SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tecnologia Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Velocidade Configuração de diodo Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Máx.)
MUR20010CT GeneSiC Semiconductor MUR20010CT 101.6625
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ECAD 4937 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Montagem em chassi Torre Gêmea MUR20010 padrão Torre Gêmea download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 1242-1000 EAR99 8541.10.0080 40 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 100V 100A 1,3 V a 100 A 75ns 25 µA a 50 V -55°C ~ 150°C
MURT40040R GeneSiC Semiconductor MURT40040R 134.5800
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ECAD 10 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Montagem em chassi Três Torres MURT40040 Padrão, inversão de polaridade Três Torres download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 1242-1098 EAR99 8541.10.0080 40 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de anodo comum 400 V 200A 1,35 V a 200 A 180ns 25 µA a 50 V -55°C ~ 150°C
GBPC1504W GeneSiC Semiconductor GBPC1504W 2.4180
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ECAD 1714 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4 quadrados, GBPC-W GBPC1504 padrão GBPC-W download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) GBPC1504WGS EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V a 7,5 A 5 µA a 400 V 15A Monofásico 400 V
MBRT60030L GeneSiC Semiconductor MBRT60030L -
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ECAD 5731 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi Três Torres Schottky Três Torres - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 30 V 300A 580 mV a 300 A 3 mA a 30 V -55°C ~ 150°C
S150Q GeneSiC Semiconductor S150Q 35.5695
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ECAD 6310 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-205AA, DO-8, pino S150 padrão DO-205AA (DO-8) download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) S150QGN EAR99 8541.10.0080 10 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 1200 V 1,2 V a 150 A 10 µA a 600 V -65°C ~ 200°C 150A -
1N3211 GeneSiC Semiconductor 1N3211 7.0650
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ECAD 1199 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-203AB, DO-5, pino 1N3211 padrão DO-5 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 1N3211GN EAR99 8541.10.0080 100 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 300V 1,5 V a 15 A 10 µA a 50 V -65°C ~ 175°C 15A -
MURT40060 GeneSiC Semiconductor MURT40060 -
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ECAD 9179 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi Três Torres padrão Três Torres download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) MURT40060GN EAR99 8541.10.0080 25 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 600 V 200A 1,7 V a 200 A 240ns 25 µA a 50 V -55°C ~ 150°C
GBJ30D GeneSiC Semiconductor GBJ30D 1.1205
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ECAD 7632 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4-SIP, GBJ GBJ30 padrão GBJ download Compatível com ROHS3 1242-GBJ30D EAR99 8541.10.0080 200 1,05 V a 15 A 5 µA a 200 V 30 A Monofásico 200 V
GBJ30G GeneSiC Semiconductor GBJ30G 1.1205
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ECAD 5909 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4-SIP, GBJ GBJ30 padrão GBJ download Compatível com ROHS3 1242-GBJ30G EAR99 8541.10.0080 200 1,05 V a 15 A 5 µA a 400 V 30 A Monofásico 400 V
1N1204A GeneSiC Semiconductor 1N1204A 4.2345
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ECAD 3708 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-203AA, DO-4, pino 1N1204 padrão DO-4 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 1242-1026 EAR99 8541.10.0080 250 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 400 V 1,1 V a 12 A 10 µA a 50 V -65°C ~ 200°C 12A -
GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E 3.8000
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ECAD 5455 0,00000000 Semicondutor GeneSiC SiC Schottky MPS™ Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-252-2 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 2.500 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1200 V 1,8 V a 10 A 0 ns 5 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 29A 367pF @ 1V, 1MHz
MURTA50020R GeneSiC Semiconductor MURTA50020R 174.1546
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ECAD 7352 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Montagem em chassi Três Torres MURTA50020 padrão Três Torres download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) MURTA50020RGN EAR99 8541.10.0080 24 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de anodo comum 200 V 250A 1,3 V a 250 A 150 ns 25 µA a 50 V -55°C ~ 150°C
KBPC5010T GeneSiC Semiconductor KBPC5010T 4.2700
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ECAD 331 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Terminal de controle de qualidade 4 quadrados, KBPC-T KBPC5010 padrão KBPC-T download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V a 25 A 5 µA a 1000 V 50A Monofásico 1kV
MBR40045CT GeneSiC Semiconductor MBR40045CT 98.8155
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ECAD 9718 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Montagem em chassi Torre Gêmea MBR40045 Schottky Torre Gêmea download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) MBR40045CTGN EAR99 8541.10.0080 40 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 45V 200A 650 mV a 200 A 5 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
KBP204G GeneSiC Semiconductor KBP204G 0,2280
