 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 200a | 600 mv @ 200 a | 3 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | KBU10005 | 0,8205 | ![]() | 5287 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, kbu | Padrão | KBU | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | KBU10005GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1,05 V @ 10 A | 10 µA a 50 V | 10 a | Fase Única | 50 v | ||||||||||
![]() | Mbrta60030rl | - | ![]() | 3356 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 30 v | 300A | 580 mV @ 300 A | 1 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MBRT120200 | 75.1110 | ![]() | 9437 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 60a | 920 mV @ 60 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | MBRF20030 | - | ![]() | 3637 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 100a | 700 mV @ 100 A | 1 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
1N3214R | 7.0650 | ![]() | 9573 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3214R | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1003 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 15 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | |||||||||
![]() | DB153G | 0,2325 | ![]() | 7910 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-EDIP (0,321 ", 8,15mm) | DB153 | Padrão | DB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | DB153GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA A 200 V | 1.5 a | Fase Única | 200 v | |||||||||
![]() | MBR60060CT | 129.3585 | ![]() | 7847 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Torre Dupla | MBR60060 | Schottky | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR60060CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 300A | 800 mV @ 300 A | 1 mA a 20 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | 1N4593 | 35.5695 | ![]() | 8887 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | 1N4593 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N4593GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,5 V @ 150 A | 5,5 mA a 800 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | ||||||||
![]() | MUR2X060A12 | 46.9860 | ![]() | 3031 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Mur2x060 | Padrão | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 1200 v | 60a | 2,35 V @ 60 A | 25 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
GBPC3502T | 4.6200 | ![]() | 676 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal de QC | 4 quadrados, GBPC-T | GBPC3502 | Padrão | GBPC-T | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 12,5 A | 5 µA A 200 V | 35 a | Fase Única | 200 v | |||||||||||
![]() | GD2X50MPS12N | 46.3900 | ![]() | 135 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | GD2X | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | SOT-227 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1242-GD2X50MPS12N | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 2 Independente | 1200 v | 76a (DC) | 1,8 V @ 50 A | 0 ns | 15 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
![]() | BR610 | 0,7425 | ![]() | 5194 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, BR-6 | Padrão | BR-6 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | BR610GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA A 1000 V | 6 a | Fase Única | 1 kv |
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