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ECAD 9945 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4-SIP, KBP KBP204 padrão KBP download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) KBP204GGS EAR99 8541.10.0080 500 1,1 V a 2 A 10 µA a 400 V 2A Monofásico 400 V
GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247 -
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ECAD 6.000 0,00000000 Semicondutor GeneSiC SiC Schottky MPS™ Tubo Obsoleto Através do furo PARA-247-2 GB05MPS17 SiC (carboneto de silício) Schottky PARA-247-2 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) REACH não afetado 1242-1342 EAR99 8541.10.0080 30 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 1700V 1,8 V a 5 A 0 ns 6 µA a 1700 V -55°C ~ 175°C 25A 334pF @ 1V, 1MHz
GBPC25005W GeneSiC Semiconductor GBPC25005W 2.5335
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ECAD 5871 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4 quadrados, GBPC-W GBPC25005 padrão GBPC-W download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) GBPC25005WGS EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V a 7,5 A 5 µA a 50 V 25A Monofásico 50 V
MBRH20030RL GeneSiC Semiconductor MBRH20030RL -
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ECAD 8472 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi D-67 Schottky, inversão de polaridade D-67 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 30 V 580 mV a 200 A 3 mA a 30 V -55°C ~ 150°C 200A -
GBU6K GeneSiC Semiconductor GBU6K 0,4488
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ECAD 5969 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4-SIP, GBU GBU6 padrão GBU download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) GBU6KGN EAR99 8541.10.0080 500 1,1 V a 6 A 5 µA a 800 V 6A Monofásico 800 V
MSRTA200140AD GeneSiC Semiconductor MSRTA200140AD 85.9072
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ECAD 3875 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Montagem em chassi Três Torres MSRTA200 padrão Três Torres - Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) Conexão em série de 1 par 1400 V 200A 1,1 V a 200 A 10 µA a 1400 V -55°C ~ 150°C
FST8380M GeneSiC Semiconductor FST8380M -
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ECAD 2519 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi D61-3M Schottky D61-3M download 1 (ilimitado) FST8380MGN EAR99 8541.10.0080 30 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 80 V 80A (CC) 840 mV a 80 A 1,5 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
1N5828R GeneSiC Semiconductor 1N5828R 13.3005
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ECAD 9803 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-203AB, DO-5, pino 1N5828R Schottky, inversão de polaridade DO-5 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) 1N5828RGN EAR99 8541.10.0080 250 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 40 V 500 mV a 15 A 10 mA a 20 V -65°C ~ 150°C 15A -
MBRF20040R GeneSiC Semiconductor MBRF20040R -
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ECAD 1332 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de anodo comum 40 V 100A 700 mV a 100 A 1 mA a 40 V -55°C ~ 150°C
MBR400200CTR GeneSiC Semiconductor MBR400200CTR 98.8155
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ECAD 6652 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Montagem em chassi Torre Gêmea MBR400200 Schottky Torre Gêmea download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de anodo comum 200 V 200A 920 mV a 200 A 3 mA a 200 V -55°C ~ 150°C
MBR7530R GeneSiC Semiconductor MBR7530R 21.9195
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ECAD 2270 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-203AB, DO-5, pino MBR7530 Schottky, inversão de polaridade DO-5 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) MBR7530RGN EAR99 8541.10.0080 100 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 30 V 750 mV a 75 A 1 mA a 30 V -55°C ~ 150°C 75A -
MBRF300150 GeneSiC Semiconductor MBRF300150 -
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ECAD 6350 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Obsoleto Montagem em chassi TO-244AB MBRF3001 Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 150 V 150A 880 mV a 150 A 1 mA a 150 V -55°C ~ 150°C
GBJ35D GeneSiC Semiconductor GBJ35D 1.6410
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ECAD 5407 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 4-SIP, GBJ GBJ35 padrão GBJ download Compatível com ROHS3 1242-GBJ35D EAR99 8541.10.0080 200 1,1 V a 17,5 A 10 µA a 200 V 35A Monofásico 200 V
MBRT120200 GeneSiC Semiconductor MBRT120200 75.1110
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ECAD 9437 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Montagem em chassi Três Torres Schottky Três Torres download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de cátodo comum 200 V 60A 920 mV a 60 A 1 mA a 200 V -55°C ~ 150°C
S70D GeneSiC Semiconductor S70D 9.8985
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ECAD 1398 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Chassi, montagem em pino DO-203AB, DO-5, pino padrão DO-5 download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) S70DGN EAR99 8541.10.0080 100 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 200 V 1,1 V a 70 A 10 µA a 100 V -65°C ~ 180°C 70A -
MBR20040CTR GeneSiC Semiconductor MBR20040CTR 90.1380
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ECAD 1535 0,00000000 Semicondutor GeneSiC - Volume Ativo Montagem em chassi Torre Gêmea MBR20040 Schottky Torre Gêmea download Compatível com RoHS 1 (ilimitado) MBR20040CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 1 par de anodo comum 40 V 200A (CC) 650 mV a 100 A 5 mA a 20 V
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque